关于 SK海力士 的消息
SK海力士公布第8代3D NAND闪存:堆叠层数超过300层,性能提高18%
近日,SK海力士在ISSCC 2023会议上公布了在3D NAND闪存开发方面的最新突破。SK海力士表示,一支由35名工程师组成的团队为这次演示的材料做出了贡献,带来了一款堆叠层数超过300层的新型3D NAND闪存原型。
三星和SK海力士加快3D DRAM商业化进程,全新结构存储芯片将打破原有模式
三星和SK海力士是存储器领域的领导者,位列行业前两名,传闻两家巨头都在加快3D DRAM商业化进程,以改变存储器行业的游戏规则。其实DRAM行业里排名第三的美光,自2019年以来就开始了3D DRAM的研究,获得的专利数量是三星和SK海力士的两到三倍。
SK海力士1βnm DRAM进入合作伙伴验证流程,距离正式量产已经不远了
今年1月,SK海力士研发的1αnm(第四代10nm级别)工艺DDR5服务器DRAM获得了英特尔认证,兼容全新第四代至强可扩展处理器(代号Sapphire Rapids)。其采用了EUV(极紫外)技术,与DDR4产品相比,功耗最多可减少约20%,性能至少提升70%以上。
影驰HOF PRO DDR5-7200/8000内存上架:采用SK海力士A-Die,起售价3299元
此前影驰就发布了其定位高端的HOF PRO DDR5内存系列,采用了白色的外观,使用了新款铝合金马甲,应用了金属电泳白工艺,侧面LOGO部分采用金属喷砂工艺,配备了RGB灯效,不但好看,还有着更好的散热效果。
SK海力士DRAM遭遇high-k材料质量问题,部分生产设备暂停运行
SK海力士去年宣布,已成功开发出全球首款集成HKMG工艺的LPDDR5X内存,采用1αnm工艺制造,并开始推向市场。不过近期SK海力士在DRAM生产过程中出现一些情况,原因在于high-k材料存在质量问题。
ChatGPT拯救DRAM市场?三星和SK海力士的HBM订单增加、价格飙升
近期由于半导体实况低迷,DRAM价格一路走低,像三星和SK海力士这样的内存芯片大厂苦不堪言,后者2022年第四季度的财务报表显示,甚至时隔十年再次出现单个季度亏损。
Meta将与SK海力士及LG Display合作,一起开发MicroOLED面板
据The Elec报导,Meta将会与SK海力士以及LG Display合作开发MicroOLED面板。早前LG Display 就开发及生产MicroOLED面板的事宜已经与SK海力士签署了合作协议,而消息人士称SK海力士近期也将会与Meta签署相关的合作协议。
SK海力士公布2022Q4及全年财报,时隔十年再次出现单个季度亏损
今天SK海力士(SK hynix)公布了截至2022年12月31日的2022财年及第四季度财务报告,时隔十年再次出现单个季度亏损。SK海力士表示,虽然去年销售额持续增长,但从下半年开始半导体市况持续低迷,因此营业利润与前一年相比有所减少。
SK海力士重组CIS团队,将专注高端产品
这个月早些时候,Omdia最新的市场研究报告显示,索尼继续主导着全球CMOS图像传感器(CIS)市场,去年第三季度以24.42亿美元销售额,及51.6%市场占有率独领风骚。排名第二的是三星,市场占有率为45.6%,第三至第五分别是豪威科技(9.7%)、安森美半导体(7%)和格科微电子(4%)。此外,鲜有人提及的SK海力士排在第六,市场占有率为3.8%,有机会进入前五。
SK海力士推出LPDDR5T:可达9.6Gbps,最快的移动DRAM
SK海力士宣布,已成功开发出目前速度最快的移动DRAM:LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)。SK海力士在去年11月,推出了全球首款集成HKMG(High-K Metal Gate)工艺的LPDDR5X内存,采用1αnm(第四代10nm级别)工艺制造,而这次的LPDDR5T是在此基础上进一步的性能提升。
SK海力士1αnm工艺DDR5首获英特尔认证,兼容第四代至强可扩展处理器
SK海力士宣布,其研发的1αnm(第四代10nm级别)工艺DDR5服务器DRAM获得了英特尔认证,兼容全新第四代至强可扩展处理器(代号Sapphire Rapids)。
SK海力士确认CES 2023参展产品阵容,以“绿色数字解决方案”为主题进行展示
SK海力士宣布,将参加明年1月5日至8日在美国拉斯维加斯举行的CES 2023,这是世界最大的电子、IT展示会,期间会展示主力存储器产品和新的产品阵容。
SK海力士推出8Gbps MCR服务器内存模块,相比DDR5-4800快了80%
SK海力士宣布,已成功开发DDR5多路合并阵列双列直插内存模组(MCR DIMM),实现了8 Gbps的数据传输速率。SK海力士表示,这是业界最快的服务器DRAM产品,相比普通的DDR-4800快了80%以上。
长江存储已量产232层3D TLC NAND闪存,领先于三星、美光、SK海力士等厂商
长江存储在2022年闪存峰会(FMS)上,正式发布了基于晶栈3.0(Xtacking 3.0)架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片,名为X3-9070。相比上一代产品,X3-9070拥有更高的存储密度、更快的I/O速度。
全球NAND闪存收入在2022Q3环比下跌24.3%,铠侠取代SK海力士跃升至第二名
TrendForce发布了2022年第三季度NAND闪存市场的报告,显示因需求疲软出现暴跌,包括消费电子产品和服务器在内的终端产品出货量低于预期。更为糟糕的是,业界对经济前景仍持悲观的看法,不少企业开始缩减其资本支出计划,甚至停止采购活动,而库存问题最终蔓延到NAND闪存供应商,导致销售压力剧增。
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