4.7 缓存加速模式广泛应用 - 再度重拳出击，十六款240/256GB固态硬盘横评

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4.7 缓存加速模式广泛应用

SLC Cache其实并不是什么新鲜事物，早在两年前OCZ Vertex 4就让我们见识到什么是全盘SLC Cache模式，而到了现在，不管你是否接受了SLC Cache，依家有不少厂家接受了它，现在除了OCZ外，三星840 EVO/840、美光M600和SanDisk的部分产品都有在使用SLC模式。

SanDisk nCache技术

当然了SanDisk的nCache技术只是对随机写入进行缓存，这样可以把写入的随机数据整合起来当成，然后再一起写入到MLC闪存上面，在提升随机写入性能的同时也可以一定程度减少写入放大增加SSD的寿命。

840EVO划分出了较大容量的TurboWrite Cache缓冲区，这个区域的大小根据SSD的容量不同而不同，写入数据会优先进入SLC Cache，空闲时SSD就会把数据转移到TLC存储区中，缓冲区的大小其实对于一般家庭应用来说是足够了的，但是如果你在短时间把超过缓冲区容量的数据写入SSD的话就会发现写入速度大幅度下降，速度大致会降低至同容量的840水平，估计在缓冲区用完后SSD的工作方式会变成与840差不多。

就技术来说840EVO所用的TurboWrite是非常优秀的，让能用TLC闪存的SSD在短时间内表现出如此高的写入性能，而且缓冲区对于一般家庭应用来说也足够，用户大部分时间都可以享受得到。但是三星把SLC Cache有效时的最大写入速度当做连续写入速度来宣传这就不对了，毕竟这个速度是不能长时间保持的，这个情况其实和那些用SandForce主控的SSD拿最大写入速度来宣传相类似。

此外由于写入840EVO缓冲区的数据并不会立刻写入TLC存储区，所以如果在刚写入后立即读取的话就读取速度就会比平时在TLC存储区直接读取快很多，这主要表现在QD1的4K读取速度上，这个三星就有点为测试软件而优化的嫌疑，因为ASSSD与CDM之类的测试软件就是这样先写入测试数据包然后在进行测试的，网上有人说三星840EVO跑分作弊并不是没道理的。

美光在最新的M600系列上也用到了Dynamic Write Acceleration动态写入加速技术，从美光的PPT来看应该是全盘都开了SLC Cache模式，这个和OCZ与东芝的做法差不多，这样可以保证SSD的写入速度在一个很长的时间内高速稳定，只要同一时间的写入量不超过SSD剩余可用空间的一半的话基本速度都不会下降，然后SSD会在闲时SLC Cache中的数据转换到可用的MLC存储区中。

PlexTurbo与RAPID都能跑出一个非常好看的成绩

除了使用SLC Cache进行加速外，三星和浦科特都推出了使用内存对SSD进行加的功能，三星的叫RAPID而浦科特的叫PlexTurbo，两个都整合在各自的 SSD工具箱里面，两者本质都差不多，利用可用内存空间来充当SSD的读写缓存，这样就可以让SSD的读写能力得到大幅度提升，理论上都有掉电丢数据的可能，不过浦科特说能在断电时防止数据流失，不太清楚它的实现方式。

个人对与这类内存加速功能的实际应用时能起多大作用存在疑惑，其实个人还是建议动手能力强的朋友自行搭建RamDisk，然后把各种临时文件夹放到里面，这样对提升SSD的寿命有一定帮助。