SK海力士准备1cnm DRAM：第六代10nm级别工艺，计划2024Q3量产

去年，SK海力士宣布已经完成了现有DRAM中最为微细化的1β (b) nm（第五代10nm级别）的技术研发，并进入了英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证。其采用了HKMG（High-K Metal Gate）工艺，相比1αnm（第四代10nm级别）工艺的产品，功耗降低了20%。

据Business Korea报道，有业内人士透露，SK海力士正在准备第六代10nm级别的1cnm工艺的产品，已经制定了对应的客户认证及生产计划，打算在2024年第三季度量产，这将领先于竞争对手三星。相比于现在的1βnm工艺产品，1cnm工艺在同样采用EUV光刻技术的情况下，每片晶圆可生产更多数量的芯片，并实现更高的功率效率。

SK海力士将加快英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证步伐，以便1cnm DDR5 DRAM量产后能够迅速进入市场，第一时间供应给亚马逊和微软等主要客户。SK海力士去年正是把握了1βnm DDR5 DRAM抢先通过验证及上市的机会，获得了相当部分的数据中心DDR5内存产品的市场份额，一定程度上弥补了存储器市场低迷造成的损失。

三星上个月在美国硅谷举行的“Memcon 2024”全球半导体大会上表示，计划今年底量产1cnm DRAM产品，12月前获得客户验证。