Intel 10nm工艺黑科技炸裂：量子阱晶体管、铟镓砷及应变锗

Intel前几天庆祝了半导体业界黄金法则——摩尔定律，通过更先进的工艺不断提升晶体管密度是Intel制胜的关键，他们也以此维护了摩尔定律的准确。如今Intel的制造工艺已经是14nm，下一步就是10nm工艺，面临的挑战还会更多，Intel实际上也延期了10nm工艺进程，但Intel手中的黑科技可不少，分析认为Intel将在10nm工艺节点启用量子阱晶体管（Quantum Well FET，简称QWFET），还会使用铟镓砷及应变锗两种新型半导体材料。

bolvar | 发布于2015-04-23 10:06

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