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    Intel、美光发布3D XPoint闪存已经一年多了,号称性能、可靠性是NAND闪存的1000倍,容量密度是后者10倍,各种黑科技秒杀当前的闪存水平。从去年底开始有少量基于3D XPoint闪存的Optane硬盘问世,消费级容量是16/32GB,企业级有个375GB的DC P4800X系列,随机性能确实很强大。不过Intel迄今为止都没有公布过3D XPoint闪存的技术内幕,好在现在可以确定一点了,那就是375GB的DC P4800X硬盘使用的是20nm工艺。

    Intel当年发布3D XPoint闪存之后并没有透露该技术的细节,只说它是不同于NAND闪存的新型存储技术,性能、可靠性及密度全面领先当前NAND产品。Intel不公开技术内幕大概是为了保密,业界早前也在猜测3D XPpint闪存有可能是基于PCM相变技术的,也有说是ReRAM技术的,只是这些都无法证实。

    现在Computerbase网站论坛有人爆料了DC P4800X硬盘的PCN通知书,里面提到了它是基于20nm工艺的,只是Intel以往的PCN通知都是公开的,但这次需要授权用户登录才能看到,所以普通人也无法查阅具体细节了。

    Intel使用20nm工艺制造3D XPoint闪存也不算意外,虽然在进入3D闪存之后厂商就很少公布具体的制程工艺了,大多时候只公布堆栈层数,不过大部分3D闪存使用的制程工艺都不会很先进,三星早期的V-NAND闪存使用的还是40nm工艺,几年前的制程工艺了,听上去落后,但实际上是好事,因为提升密度可以靠对堆栈层数,更“落后”的工艺往往有更好的可靠性。


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    • 超能网友小黑屋 2017-02-20 20:32    |  加入黑名单

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      5#

    • 游客  2017-02-20 19:15

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      4#

    • 游客  2017-02-20 18:05

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      3#

    • 超能网友终极杀人王 2017-02-20 12:27    |  加入黑名单

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      2#

    • 游客  2017-02-20 11:54

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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