早在今年2月份,美光(Micron)就发布了其创新内存技术Hybrid Memory Cube(混合内存立方体,以下简称HMC)。而在日前的Hot Chips大会上,美光再次展示了这个技术,并将其称为是“DRAM内存的未来”。
美光方面表示,HMC内存技术最大的突破就是内存带宽,目前DDR3-1600内存可以提供的带宽为12.8GB/s,但是在展会上的HMC内存则可以提供128GB/s的带宽,而且功耗和体积仅有DDR3内存的10%。
当然,这并不是HMC内存的最终形态。据目前资料显示,HMC内存技术采用的是堆叠封装技术,将多层DRAM和一层逻辑电路共同封装,并采用TSV硅穿孔技术进行互联。其中逻辑电路层起重要作用,其将扮演内存控制器的角色,以超高带宽总线与CPU连接,带宽最高可达DDR3内存的20倍。
游客 2011-08-25 20:31
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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游客 2011-08-25 14:34
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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游客 2011-08-25 14:09
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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