三星与ASML达成协议：获得High-NA EUV光刻设备技术的优先权

近年来，ASML站到了世界半导体技术的中心位置。目前ASML有序地执行其路线图，在EUV之后是High-NA EUV技术，ASML正在为客户交付首台High-NA EUV光刻机做准备，预计会在未来几个月内交付。

数周前，三星电子会长前往荷兰，与ASML讨论了几项半导体业务。据Sammobile报道，三星已在上周与ASML签署了一项价值1万亿韩元（约合7.7亿美元/人民币54.9亿元）的协议，双方将在韩国京畿道东滩投资建设半导体芯片研究设施，并在那里共同努力改进EUV光刻制造技术。

这次三星获得了High-NA EUV光刻设备技术的优先权，有助于确保购入下一代High-NA EUV光刻设备，为其DRAM存储芯片和逻辑芯片的生产创造出优化High-NA EUV技术使用的机会。除了确保2nm芯片制造设备进入韩国，三星更看重的是与ASML建立的合作伙伴关系，以便更好地利用下一代光刻设备。

High-NA EUV系统将提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征，同时每小时能生产超过200片晶圆。此前英特尔已宣布购买业界首个TWINSCAN EXE:5200系统，计划从2025年使用High-NA EUV进行生产。

据了解，ASML计划明年生产10台High-NA EUV系统，其中英特尔已购入了6台。有消息称，台积电计划在2024年引入High-NA EUV系统，为2025年末2nm工艺进入大批量生产做好准备。ASML打算未来几年内，将High-NA EUV系统的年产量提升至20台。