SK海力士是首家HBM3E供应商，于2023年8月份完成HBM3E存储器的开发，上个月向英伟达发送了新款12层堆叠HBM3E样品进行测试，如今宣布量产的HBM3E存储器应该是8层堆叠的产品，容量为24GB。SK海力士表示，其最新的HBM3E产品在速度和热量控制上是目前业界内最好的。最新款HBM3E每秒可处理1.18TB的数据，相当于在一秒内处理230多部全高清电影（每部 5GB）。同时，SK海力士的HBM3E产品在采用Advanced MR-MUF工艺后，与上一代产品相比，散热性能也提高了10%，减少了积热的可能性。

SK海力士HBM业务负责人Sungsoo Ryu表示，HBM3E的量产完善了公司AI存储器产品阵容，并希望以HBM产品线的成功经验，进一步提升客户对公司的信心，稳固与前者的关系，夯实公司在AI存储器供应领域的领先地位。

之前也有报道称，为了应对竞争更加激烈的存储器市场，SK海力士曾拟计划于美国印第安纳州建造晶圆厂，以及在韩国本土投资10亿美元建造先进的HBM封装设施，如今率先量产HBM3E产品，无疑使SK海力士在未来存储器市场里占得一定先机。

三星（Samsung）第三季度企业级SSD营收为21.2亿美元，继续稳坐第一的位置，但其市场占有率由第二季度的44.5%下降至40.6%。营收下降的主要原因依然是闪存均价的下跌。

图片来源TrendForce官网

SK海力士群组（SK海力士+Solidigm）第三季度企业级SSD营收为12.1亿美元。不过随着新成立的Solidigm逐步完成全系列企业级SSD的开发及定位 ，SK海力士群组的企业级SSD市占率有望增长。

西部数据（WDC）第三季度企业级SSD营收为6.7亿美元。由于今年下半年西部数据凭借价格策略与北美客户加强合作，报告预测西部数据第四季度营收表现可能会优于同行，但因其PCIe 4.0企业级SSD尚未完成客户验证，增长动力难以维系。

美光（Micron）第三季营收为6.6亿美元，虽然美光早前推出了176层NAND的PCIe 4.0企业级SSD，但由于其验证时程较预期延长，目前仍以SATA接口的企业级SSD为供应主力，所以176层NAND的PCIe 4.0产品对第三季度营收影响有限。

铠侠（Kioxia）第三季度营收为5.6亿美元，得益与其PCIe 4.0企业级SSD于第三季度开始放量及今年年底量产PCIe 5.0企业级SSD，铠侠的市占率有望增长。

TrendForce预计伴随NAND闪存价格的继续下降，第四季度企业级SSD市场营收将会下跌超过两成。

据朝鲜日报等媒体报道，在美国商务部实施制裁之后，三星电子和SK海力士将停止对华为供应半导体。报道指出，受到美国商务部今年8月份推出的新禁令，三星电子和SK海力士两家公司将会在9月14日向华为出货最后一次半导体，因为这些公司在使用美国技术或者由美国技术开发的产品，他们要向华为供货需要获得美国政府的批准。

报道指出，华为目前是世界上第三大半导体采购商，在相关禁令施行之后，半导体行业的相关业绩也将受到不小的影响。去年，在半导体行业上，华为购买了208亿美元的半导体，仅次于苹果（3610亿美元）以及三星（334亿美元）。另外，对于三星半导体以及SK海力士两家公司来说，华为分别贡献了其销售额的6%和15%。

另一方面，目前DRAM以及SSD市场需求低迷，价格将面临崩盘。如果市场缺少华为这个大客户，那么相关市场的情况可能会更加悲观。外媒报道指出，在美国禁令之后，华为已经大量对存储芯片等半导体进行了储备。报道指出，华为目前的储备已经能够支撑华为撑两年。业内消息人士指出，华为今年上半年的大量采购是造成了内存价格上涨原因之一。

三星和海力士是全球存储芯片的巨头，全球75%的DRAM芯片和40%的NAND芯片来自于韩国，而他们都严重依赖来自日本的一些关键性化工品，韩国92%的光刻胶都是来自日本进口的，还有不到一半的氟化氢也来自于日本，而这种用于芯片气体蚀刻的氟化氢是有毒的，并且有很强的腐蚀性难以长期储存，难以保留大量库存。

wccftech表示DRAM内存价格这个月出现今年来的首次上涨，在过去两周内价格已经上涨了15%，分析师也越来越多的警告DRAM和NAND潜在价格飙升的可能，因为韩国和日本短期内很难达成任何协议。

伯恩斯坦分析师马克纽曼认为，由于韩国占世界内存供应量的四分之三，所以内存价格可能会前所未见的速度大幅上涨，台积电也警告说，日本的动作是2019年下半年最大的不确定因素。

内存和闪存可能在未来几个月内价格会上涨不少，韩国芯片制造厂现在也正在寻找代替方案，氟化氢的来源可能比较好找，中国和俄罗斯都有供应商，但成本可能会有所上涨。而光刻胶就很难轻易找到代替品了，日本供应商将尝试最大限度的从日本以外的工厂生产光刻胶，但是他们对是否要加大投资增加海外工厂的产能有所犹豫，因为日本政府可能随时撤销制裁，这样海外工厂的增产就会变得不必要，而且产能也不是说增加就增加的，因为要花大量的时间去扩建工厂。

图片来源：海力士官网

根据TechPowerUp的消息，海力士表示他们最近已经向开发和销售固态硬盘控制器和NAND存储设备的公司发送样品，以确保相关产品的顺利生产和产品性能。汇融科技总经理苟嘉章表示：“我们从海力士那里获得了QLC工程样品，并对其整体性能印象深刻，样品符合客户的SSD产品要求。”海力士同时也在开发自己的QLC软件算法和控制器，并计划近期内将其推出相关解决方案产品以满足客户需求。

QLC在一个NAND单元中存储四位数据，与每单元存储三位的TLC相比可以提供更高的数据密度。使用QLC可以开发具有成本竞争力的高密度产品。

海力士此次寄出的产品已将面积减少至现有基于3D的QLC产品的不到90％。通过使用体积更小的芯片，海力士可以允许厂家将单个平面当中的芯片数量从2个增加到4个，同时也将数据带宽从32KB增加到了64KB。海力士希望可以凭借这款可以同时处理多达64KB数据的高性能产品来确保了成本和性能竞争力。

“我们计划从明年开始推出我们自己基于款QLC的固态硬盘产品，这对其他企业对于QLC NAND的需求很有意义”海力士NAND发展战略办公室负责人表示，“我们打算在高密度eSSD市场中建立稳固的地位，该解决方案正在取代机械硬盘，我们的NAND闪存解决方案可以实现16TB或者更大的容量。”

根据IDC此前的预测，NAND闪存市场中QLC的比例将会从2019年的3%增加到2023年的22%，同时eSSD会在今年内迅速取代机械硬盘。

使用SK海力士1Y nm生产技术制造的首批产品将是其8 Gb DDR4-3200内存芯片。海力士表示，与使用其1X nm制造技术的类似器件相比，新的生产工艺能够将8 Gb DDR4器件的芯片尺寸缩小20％，并将其功耗降低15％。此外，SK海力士即将推出的8 Gb DDR4-3200芯片具有两项重要改进：四相时钟方案以及Sense放大器控制技术。四相时钟提高了信号强度，可在高数据传输速率下保持稳定；同时，SAC降低了晶体管尺寸缩小时可能发生的数据错误的可能性。

虽然这些技术即使在现在对于DDR4也很重要，但据报道SK海力士将使用它的1Y nm工艺制造DDR5，LPDDR5和GDDR6 DRAM。因此，海力士必须尽快提升其第二代10纳米级制造技术，为未来做好准备。

SK海力士过渡到10纳米级DRAM制造技术的速度相当缓慢。美光和三星的第二代10纳米级的2款产品已经开始出货了，SK海力士的第二代10纳米级制造技术似乎将在2019年下半年才用于商业产品。而海力士2019年Q1季度财报显示其利润同比暴跌65%，虽然它预言今年第二季度将略有回升，第三季度的服务器需求将大幅增长，再加上5G手机的布局入市，也许内存价格真的已经摸到寡头们的底线了？

海力士和三星共同在研发新一代的HBM显存，三星可能把新一代的HBM显存称为：xHBM或者ExtremeHBM，而海力士则把下一代的HBM显存称为：HBM3或者HBMx，不过无论怎么称呼新一代的HBM都无所谓，玩家们只关心它们的性能到底如何。

目前HBM2每层的DRAM可以提供256GB/s的位宽，而未来的HBM3将会翻一番，每层DRAM将达到512GB/s。另外，据消息称新一代的HBM显存单颗容量有望达到64GB，不过按照目前的情况来看64GB可能更多的是给专业级显卡使用。最后令人兴奋的一点是，下一代的HBM显存有望把成本大幅度降低，届时玩家就能以更低的价格买到搭载更强显存的显卡了。

NVIDIA显卡此前的显存频率停留在1502MHz，GTX 780 Ti之后提升到了1753MHz，也就是7GHz（数据频率）的水平，目前大多数高端NVIDIA显卡都是7GHz频率的，显存颗粒分别用过三星和SK Hynix的。AMD显卡在HD 7970时代显存频率是1375MHz，HD 7970 GHz提升到了1500MHz，不过R9 290X显卡时因为位宽提升到了512bit，所以频率并太高，只有1250MHz。AMD显卡中显存频率最高的目前还是R7 260X，达到了1625MHz，不过位宽是128bit的，跟高端显卡不同。

7GHz的GDDR5显存在384bit位宽下已经能提供336GB/s的带宽，但这肯定不是终点，SK Hynix今年Q4季度已经开始出货8GHz频率（真实频率2000MHz，还有一种说法可以叫4000MHz）的GDDR5显存，编号为H5GQ4H24AJR-R4C，128Mb*32bit，单颗容量4Gb，FBGA封装。相比7GHz显存的1.5V电压，8GHz的GDDR5显存电压略微提升到了1.55V。

更值得注意是SK Hynix的HBM显存，这种显存被视为GDDR5之后的新一代标准，AMD就在跟SK Hynix联合开发，而之前也传闻AMD的Carriz APU以及“海盗岛”GPU都会使用HBM，虽然现在看起来这些猜测都不靠谱，不过HBM内存技术上确实很优异，只是目前还处于研发阶段，市场化程度还不够。

SK Hynox量产的HBM显存为4Hi堆栈，电压1.2V，容量也只有1Gb，相比主流GDDR5颗粒来说容量还有点低，虽然速度只有1Gbps，不过带宽能达到128GB/s，所以性能优势很明显。

至于AMD、NVIDIA谁能抢先用上8GHz GDDR5显存和HBM内存，考虑到NVIDIA显卡在高频显存上的优势，他们先用上8GHz GDDR5颗粒的可能比较大，而AMD和SK Hynix联合开发HBM显存，所以AMD先用上HBM显存的可能比较大，只不过相关产品不一定快到明年就能问世。

　　不过有分析指海力士无锡工厂从事的是测试封装环节生产，火灾只会导致设备和原材料损坏，如果火灾发生在台积电工厂，对于芯片价格的影响就不可相提并论了。

　　据报道，DDR3 2Gb 256Mx8 eTT内存颗粒今日的报价达1.698美元，涨幅为17.84%，DDR3 2Gb 256Mx8 1333 MHz内存颗粒涨幅达19%，DDR3 2Gb 256Mx8 1600MHz规格的涨幅高达19.33%。

火灾现场

　　之前PC厂商把2Gb DDR3 DRAM的现货价推升至将近1.4美元，在第四季度上升了近30%，令全球的DRAM工业产值上涨近7%。

　　据分析，接下来DRAM生产厂商将继续提高移动和服务器类产品的DRAM生产力，即使终端市场需求继续疲软，但PC厂商预期供应商的产品输出有限，相信仍会进行采购，补充存货。

　　据双方表示，这笔交易已经在近日全部完成，往后海力士将改名为SK海力士，除了继续推出DRAM芯片外，还会针对市场需要扩大业务范围，对其他种类的芯片进行生产，目标是成为“全球最好的半导体厂商”。

　　目前SK海力士的正在进行生产重点的转移，从原有的“PC设备为中心”转移至“以移动设备为中心”，重点生产产品包括移动版DRAM芯片、NAND闪存芯片和CMOS图像传感器等，同时还会加强在中国市场的投入度，其认为中国市场是目前最大的半导体市场。

　　消息称，由于现在固态硬盘、超薄型笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的兴起，容量为32Gb到128Gb（4GB到16GB）的NAND闪存在需求量上不断增加，这让目前多家NAND闪存芯片厂商之间的竞争变得更加剧烈。

　　在三星宣布计划于中国内地设立12英寸晶圆工厂之后，这让众多的NAND闪存厂商的生产中心都放到了中国上。除了将无锡的工厂转为生产NAND闪存外，海力士还打算扩大工厂的生产规模，甚至可能设立一个新的12英寸晶圆生产工厂。

　　据统计，目前海力士在NAND闪存市场上的份额已经远远落在的三星和东芝的后面，仅以微弱的差距击败美光科技。不过后者已经和英特尔达成协议，往后英特尔将采用美光的NAND闪存芯片打造自己的固态硬盘产品，海力士在NAND闪存上的道路并不平坦。