关于 存储密度 的消息
三星宣布投产第九代V-NAND闪存：存储密度较上代提升了50%
三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存，首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存，新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力，巩固其领导地位。
NEO半导体推出3D X-DRAM技术，存储密度可达现有内存的8倍
3D NAND可以说是一个相当成功的技术，现在的NAND闪存基本都是3D NAND，那么同时存储芯片的DRAM能不能复制这一技术呢？NEO半导体就真这样干了，他们宣布推出3D X-DRAM，他们对这项专利技术雄心勃勃，旨在取代整个2D DRAM市场。
HDD已无法“嚣张”，存储密度也被SSD超越了
NAND闪存技术日新月异，SSD固态硬盘这几年来已经成为市场新宠儿，在性能、体积、噪音等方面完胜HDD机械硬盘，最大容量方面SSD也破了HDD硬盘的记录，10TB不再是梦想。现在HDD能有优势的也就是单位容量价格了，不过2015年由于3D NAND及TLC闪存的增多，SSD又破了HDD一个记录——存储密度方面，SSD硬盘也悄悄超过了HDD硬盘。
每平方英寸1.5Tb，TDK宣布HDD存储密度再度提升50%
现在固态硬盘在性能和容量上都得到了很大的提升，隐隐有取代机械硬盘的意思。不过机械硬盘部件及技术厂商TDK就认为，HDD在容量上仍然有不可替代的优势，而且他们最近还取得了新的突破，让HDD的存储密度又再提升了50%。
容量还要继续翻倍，机械硬盘需要新技术提升存储密度
目前固态硬盘的发展可以说是如日中天，但是容量上的不足让其始终不能完全取代机械硬盘，因此近年来机械硬盘的发展方向都是提升存储密度，让硬盘的单碟容量更高，读写性能更好。
