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    2016年高通的骁龙820/821处理器大获成功,无骁龙不旗舰可不是说着玩的,国产手机厂商不用骁龙820/821做旗舰的大概只有魅族和华为了——尽管这两家的情况不同。今天晚上高通还突然宣布了下一代骁龙处理器——骁龙835,它就是之前曝光的骁龙830处理器,高通为了营销推广强行给骁龙830附魔战斗力+5,变成了骁龙835处理器,这也将是三星首款10nm工艺处理器,高通官方宣称骁龙835处理器性能比前代提升27%,节能40%,而核心面积效率提高30%。


    高通、三星宣布10nm工艺的骁龙835处理器

    骁龙目前的旗舰主力是骁龙820/821,使用的是三星14nm LPP工艺,而骁龙835最大的变化就是升级到10nm工艺,此前三星在10月中旬宣布正式量产10nm工艺,不过有一点不同的是,高通这次首发10nm工艺很可能使用的是三星10nm LPE低功耗工艺,尽管高通官方并没有证实具体工艺,但30%面积效率、27%性能提升、40%节能的指标与三星之前宣称的10nm LPE优势完全相符。

    此外,三星的10nm LPP工艺要等到明年才能量产,时间上也来不及了,高通选择首发10nm LPE工艺非常合理,反正10nm LPE工艺就算针对节能而生,但10nm总归比14nm工艺更先进。

    高通也没有公布骁龙835处理器的具体规格,现在无法证实骁龙835的CPU是否如之前传闻所说的那样从4核变成8核,但从性能提升27%的比例来看大概还是4核Kryo架构,如果是从4核升级到8核,处理器性能提升不会只有27%这么点。

    与此同时,高通还正式宣布了QuickCharge 4.0(简称QC 4.0)快充技术,之前我们也报道过了,QC 4.0充电功率提升到了28W,充电速度快了20%,充电效率提升了30%,0-50%充电只要15分钟,充电5分钟续航5小时,而且充电温度还降低了5°C。

    值得注意的一点是,QC 4.0还兼容USB Type-C级以及USB PD充电规范,还支持双充电IC,这就有点意思了,因为目前的快充方案除了高通、联发科的之外,华为、OPPO两家还有自己的快充协议,使用的是低压大电流路线,高通的QC 4.0现在有兼容各种快充方案的可能了,只是具体如何做,还得看手机厂商如何选择了——选择通用方案对消费者最有利,但厂商为了保证自己的独特性和竞争力,很可能还会继续使用自家的方案。

    最后,骁龙835的发布也是纸面的,真机上市还早着呢,大概明年1月份的CES展会上会有展示,大规模发布可能要等到2月份的MWC展会,不出意外的话还是会由三星Galaxy S8手机首发。至于国内,明年3月份厂商也会有一轮新机发布,小米、360、乐视等公司估计要各种办法抢首发了,哪怕只是PPT上首发。

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    • 游客  2017-03-06 01:51

      游客

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      2016-11-18 09:32
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      15#

    • 超能网友初中生 2016-11-19 09:00    |  加入黑名单

      超能网友 教授

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    • 超能网友教授 2016-11-18 12:33    |  加入黑名单

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    • 超能网友终极杀人王 2016-11-18 10:44    |  加入黑名单

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    • 游客  2016-11-18 10:37

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      超能网友 研究生

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    • 游客  2016-11-18 08:51

      游客

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    • 游客  2016-11-18 00:34

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    • 超能网友终极杀人王 2016-11-18 00:00    |  加入黑名单

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    • 超能网友研究生 2016-11-17 23:34    |  加入黑名单

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