• SK海力士推出2TB容量的Gold P31 M.2 SSD,改用黑色PCB

    吕嘉俭 发布于2021-08-18 11:10 / 关键字: SK海力士, SK Hynix

    在去年,SK海力士推出了面向消费级市场的Gold P31系列SSD。其采用了128层堆叠的4D NAND闪存,使用的是PCI-E 3.0 x4通道,外形规格为M.2 2280,提供了500GB和1TB两种容量。SK海力士是全球首家量产128层闪存的厂商,也是首家销售128层闪存的厂商。

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  • SK海力士计划将收购的英特尔NAND闪存以及存储业务作为独立公司运营

    吕嘉俭 发布于2021-08-05 09:06 / 关键字: 英特尔, Intel, SK海力士, SK Hynix

    在2020年10月份,SK海力士以90亿美元的价格收购了英特尔的NAND闪存以及存储业务,包括英特尔的固态硬盘业务、NAND配件和晶圆业务,以及在英特尔大连的NAND闪存芯片制造厂,不过英特尔将会保留傲腾业务。

    据CRN报道,SK海力士接收了英特尔的这些业务后,会将其作为一家独立公司运营,总部会设在美国,由英特尔现任NAND产品总经理Robert Crooke负责领导,将保持一定的独立性。该公司将于各主要反垄断机构审核完毕之后即可设立,且SK海力士将持有新公司100%股权,此举有助于英特尔的存储业务部门在易手后保留现有美国地区的企业和政府客户。

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  • SK海力士即将量产DDR5内存,明年会再加入EUV技术

    吕嘉俭 发布于2021-07-28 09:37 / 关键字: SK海力士, SK Hynix

    SK海力士宣布计划在未来几个月内开始批量生产DDR5内存,预计这些内存将会与英特尔今年即将推出的Alder Lake平台一起投放市场。SK海力士早在2019年就展示了第一批DDR5芯粒和工程样品,但即将量产的内存与原来的工程样品有所区别。

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  • SK海力士开始量产第四代10nm制程技术DRAM产品,采用EUV技术

    吕嘉俭 发布于2021-07-12 12:27 / 关键字: SK海力士, SK Hynix

    SK海力士宣布,已在本月开始量产基于1a nm级工艺技术的8Gigabit(Gb)LPDDR4移动端DRAM产品,这属于第四代10nm制程技术,是专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。

    10nm级DRAM产品开始,半导体业内将每一代工艺节点都以标注字母的方式起名,第一代是1x nm、第二代是1y nm、第三代是1z nm、第四代是1a nm,SK海力士预计从今年下半年开始就可以向智能手机制造厂商供应1a nm级工艺技术的移动端DRAM产品。这次比较特别的是,SK海力士通过部分采用了EUV(极紫外)技术,完成了对其稳定性的验证,首次使用EUV光刻设备进行量产。

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  • SK海力士承认部分DRAM晶圆出现问题,但认为有人借此造谣并已报警

    吕嘉俭 发布于2021-06-10 10:45 / 关键字: SK海力士, SK Hynix

    近期有报道指,SK海力士有24万片DRAM晶圆存在缺陷,并已经在流通,将面临2万亿韩元(约17亿美元)的损失。SK海力士回应了这个传言,承认了部分DRAM晶圆存在问题,但该缺陷在正常的质量问题检查范围内,并表示目前正在与少部分受影响的客户进行沟通,以解决这个问题。同时SK海力士表示,现在评估潜在损失还为时过早,但损失应该不会那么大,其缺陷在正常的质量问题检测范围内。

    据韩联社报道,SK海力士认为有人在此事上制造谣言,夸大事实,以损害其声誉,目前已报警处理,希望警方对相关不实言论进行调查。

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  • SK海力士预计HBM3会有665GB/s带宽,比HBM2E提高了44.6%

    吕嘉俭 发布于2021-06-10 10:00 / 关键字: SK海力士, SK Hynix, HBM3

    高带宽存储器(High Bandwidth Memory)也就是平常称为HBM的DRAM,是基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场景。虽然HBM没有成为显卡的主流DRAM,但是在需要高带宽的数据中心等领域,仍不时见到其身影。近日SK海力士(SK Hynix)公布了HBM3的产品计划,介绍了即将推出的规范和预期带宽等信息。

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  • 欧盟委员会已批准SK海力士收购英特尔的NAND闪存以及存储业务

    吕嘉俭 发布于2021-05-25 12:18 / 关键字: 英特尔, Intel, SK海力士, SK Hynix

    SK海力士在2020年10月份,以90亿美元的价格收购英特尔的NAND闪存以及存储业务。此次收购包括了英特尔的固态硬盘业务、NAND配件和晶圆业务,以及在英特尔大连的NAND闪存芯片制造厂,不过英特尔将会保留傲腾业务。

    据Guru 3D报道,SK海力士距离收购英特尔的NAND闪存以及存储业务又近了一步,目前已通过了欧盟委员会的批准。此外,去年美国联邦贸易委员会就已经批准了这笔交易,今年3月份也得到了美国外国投资委员会(CFIUS)的批准。目前英国竞争与市场管理局(CMA)仍在调查这笔收购,正在进行第一阶段的调查。

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  • 三星宣布将加大晶圆制造产能投资,韩国政府发布建设全球最大半导体供应链计划

    吕嘉俭 发布于2021-05-14 11:03 / 关键字: 三星, Samsung, SK海力士, SK Hynix

    目前全球各行各业对芯片的需求都无法得到满足,各大晶圆厂加大投入,以增加产能并不是什么稀奇的事情。从台积电(TSMC)、英特尔、中芯国际、联华电子(UMC)到铠侠(Kioxia)等都先后宣布新建晶圆厂,整个行业都呈现出一片火热的景象。

    作为半导体生产大国,韩国的两大巨头三星和SK海力士也不甘落后。此前,SK海力士已宣布在韩国本土新建晶圆厂。三星除了打算扩充在美国晶圆厂的产能,现在也打算在韩国当地大举投资。三星最初宣布在未来十年,将投资133万亿韩元(约合1170亿美元)用于晶圆厂的扩建,包括在韩国京畿道平泽市建造一座全新的晶圆厂。不过随着形势的变化,以及韩国政府的扶持和推动,三星表示到2030年,其投资总额由1170亿美元提高到1515亿美元。

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  • 英国监管机构正在调查SK海力士收购英特尔NAND闪存业务,审批可能会放缓

    吕嘉俭 发布于2021-04-29 18:30 / 关键字: 英特尔, Intel, SK海力士, SK Hynix

    英国竞争与市场管理局(CMA)正在调查SK海力士收购英特尔NAND闪存业务,就像通常调查大型交易案一样,以确保这笔交易不会对当地消费者和企业产生任何负面影响。如果英国竞争与市场管理局认为这笔收购会英国的用户产生负面影响,可能会放慢审批的速度并提出相关要求。

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  • SK海力士将投资超过千亿美元建新厂区,扩充产能以应对未来需求

    吕嘉俭 发布于2021-04-04 23:55 / 关键字: SK Hynix, SK海力士

    最近一段时间全球半导体产能紧张,让不少行业巨头纷纷加大投资,以应对未来几年市场的高需求。近日,韩国政府批准了SK海力士新厂区的兴建计划。

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  • 2020年上半年手机图像传感器市场索尼仍为第一,三星位居第二且未来有超越之势

    杨申圳 发布于2020-10-15 09:51 / 关键字: 索尼, 三星, OmniVision, SK Hynix

    市场研究公司Strategy Analytics发布了一份有关2020年上半年智能手机图像传感器市场的研究报告。根据该报告,2020年上半年该市场规模比上年同期增长了15%,达到约63亿美元。

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  • SK海力士开始量产128层4D NAND闪存,而且176层4D NAND闪存也在开发中

    唐裕之 发布于2019-06-26 21:28 / 关键字: SK海力士, SK Hynix, 4D NAND, TLC, 128层, 1Tb

    从去年开始SSD价格就在持续下跌,即使到了最近,根据报道称NAND闪存芯片的价格还在持续下跌。不过厂商的量产及研发脚步并没有停下来。在今天SK海力士正式宣布了其128层4D NAND闪存芯片正式开始量产,这也是全球首家开始量产128层NAND芯片的厂商。

    图片来自SK Hynix

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  • SK Hynix无锡二厂竣工:月产18万片DRAM晶圆,全球第一

    孟宪瑞 发布于2019-04-19 10:40 / 关键字: SK Hynix, 无锡, 晶圆厂, 内存, DRAM

    DRAM内存市场从2018年Q4季度进入熊市,DRAM颗粒均价不断下跌,跌幅从去年底的10%不断扩大,Q1季度跌幅高达20-30%,这个趋势还会持续下去,最少要跌倒今年Q3季度。DRAM内存芯片的跌价让三星、美光、SK Hynix公司的营收及盈利大幅下滑,为此他们今年都会削减投资、减少产能输出。即便如此,厂商阻止内存降价的努力不一定能凑效,因为4月18日SK Hynix斥资86亿美元建造的无锡二厂正式竣工,该工厂的DRAM月产能高达18万片,达产之后将成为全球单体投资规模最大、技术最先进、产能最高的10nm级DRAM晶圆厂,SK Hynix在国内市场的份额将从35%提升到45%。

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  • 继中国之后,欧盟也调查三星海力士美光内存垄断了

    孟宪瑞 发布于2019-04-15 15:21 / 关键字: 内存, 反垄断,三星, SK hynix, 美光, 欧盟

    从2016年下半年开始,全球DRAM内存及NAND闪存开始涨价,业内厂商给出的原因是供需失衡,缺货导致了涨价,特别是内存,涨价硬是一直持续到了2018年底。从去年Q4季度到现在,内存价格倒是连跌了两个季度,导致三星、美光、SK Hynix三家主要的DRAM内存芯片供应商盈利暴跌。对这三大内存巨头来说,麻烦的可能不止内存降价,去年底中国启动了内存行业的反垄断调查,三家厂商都接受了监管机构问询,现在欧盟也找上门来了,欧盟委员会也要调查三大内存厂商是否存在垄断行为,2010年欧盟已经针对内存价格垄断一事开出了巨额罚单。

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  • SK Hynix千亿美元投资建存储芯片工厂:保持对中国领先

    孟宪瑞 发布于2019-02-22 10:00 / 关键字: SK Hynix, 存储芯片, 中国, 内存, 晶圆厂

    去年Q4季度开始,连涨了两年多的DRAM内存芯片也开始跌价了,再加上一直在降价的NAND闪存,导致SK Hynix公司2018年Q4季度运营利润环比下跌32%,净利润也环比跌了28%,不过内存及闪存芯片依然是全球半导体芯片市场中产值最大的,韩国厂商占据了全球过半份额,并不会因为降价周期就停止投资。SK Hynix公司未来还会再投资55万亿韩元(约合490亿美元)建造两座存储芯片工厂,加上近年来落成的两座晶圆厂,10年内投资高达1070亿美元,目的是为了保持对中国厂商的领先,不久后中国厂商也会加入到内存及闪存行业的激烈竞争中来。

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