◆ 华硕ARES II显卡PCB及用料分析：21相超合金供电

正面PCB（点击放大）

　　ARES II显卡PCB长30cm（11.8英寸），宽12.6cm左右，几乎跟Mars II的PCB是一样的规格，比GTX Titan、GTX 680以及HD 7970的10.5英寸-11英寸的PCB大得多。

背部PCB（点击放大）

　　背部的PCB额外布置了6片GDDR5显存芯片。

　　华硕Ares II显卡的PCB布局跟以往的双芯卡一样都是左右对称布局，中间是供电电路。华硕解释过这样的布局是最合理的，有利于两个核心的走线。

HD 7970 GE核心

　　ARES II显卡使用的是两颗HD 7970 GE核心，不过频率参数比公版更强大，从默认的1000-1050MHz（boost）提高到了1050-1100MHz（boost）。

PEX8747桥接芯片

　　ARES II显卡相当于两颗HD 7970 GE显卡组成了CF交火，使用的桥接芯片是PEX8747，这是目前唯一支持PCI-E 3.0标准的桥接芯片，GTX 690以及其他的HD 7990显卡使用的都是这颗芯片。

　　ARES II显卡的PWM供电跟Mars II也非常相似，总计21相S.A.P超合金供电，除了1相I/O供电之外，每个GPU核心有单独的8相核心供电和2相显存供电。

Digi+VRM数字供电

　　PWM主控芯片跟华硕的其他产品一样都是打磨过的，是华硕的Digi+VRM数字供电。从编号来看应该是CHL822G芯片，可支持8相数字供电输出，整个PCB上以供有两款这样的芯片。

定制化的电容及电容

　　显卡的PWM供电元件被称为S.A.P超合金，走的是定制化路线，电容是尼吉康GT系列的FP10K黑金电容，电感则打上了SAP超合金的logo。

核心供电的MOSFET

　　每颗GPU核心的8相供电使用的MOSFET是TI出品的87350D DrMOS，整合了上下桥，Power-PAK封装。

显存部分供电MOSFET

　　显存部分有独立的2相供电，上下桥MOSFET分别是安森美出品的4955N和4937N，PWM主控芯片则是茂达APW7165A，支持1-2相PWM供电管理。

显存颗粒

　　显存颗粒来自SK Hynix，编号H5GQ2H24AFR R0C，单颗容量2Gb，速率6Gbps，高端显卡上很常见的显存颗粒了，正面布置了6颗，背面布置了6颗，总容量6GB，位宽384bit*2，运行频率1650MHz（等效6600Mbps），比公版的1500MHz有所提高。

图中的BIOS切换按钮并非传统意义的双BIOS

　　从这一点上说，ARES II上少了一些超频相关的设计，更多的是还是针对日常使用来的，比如更低的温度，更低的噪音等。