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    SK海力士宣布,已经完成了现有DRAM中最为微细化的1bnm(第五代10nm级别)的技术研发,并将适用其技术的DDR5服务器DRAM开始了“英特尔数据中心存储器认证程序(The Intel Data Center Certified memory program)”,这是英特尔第四代至强可扩展平台(代号Sapphire Rapids)所采用的存储器产品兼容性的正式认证流程。

    这次SK海力士提供的DDR5 DRAM产品运行速度为6.4Gbps,也是同类产品里速率最高的,与初期的试制品相比,数据处理速度提高了33%。其采用了HKMG(High-K Metal Gate)工艺,相比1αnm(第四代10nm级别)工艺的产品,功耗降低了20%。

    SK海力士表示,1bnm工艺技术的成功研发,意味着可以向全球客户供应高性能与高效能功耗比兼备的DRAM产品。SK海力士希望今年开始量产最先进的1bnm工艺技术产品,以业界最高DRAM竞争力水平改善今年下半年业绩。此外,SK海力士还打算将1bnm工艺技术扩展到LPDDR5T、HBM3E等高性能产品。

    近期SK海力士的财务状况并不好,上个月公布的2023财年第一财季财务报告显示,因存储器半导体市场持续低迷,需求疲软和产品价格下跌,该季度营收环比减少,且营业亏损加大。为此SK海力士决定以DDR5服务器DRAM和HBM等高性能DRAM、采用176层NAND的SSD、uMCP产品为中心的销售,以提升营业收入。

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