虽然英特尔的高性能GPU计划没有什么详情，但是近来传闻可不少，HPC Guru日前又爆了一个猛料，那就是英特尔不仅搞定了10nm工艺大规模量产的事，还有些事是超过预期的，3D堆栈技术不只会用于存储芯片，还包括GPU。

简单来说，英特尔的高性能GPU除了上10nm工艺这个亮点之外，还有可能会使用3D显存，不过HPC Guru没有提供更多信息。

在技术上，英特尔使用3D堆栈存储芯片没什么问题，其FPGA产品Stratix 10上就使用了8GB HBM 2显存。当然，这里所说的3D堆栈芯片也不一定就钦定HBM 2了，因为英特尔还跟美光合作了另一种3D堆栈存储芯片——HMC，在自家的至强Phi处理器中也有使用过。

假如这个爆料成真，那么2020年英特尔推出的高性能GPU定位还真不低，不论HBM 2（明年可能有HBM 3了）还是HMC，3D堆栈内存都是高成本的，当然带来的TB/s级带宽性能也是顶级的。

不过英特尔应该也不会完全放弃GDDR6显存的，他们的GPU不可能只有一款，主流而且成本更低的GDDR6显存还是必须的，除非英特尔真的不打算做中低端游戏显卡市场，一门心思满足高端游戏玩家的需求。

Hynix公司专家Minsuk Suh、AMD高级理事Byran Black及美光公司Kyle Kirby

　　此前在FPGA和传感器领域已经有堆栈式设计（注：比如索尼的1300万像素堆栈式摄像头），但是AMD高级理事Byran Black表示目前上述领域的堆栈式设计还没对主流计算领域的CPU、GPU和APU产生影响，而HBM内存将会改变（CPU、GPU及APU）。进军3D堆栈是一项英勇的举动，AMD已经准备采取这样的行动。

　　目前SK Hynix已经开始出样HBM产品，而AMD将联合Hynix开发HBM内存，已经开始准备与客户合作。

　　Hynix公司首席工程师Minsuk Suh表示他们正在准备两种堆栈式内存，一种是用于住内存的3DS，另外一种是用于图形、网络的高性能HBM内存，JEDEC针对这些产品的规范已经接近完成。

HBM与3DS两种规范

　　3D堆栈内存多采用TSV硅穿孔技术，HBM类型支持多种1024个通道，可提供最高的带宽，主要用于对性能要求较高的网络和图形市场。3DS更注重成本与速度的均衡，面向主内存。

　　相比显卡上使用的GDDR5显存，HBM可以提高65%的总体性能，而功耗则有40%的下降。