厦门联芯是厦门市政府、UMC联电及福建电子资讯集团合资成立的晶圆代工厂，去年在厦门兴建12英寸晶圆厂，总投资高达62亿美元，去年底已经完成项目建设，初期产能为每月6000片晶圆，2021年时会达到每月5万片晶圆产能。

厦门联芯的技术来源主要是UMC，后者要遵守台湾地区的规定，只能在大陆生产落后一代的半导体工艺，由于UMC今年已经开始量产14nm FinFET工艺，所以他们目前的28nm工艺可以授权给大陆公司了。根据报道，联芯的28nm工艺授权费为2亿美元，不过联芯也是UMC公司的子公司，这笔钱虽然给他们带来了现金流，但并不能算盈利。

联芯电子虽然付出了授权费，不过好处是能获得UMC完整的28nm工艺，初期良率就达到了94%，这比竞争对手中芯国际在28nm工艺上经历的波折要少很多，预计今年就能带来5-10%的营收，而中芯国际虽然去年底量产了28nm，但是占据的营收不过5%。关于国内半导体工艺的技术进展，感兴趣的读者可以加小超哥（id：9501417）微信。

与中芯国际相比，联芯电子还有一个优势，那就是量产的28nm HKMG工艺比中芯国际更快，后者目前量产的28nm还是Ploy/SiON技术的。

与TSMC、三星等公司相比，国内的28nm工艺虽然落后至少两代，但是28nm工艺是长期工艺，不论是移动芯片还是IoT等市场都会继续使用28nm工艺，国内市场潜力依然很大，而且28nm现在依然是TSMC、UMC代工的主力之一。

我们之前断断续续报道过很多半导体工艺进展的新闻，有些读者可能还记得今年Intel、三星及TSMC都会量产10nm工艺，但是大家也要知道的是先进工艺并不是晶圆代工的全部，虽然高端市场会被20nm以下的高先进工艺占据，可是40nm、28nm工艺并不会彻底退出市场，相反28nm工艺直到现在依然是TSMC公司的主力，Q1季度占据了25%的营收比例，而16/20nm先进工艺占比才31%。

大陆在晶圆代工工艺上要落后国际先进水平两三代，目前国内能量产的最先进工艺还是28nm。来自Digitimes报道称中芯国际预计2017年营收增长20%，主要原因就是其28nm占比进一步提高，2015年28nm工艺只带来0.3%的营收，去年底这一比例提升到3.5%，而2017年预计会提升到10%左右。

中芯国际目前量产的28nm工艺还是简单的PolySiON技术，高性能版的28nm HKMG工艺在将2017年中扮演重要角色。根据中芯国际之前的说法，该公司正在努力提升28nm HKMG工艺的量产能力，主要客户包括博通、华为海思等。

2016年中芯国际在全球28nm代工市场中所占份额不足1%，TSMC台积电占据66.7%的份额，GlobalFoundries占据了16.1%份额，UMC台联电占据8.4%份额。

值得一提的是，原文提到TSMC在上海新建了12英寸晶圆厂，预计2018年量产14nm工艺处理器。

中芯国际的14nm工艺来源于比利时微电子中心、华为、高通等公司2015年达成的合作协议，四方合作的公司将由中芯国际控股。去年10月份中芯国际也宣布了在上海投资675亿人民币新建晶圆厂，重点就是14nm工艺，未来还会升级到10nm、7nm等工艺。

中芯国际是国内最先进的半导体代工厂，2016年营收29亿美元，同比增长30%，不过与全球晶圆代工一哥TSMC台积电差距还是相当大的，后者去年营收约为300亿美元，半导体工艺更是领先——TSMC早就量产16nm FinFET工艺了，今年还会量产10nm工艺，SIMC目前最先进的工艺还是28nm，主力工艺还是40nm、55nm等。

2015年比利时国王访华时，中比双方签署了一系列合作协议，其中一条就是中芯国际、华为、高通与比利时微电子中心IMEC合作研发14nm FinFET工艺，预计会在2020年之前达成《国家集成电路产业发展推进纲要》提出的16/14纳米工艺实现规模量产的目标。

中芯国际从28nm直接进入14nm，跳过了20nm节点，未来也很有可能跳过10nm节点，直接进入7nm节点。该公司CEO邱慈云博士日前对外表态称今年晚些时候会投入R&D研发资金开发7nm工艺，他还提到近年来中芯国际加大了研发投入力度，R&D投资占据公司12-13%的营收，2016年资本支出也创纪录地达到了27亿美元。

邱博士并没有提到国内7nm工艺的具体情况，目前看来只是开始投入研发资金，这一点上要比Intel、三星GF、TSMC早几年就研发7nm工艺要晚得多，不过他们依然是全球第五家表态研发7nm工艺的半导体公司，随着制程工艺越来越先进，全球有能力研发新工艺的晶圆厂越来越少。

按照正常的路线图走，Intel的10nm工艺其实应该在2016年就量产了，但现在推迟到了2017年下半年，这是Intel官方对外承诺的时间，今年的CES展会期间Inel CEO科再奇还展示基于Cannonlake处理器的笔记本产品，不过正式出货要等到今年底，之前有确切的消息称是12月份才会上市。另外就算上市了，10nm工艺初期也只是给移动产品准备的，桌面的还要等等，毕竟下半年还有个8代Core处理器发布。

但是今年底发布的时间也不一定能保得住，因为现在传出10nm工艺的良率存在问题。美国巴伦周刊网站援引BlueFin Research分析师Steve Mullane的报告称Intel的10nm工艺有可能面临新的延期，不过好的方面是现有工艺的产品生产状况比华尔街预期的要好些。

他这周参加了SPIE工程师学会有关“高级光刻工艺”的讨论会，了解到了Intel 10nm工艺的一些新进展。Intel将在以色列的Fab 28工厂生产10nm产品，预计今年下半年正式量产。不过10nm工艺的工艺记录（process of record，简称POR）还没有最终完成，Fab 28工厂的10nm生产设备安装还在计划中。

跟他所听到的消息，Intel依然挣扎在HMV大规模制造中的10nm工艺的缺陷/良率问题上，还没有最终锁定10nm工艺的POR工艺记录时间。

虽然Fab 28工厂的10nm工艺依然预期在2017年下半年问世，但可能延期2-3个月的问题依然让人很关注。

不过好的一方面是Intel现有工艺的产品生产还不错，与华尔街预期的要好。22nm工艺在2017年之后依然不会淘汰，爱尔兰的Fab 24工厂14nm产能满转，Fab 32工厂在6月份季度预计会继续提升14nm产能。

PS：话说回来，在10nm节点上虽然Intel比起放嘴炮的三星、TSMC量产时间更晚一些，不过这三家公司的10nm工艺都存在良率问题，三星为高通代工的骁龙835上市时间也比之前预计的要晚些（今年国产旗舰手机要更加期货了），三星都推迟了Galaxy S8的发布时间了。TMSC的10nm工艺虽然已经有联发科Helio X30发布了，但联发科自己也承认量产时间比预期晚些，现在Intel的10nm工艺又被爆出良率问题，可能还会继续延期。

联电CEO颜博文昨日对外界表示该公司的14nm工艺已经成功进入客户芯片量产阶段，出货给客户的晶圆良率达到了业界竞争水平。算上之前的Intel、三星以及GF公司，联电是第四个量产14nm FinFET工艺的代工公司了。

根据联电公司资料，他们的14nm FinFET工艺技术水平达到业界标准，性能比28nm工艺快55%，功耗减少约50%，晶体管密度则达到两倍。

联电在台湾南科12厂开始量产14nm工艺之后还有个好处，那就是可以把28nm产能转移到大陆合资的联芯公司中以便争取大陆市场的订单。由于对岸政府对半导体公司赴大陆投资有限制——技术水平必须落后台湾本土至少一代，由于联电跳过了20nm工艺节点，所以14nm量产之后就可以把上一代的28nm产能转向大陆工厂了。

28nm工艺虽然两三年前的工艺了，不过这代工艺会很长寿，目前在移动处理器上高通、联发科依然有许多产品使用28nm工艺，大陆市场需求依然很高，联电现在可以把28nm产能转移到厦门地区合资设立的联芯电子了。

联电及关联公司和舰持有联芯一半股份，联芯电子去年11月份投产，设计月产能为5万片晶圆，初期产能不到1万片晶圆/月，只要工艺还是55nm及40nm，很快就可以转移联电的28nm产能了。

这起事件的导火索是Intel花了2500万美元从高通挖过来的、现在担任高级副总裁、差不多是Intel二号人物的Murthy Renduchintala（他是印度裔，中文名字各种翻译都有，有点乱）在2017年的投资者会议上说的，他在这个PPT中谈到了Intel在制程工艺上的优势，重点就是说当友商发布10nm工艺的时候Intel已经领先（他们）三年时间了。

什么？三星、TSMC的10nm今年上半年就要量产了，Intel的10nm Cannonlake处理器要到今年底（大概12月份）才能在移动市场少量出货，2018年的主力还是14nm工艺，Intel在这种情况下还能有领先友商三年时间的自信，这下可就炸锅了，有些半导体领域的人士直接就“开喷”了，比如Simiwiki网站创始人Daniel Nenni就在论坛表示对这位高管的言论难以置信，要知道TSMC和三星已经发布10nm工艺了，而且比Intel 14nm工艺更好。

相信持此观点的不止一个，不过从另一方面来说Intel这位副总的表态也是有根源的，首先Intel在半导体工艺上领先对手两三年的表态已经不是第一次出现了，Intel早前就表示在半导体工艺上领先对上至少三年半时间，不过那都是2013年的老黄历了，当时14nm工艺还没量产呢。

其次，TSMC和三星虽然在14nm及10nm工艺上“领先”Intel量产，但是这更多地是营销上的胜利，因为追究起来，在真正重要的CPP、Fin Pitch及Metal Pitch三个栅极距指标上，前面两家的14/16nm工艺不如Intel的14nm，即便是10nm工艺也只是比Intel的14nm工艺略微好点，此前业内就质疑过TSMC和三星玩数字游戏，他们的工艺有点名不副实。

说是这么说，只是Intel在这场半导体工艺之争中确实落了下风，这也是事实，即便Intle自信工艺实力比其他两家更好，但是现在再说10nm领先友商三年的话就有点太PPT了——有人开玩笑说AMD整天PPT制敌，现在看来Intel这点也不差啊！

此前的报道中我们也解释了半导体芯片制造过程中，光刻是非常关键的一步，决定了芯片的技术水平。目前使用的是沉浸式光刻工艺，未来则是EUV（即紫外光刻）工艺。不过EUV工艺研发实在太难了，早在2006年业界就开始联合研发EUV工艺，直到10年后的今天，EUV光刻机才开始小批量生产，荷兰ASML公司日前在财报中提到去年底他们售出6台EUV光刻机，总数达到了18台，总价值超过20亿欧元。

今年半导体公司将升级到10nm节点，不过还是用不上EUV工艺，ASML表示在2018年底到2019年初的7nm工艺节点上，EUV工艺才会正式启用，那时候传统的沉浸式光刻工艺也会遭遇极限。

现在半导体公司提到的新一代制程工艺除了7nm之外，还有5nm、3nm，那么更远的未来呢？ASML公司CEO  Peter Wennink在接受采访时表示EUV工艺不仅能降低7nm、5nm的成本，他们还看的更远，可支撑未来15年，也就是考虑2030年前后的工艺了，ASML表示已经有客户在讨论未来的1.5nm工艺路线图了。

如ASML所说，EUV工艺未来也会升级，现在的EUV工艺数值孔径还是0.33，可用两三代工艺，不过去年他们宣布20亿美元入股卡尔蔡司子公司SMT，双方将合作开发0.5孔径的EUV工艺，还可以再支撑两三代工艺，不过这样的EUV光刻机要等到2024年才能问世。

我们都知道半导体工艺越先进，制造出的晶体管体积越小，性能越强，功耗越低。Intel企业院士Mark Bohr在IEEE刊物上提到了他们的10nm工艺的详情，认为Intel的10nm工艺不仅远超14nm工艺，也比其他公司的10nm工艺更好，10nm工艺制造出的晶体管最小栅极间距从上代的70nm缩减到了54nm，逻辑单元可缩小46%。

先进工艺带来的技术优势固然好，但越来越高的开发成本也让很多公司却步。对于这一点，Mark Bohr也承认10nm工艺整体成本会比14nm更高，不过均摊到每个芯片上成本实际上还是降低了（但是Intel得清楚不是所有公司都有这么大产量的）

Mark Bohr如此夸赞10nm工艺，其实就是在外界强调摩尔定律未死，这是Intel过去三十多年领先业界的黄金定律，自然不会轻易放弃。

Intel科研人员说10nm处理器不仅可以提高性能，还可以降低功耗，但性能与功耗终究是要有所取舍的，Intel最近几代处理器在性能上其实变化并不大，而10nm工艺实际上被公认为低功耗工艺，并非高性能节点。Mark Bohr也表示新工艺的首要目标是降低能耗，只有这样才能在芯片中加入更多核心，或者在GPU中加入更多执行单元，进而降低整体成本。

三星的10nm工艺去年10月份就宣布量产了，TSMC也将在今年初期量产10nm工艺，不过这两家的10nm工艺栅极间距确实不如Intel优秀。至于GlobalFoundries，他们已经确定跳过10nm工艺，直奔未来的7nm工艺，不过低功耗工艺上有12nm FD-SOI工艺。

Intel在14nm节点已经出了14nm及14nm+代工艺了，而在10nm则规划了三代工艺，分为10nm、10nm +、10nm ++，就算今年推出第一代10nm工艺，整个10nm节点至少也要维持三代处理器，直到2020年之后才会升级到7nm节点。

对于半导体工艺进展，这两年业界在进入FinFET时代之后速度有所放慢，Intel的14nm工艺延期一两年，直接导致他们放弃了Tick-Tock战略。Intel最初对工艺进展的时间表还很乐观，上面这张前几年的路线图中，10nm工艺预计在2015年之后量产，但实际上是在明年下半年，延期了差不多2年，后面的7nm工艺尚未公布具体量产时间，5nm等工艺就更不用说了。

目前的情况是，包括Intel、TSMC、三星在内，他们的10nm工艺早已研发完毕，已经在准备量产。下下代的7nm工艺已经在规划中了，技术研发也差不多了，已经准备在明年开始流片。

再具体一些，TSMC公司联席CEO刘德音昨日透露了该公司的工艺路线图——2017年Q1季度正式量产，7nm工艺投产也在计划中。至于更先进的5nm工艺，目前还在积极规划，而3nm工艺也组建了300-400人的团队在攻关了。

如果没记错的话，这应该是首次有半导体公司提到3nm工艺进展，此前见诸报道中最多提到5nm工艺，3nm工艺鲜有人提及——话说连厂商现在也不能保证3nm工艺到底何时推出吧，从5nm进展来看，小编估计至少是2025-2030年的事了。

GlobalFoundries此前在工艺研发上一直磕磕绊绊，FinFET工艺节点狠心放弃了自研的14nm-XM工艺，直接使用了三星的14nm FinFET授权，今年已经正式量产，为AMD代工了Polaris显卡，未来还会有Zen架构处理器，总算是稳定下来了，双方对彼此的合作还挺满意的，前不久才签署了未来五年的晶圆供货协议。

14/16nm工艺之后是10nm节点，TSMC及三星都争着在今年底或者明年初推出10nm代工服务，Intel明年下半年量产10nm工艺，但GlobalFoundries决定跳过10nm节点，原因我们之前也分析过——相对来说，10nm工艺被认为是14/16nm工艺的优化版，跟20nm工艺那样偏向低功耗，属于过渡节点，而GlobalFoundries自己也经不起折腾，索性跳过这一节点，直接杀向未来高性能的7nm节点。

问题是GlobalFoundries的7nm何时问世，毕竟TSMC和三星在7nm节点上也进展很快，双方都抢着在2018年推出新工艺，TSMC更是自信满满，认为自家7nm工艺在性能、功耗及核心面积上都要超过友商。现在GlobalFoundries官方总算透露了一点口风，表示将在纽约州的萨拉托加Fab 8工厂研发7nm工艺，预计2018年风险试产。

GlobalFoundries还公布了7nm工艺的具体性能——与目前的16/14nm FinFET工艺相比，7nm工艺将带来两倍的晶体管密度提升，性能提升30%或者功耗降低60%。此外，GlobalFoundries表示7nm工艺可以再利用相当多的14nm半导体制造设备，还会继续使用目前的光刻机，不过保留未来使用EUV光刻机的能力——EUV工艺预计会在5nm节点正式启用。

虽然2018年早些时候才会试产，不过2017年下半年客户就能开始产品设计了，这进度还是挺快的，只不过最终产品问世还要等很久，流片成功之后通常也会有一年半载时间才能上市，也就是2019年才有可能看到7nm产品。

值得注意的是，GlobalFoundries已经跟领先的客户在Fab 8工厂合作7nm芯片原型了——虽然他们没公布是谁，但能跟GF合作最亲密的就是AMD了，早前也有消息爆料称AMD在准备7nm工艺的下一代服务器芯片，代号“星河舰队”（starship），48核96线程，比目前的Naples那不勒斯更强大。

对于半导体工艺，目前主流的选择是从2D晶体管走向3D晶体管，也就是FinFET鳍式晶体管，Intel最为领先，从22nm节点就开始用FinFET工艺了，详情可以参考我们之前的Core i7-3770K处理器首发评测内容。现在TSMC、三星及GlobalFoundries的16nm、14nm也使用FinFET技术了，未来也会继续坚持下去。

之前了解过AMD处理器的玩家可能知道，AMD处理器在半导体工艺上虽然一直落后Intel，但却有独特的技术——SOI（绝缘体上硅），这是跟蓝色巨人IBM合作的，有个说法认为SOI技术可将制程工艺提升半代水平，可见其性能之优秀。

不过AMD从32nm工艺之后就放弃了SOI工艺，但GlobalFoundries一直有SOI工厂（尽管制程已经落后），后来还收购了IBM的晶圆厂，后者的Power 8处理器就是SOI工艺生产的，前不久发布的Power 9处理器依然会使用10nm级别SOI工艺生产，所以不论从哪方面来看，GlobalFoundries都不能跟SOI工艺说再见。

去年中GlobalFoundries宣布将向外界提供22nm FD-SOI（全耗尽型SOI工艺，简称22FDX）工艺代工，虽然22nm线宽听上去比目前16/14nm工艺要落后，但GF表示其22FDX工艺能提供22nm FinFET工艺级别的性能、功耗，但制造成本与28nm工艺相当，适用于IoT物联网、主流移动芯片、RF射频及网络芯片等。

日前GlobalFoundries公司又宣布了FD-SOI工艺的另一个进展——他们正在开发12nm FD-SOI工艺（简称12FDXTM），它是22nm FD-SOI工艺的后续，性能相当于10nm FinFET工艺，但功耗低得多，而制造成本比16nm FinFET工艺还要低。

根据官方消息，12FDXTM工艺将提供业界最宽泛的动态电压，通过软件控制晶体管能力可带来无与伦比的设计弹性，在需要时提供最高性能，静态时则会具备更高能效。

由于上述优点，12FDXTM工艺适合各种移动芯片、5G、RF射频、嵌入式存储及汽车电子芯片等。GlobalFoundries正在德国德累斯顿Fab 1晶圆厂推进12FDXTM工艺研发，预计2019年上半年有客户芯片流片。

值得注意的是，GlobalFoundries拉来为12nm FD-SOI工艺展台的公司和单位有中科院上海微电子研究所所长Xi Wang博士、NXP半导体、VeriSilicon半导体、CEA Tech及Soitec等。

GlobalFoundries公布12nm FD-SOI工艺之后，这也能解释他们为什么放弃10nm FinFET工艺了，因为已经有了性能类似的12nm SOI工艺了，但是GlobalFoundries的SOI工艺客户主要是低功耗芯片厂商，并没有见到AMD的身影，但AMD也不可能一直用14nm撑到2020年甚至更久之后的7nm工艺，前不久他们与GlobalFoundries的晶圆供货协议中有提到AMD有权选择其他代工厂，并将为此支付GlobalFoundries一笔费用。

从14nm节点开始，Intel升级新工艺的脚步就慢下来了，既有市场原因，也有技术原因，Intel也随之调整了产品策略，在Tick-Tock之外又增加了一个“优化版”，架构、工艺没变，但性能、功耗有所优化，今年的Kaby Lake就是这样的优化处理器，它与200系芯片组在技术上相对目前的Skylake与100系芯片组没多大变化，提升性能主要靠频率增加。

按照之前泄露的消息，2017-2019年的处理器还有：

2017年：Cannonlake架构，10nm工艺2018年：Icelake架构，10nm工艺2019年：Tigerlake架构，10nm工艺

不过2018年14nm依然不会退市，Intel不知怎么又搞出了“咖啡湖”（Coffee Lake）处理器，这样14nm工艺就要战四代了。到了2020年，这应该是7nm工艺开始量产了，但是最新消息显示2020年Intel的7nm还有可能没准备好，可能要到2021年才有机会。

还有一点要注意的是，即便是到了7nm工艺，Intel对EUV工艺依然持保守看法，不会像三星、TSMC那样使用EUV工艺，估计是留给未来的5nm工艺发大招。

至于AMD和好基友GlobalFoundries，他们就没这么麻烦了，因为直接跳过10nm工艺，直接杀向7nm工艺，不过GlobalFoundries的7nm工艺也没有明确的时间表，估计也是在2020年左右启用。

今年Intel还会推出Kbay Lake处理器以及配套的200系芯片组，从之前的曝光来看Kaby Lake不论规格还是性能，相比Skylake提升都不大，没多少值得期待的地方。2017年Intel已经确认会推出10nm工艺的Cannonlake处理器，只不过10nm工艺跟14nm工艺一样可能首先用于移动处理器，桌面处理器升级没这么快，而且还曝出了一个Coffee Lake（咖啡湖）处理器，2018年上市，将会出现6核版本，只不过工艺还是14nm的。

这下子估计要把大家给弄晕了，搞不清Intel在想什么，就连分析师们也有点担心Intel的开发周期变长是否会影响Intel向客户推新产品的意愿。对此Intel高管Brice Hill做了如下表态：

“就产品竞争力来说，你们现在看到的是Intel有能力继续提升我们这一代产品的性能。短时间内来说，就算我们真的延长了开发周期，我们可（在一种工艺下）发展3到4代处理器，依然能在市场上给大家带来性能提升，从性能进步的角度来说依然能带来更好的客户体验。”

注意他的说法，他说可能发展3到4代处理器，这意味着Intel官方算是承认了Coffee Lake（咖啡湖）处理器处理器的存在，也就是说2018年我们还是很可能看到14nm Coffee Lake（咖啡湖）处理器出现在市场上。

处理器性能提升主要依赖工艺及架构，如果14nm发展到第四代产品了，工艺优化的潜力估计也没多大了，那就只能指望架构优化了，不过Intel真的能如他们所说的那样即便发展3、4代产品依然能带来性能提升？笔者觉得这个有点太难了，至于你们信不信....我反正不信。

话说回来，担当AMD杀手锏的Zen处理器原本说是在今年底上市，但AMD最新路线图上显示Zen处理器得到明年才能上市，再考虑到AMD的产能及市场供应能力，估计到2018年都还是14nm工艺Zen处理器为主，Intel那时候再推14nm处理器，说起来也一点也不落后。

今年的Kaby Lake处理器使用14nm工艺已经没什么悬念了，它是Skylake架构的优化版，官方表示它会比Skylake有性能提升，但没有明确这些提升都有多少，小编的看法是别有太高期待，小幅升级版的产品而已，Intel的牙膏还没挤完。

想摆脱牙膏厂的美名，Intel还得等下一代——10nm工艺的Cannonlake处理器，按照最初的规划，Cannonlake今年就该上市了，不过种种延期之后官方的路线图显示会在明年秋季发布。考虑到各种准备时间，10nm工艺的生产工作要早得多。

根据Intel方面的消息，现在10nm工艺设备已经安装完成了，本季度开始试产，相关费用已经计入财报。预计会在2017年上半年正式量产10nm工艺，下半年发布10nm产品。

Intel在14nm工艺上耗费了太多时间，拖累了进度，而在10nm节点上，官方表示其开发时间时间比14nm提速50%。

2017年进入10nm节点的还会有TSMC及三星，按照他们早前公布的进度，这两家有可能比Intel更早量产10nm，明年上半年就说正式量产了，其中TSMC有可能会用10nm工艺代工苹果A11处理器，还有联发科的X30以及海思的麒麟970（还不确定具体型号），三星10nm工艺也会有高通骁龙830这样的大客户。

不过10nm工艺被认为是低功耗工艺而非高性能工艺，也有一些半导体公司准备跳过10nm，直接进入7nm工艺，AMD及好基友GlobalFoundries就有这样的打算，前者新一代CPU、GPU还会用14nm工艺，而NVIDIA的下一代Volta架构也还是TSMC的16nm工艺。