尽管Haswell处理器是去年中发布的，我们的评测文章《全新Haswell架构，Core i7-4770K处理器评测》也对Haswell的架构及工艺做了详细介绍，只不过作为全新架构+eDRAM缓存的产物，Haswell处理器上依然有很多细节值得关注。上周末的ISCCC 2014会议上，Intel公布了更多Haswell架构细节，包括不同核心与核显的搭配，eDRAM缓存的核心面积及性能，FIVR集成调压模块的优势等等。

Anandtech网站做了一个简单的分析，我们来看一下。首先是Haswell处理器不同核心数量与核显的搭配方式。

Haswell 双核、四核与核显的搭配

Haswell的CPU核心有双核、四核之分，还可以细分为常规电压、ULT超低电压版等，桌面的核显则有GT2、GT3之分（更低端的GT1在一些阉割版赛扬中有出现），GT3还可以根据128MB缓存有无再细分为GT3e和普通GT3，因此至少有5种不同的组合搭配，详细结果如下图所示：

四核+GT3e配置最为高端，核心面积为260+77mm2，晶体管数量达到17亿个以上，最低端的组合是双核+GT2，核心面积只有130mm2，晶体管数只有9.6亿个。

eDRAM缓存

GT3e核显性能强劲的一大重要原因就是有了128MB eDRAM缓存，带宽相比DDR3内存有了大幅提升。GT3e的eDRAM缓存使用了22nm 3D晶体管工艺制造，每个Cell单元面积为0.029um2，8个宏阵列，每个宏容量16MB，总计128MB容量，面积77mm2，频率1.6GHz。

这128MB缓存并没有集成到CPU内，而是采用MCP多芯片封装集成在一个处理器内，CPU与缓存之间使用OPIO总线互联。

CPU与eDRAM采用MCP多芯片封装

OPIO（On Package I/O）总线

OPIO总线带宽达到了102.4GB/s

DDR Power Gate电源栅极设计，相比前代可减少100x的漏电流

Haswell节能设计

新增了C8、C9、C10级别的节能状态

此外，Haswell上还使用了FIVR集成调压模块设计，全负载输出下效率高达90%，只需要0.32微秒即可进入/离开睡眠状态，达到Turbo加速状态也只要0.1微秒。

FIVR效率更高