SK海力士1bnm DDR5 DRAM开始进行验证：采用HKMG工艺，功耗降低20%

SK海力士宣布，已经完成了现有DRAM中最为微细化的1bnm（第五代10nm级别）的技术研发，并将适用其技术的DDR5服务器DRAM开始了“英特尔数据中心存储器认证程序（The Intel Data Center Certified memory program）”，这是英特尔第四代至强可扩展平台（代号Sapphire Rapids）所采用的存储器产品兼容性的正式认证流程。

这次SK海力士提供的DDR5 DRAM产品运行速度为6.4Gbps，也是同类产品里速率最高的，与初期的试制品相比，数据处理速度提高了33%。其采用了HKMG（High-K Metal Gate）工艺，相比1αnm（第四代10nm级别）工艺的产品，功耗降低了20%。

SK海力士表示，1bnm工艺技术的成功研发，意味着可以向全球客户供应高性能与高效能功耗比兼备的DRAM产品。SK海力士希望今年开始量产最先进的1bnm工艺技术产品，以业界最高DRAM竞争力水平改善今年下半年业绩。此外，SK海力士还打算将1bnm工艺技术扩展到LPDDR5T、HBM3E等高性能产品。

近期SK海力士的财务状况并不好，上个月公布的2023财年第一财季财务报告显示，因存储器半导体市场持续低迷，需求疲软和产品价格下跌，该季度营收环比减少，且营业亏损加大。为此SK海力士决定以DDR5服务器DRAM和HBM等高性能DRAM、采用176层NAND的SSD、uMCP产品为中心的销售，以提升营业收入。