• 集成DRAM的索尼手机CMOS传感器:1/120快门、1000fps、无畸变

    梁俊豪 发布于2017-02-07 15:12 / 关键字: 索尼半导体, CMOS, 堆栈式, 传感器, DRAM缓存, 1000fps

    可能很多人都不知道我们手上的智能手机摄像头出自索尼半导体之手,在2016年在日本熊本地区曾经发生过地震,导致主要生产数码相机、影像传感器的索尼半导体制造公司熊本技术中心一度停摆,全球高端智能手机摄像头模块一度紧缺,甚至有的厂商面临无摄像头可用的窘境,可以在看出索尼半导体生产的摄像头传感器举足轻重的地位。今天索尼宣布成功制造出全球第一款融合了DRAM缓存的CMOS堆栈式传感器,实现了1/120秒内读取图像,减少运动中物体的畸变,实现在FHD分辨率下1000fps的超级慢动作拍摄。

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  • JMicron推出入门级JMF60F主控:510MB/s读取,无需DRAM缓存

    bolvar 发布于2015-08-08 10:08 / 关键字: JMicron, JMF60F, ssd主控, DRAM缓存

    由于SandForce频繁被买、被卖以及SF3700新品各种延期,这两年的SSD主控市场被台系公司趁机上位,SMI慧荣以及JMicron抢占了大量低端甚至中端SSD市场。JMicron在6月份的台北电脑展上公布了新一代SSD主控路线图,其中针对入门级市场的JMF60F无需DRAM缓存,可以降低SSD成本,本月10日将正式发布,今年的低价SSD市场又要洗牌了。

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  • Haswell核显缓存:容量64MB,或为CPU及GPU共享

    bolvar 发布于2013-04-15 11:23 / 关键字: Haswell, GT3e, 核显, DRAM缓存,

      Haswell核显规格及命名性能已经曝光过多次了,定位最高的是GT3e,芯片内部集成专有的L4缓存,此前也有实物照片了,只不过容量大小跟最初的传闻有区别,Fudzilla从Intel工程师口中又探听到了新的消息,GT3e搭配的缓存容量可达64MB,还有可能为CPU和GPU所共享。

      最早之前的消息称Haswell的核显可搭配128MB缓存,实际上目前的GT3e搭配的缓存容量可达64MB,它也被视为L1、L2、L3缓存之后的L4四级缓存,详细的规格和频率未知,但是其速度和带宽肯定比内存高,因此可以提高GPU的性能。

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  • 有图有真相,带DRAM缓存的Haswell芯片图首曝

    bolvar 发布于2013-04-11 09:14 / 关键字: Haswell, GT3e, 核显, DRAM缓存, BGA

      有关Haswell及其集成的核显我们所知道的是其GT核显总共有四种形式+——GT1、GT2、GT3及集成DRAM缓存的GT3e,GT3e号称有128MB高速缓存,不过无图无真相,此前一直缺少相关实物图证实,现在VR-Zone独家爆出了这个带缓存的GT3e核显。

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