立案调查跟约谈的差别很大，约谈没有什么约束力，但是真要立案调查了，这三大内存芯片公司在国内就要面临极大的法律压力。彭博社今天援引美光方面的消息称中国国家市场监管部门在5月31日访问了美光中国办事处，寻求某些信息，美光公司周五在邮件中证实了此事，并表示正在跟中国官员合作。

在美光之外，国内还有报道称三星、SK Hynix被中国监管部门访问，但是这两家公司都没有公开回应此事。

有意思的是，在彭博社的报道中，美光对中国官方调查一事的描述很平淡，用词都是“到访、访问”之类，意图淡化此事，而在国内的媒体报道中说的是中国官员突袭了三星、SK Hynix及美光公司办事处，并带走了相关文件。

彭博社收集的信息显示，美光公司去年来自中国市场的营收大约占了一半，而中国一直试图提高国内芯片的自给率。

原文还提了中国中兴公司被美国制裁的消息，由于被发现向伊朗违规出售通信设备，中兴公司被美国商务部制裁，7年内被禁使用美国公司的芯片。

有意思的是，在中兴通讯被传解除美国制裁之后，高通收购NXP的审查据说很快就会获得中国审批通过，不过昨天官方表态称仍在审查高通收购NXP交易一事。

与以往不同的是，英特尔、美光之前宣布的QLC闪存首先用在了企业级市场上，P/E寿命达到了1000次，虽然比MLC闪存的3000次有所不如，但是别忘了当初TLC闪存刚问世时P/E寿命不过500次左右，所以美光、英特尔对QLC闪存的寿命还是挺有自信的，否则也不会选择企业级市场首发了。

与之相比，东芝、西数的96层堆栈QLC闪存最近也宣布出货了，不过首批客户主要是U盘、存储卡等行业的，官方也承认BiCS 4技术的闪存现在还有点问题，所以试水的市场并不是SSD硬盘，而是U盘这种对寿命要求不高的产品。

消费级市场的QLC硬盘迟早都会来的。Anandtech网站日前与英特尔有过接触，披露了英特尔在QLC闪存上的一些新动向。

在消费级市场上，英特尔下半年将推出QLC闪存的硬盘，官方没说型号，不过之前已经泄露过相关产品，首个用上QLC闪存的硬盘是660P系列，该硬盘将使用PCI-E 3.0 x2通道，容量高达2TB——2TB的容量不低，不过PCI-E 3.0 x2意味着带宽最高不过2GB/s，显示660P系列的性能不会多好。

在企业级市场上，英特尔还在开发容量高达20TB的2.5寸QLC硬盘，容量非常大，不过厚度可能达到15mm，类似U.2 NVMe硬盘那样。该硬盘可能定位在英特尔SSD DC P4510 TLC硬盘之下，后者目前的容量可达8TB。

目前英特尔的3D NAND闪存已经转向中国大连的Fab 68工艺生产，该工厂即将完成扩产，产能将增加75%。英特尔、美光合作的犹他州Fab 2工厂已经不再生产3D NAND闪存，完全转向3D XPoint闪存生产。随着美光公司转向CTP结构的3D NAND闪存，美光、英特尔的合作关系将在96层闪存之后结束，双方合资的IMF公司在3D XPoing时代可能会改名。

在NAND技术上，2D NAND闪存厂商使用浮栅极（Floating Gate）技术的还很多，不过转向3D NAND时代，从三星V-NAND闪存开始普遍转向了电荷捕获（Charge trap）技术，只有美光、英特尔还在坚持使用浮栅极技术。

这两种技术各有优缺点，三星早前在V-NAND宣传中提到CTP技术可靠性更高、P/E耗能更低、写入性能更好等等，但是这种技术也有成本高等问题，早前美光认为CTP技术可靠性并不好，如果六个月后不使用，NAND可能自己就擦除数据了。(注：三星早期的3D NAND遭遇过掉速问题，大概也与此有关）

不过3D NAND时代，NAND转向CTP技术已经是大势所趋，浓眉大眼的美光也不再坚持浮栅极技术了，在96层堆栈闪存之后技术路线也会转变，但英特尔没有这么做，这件事也被传成为双方分手的原因。

美光、英特尔的分手还有至少一年时间才能完成，不过3D NAND闪存之后，双方还会在3D XPoint闪存上技术合作，美光在前几日的财报会议上提到会为3D XPoint闪存使用单独的工厂，而英特尔之前也将中国大连的晶圆厂改建为闪存厂，主产3D NAND闪存，3D XPoint闪存未来也有可能在这里生产。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前报道称中国商务部反垄断调查局5月24日与美光代表举行了会议，对过去几个季度中内存芯片价格持续上涨表示担忧，涨价导致中PC OEM公司面临很大的零部件压力。除了涨价事宜之外，原文还提到美光公司涉嫌不正当竞争，此前曾干扰上游供应商向中国福建晋华集团提供设备——福建晋华是国内自主发展DRAM产业的重要力量之一，另一大阵营则是合肥长鑫/兆易创新，长江存储主要目标是NAND闪存。

三星、SK Hynix及美光垄断了全球95%以上的内存市场份额

根据DRAMeXchange的统计，三星、SK Hynix及美光在今年Q1季度中分别占据DRAM市场44.9%、27.9%及22.6%的份额，三者合计拥有全球95%以上的市场份额，处于寡头垄断地位。

中国反垄断法规定旨在确保市场公平竞争，单一供应商不能占据主导地位，并操作价格。另一方面，内存芯片的生产周期超过8个星期，从资本支出到产能输出需要至少一年时间，供应商这才能增加芯片产能输出，因此这些供应商最有可能被“限制用于销售的产品数量”的名义被调查。

中国目前已经成为全球最大的存储芯片进口国，消费了全球20%的内存、25%的闪存芯片。近年来中国一直在积极建立国内的内存、闪存产业，但是这无法立即解决成本上涨压力，因为中国解决自主技术研发及稳定大规模生产至少需要几个季度的时间。

今年早些时候，中国发改委已经就内存涨价事件约谈过三星，目前没有证据表明约谈三星、美光两件事是有关联的，不过中国政府一直在关注DRAM内存涨价一事。

截至今年3月1日的2018年Q2财季中，美光公司营收73.51亿美元，上季度为68.03亿美元，去年同期为46.48亿美元，环比增长8%，同比大涨了58%，表现可以说是淡季不淡。

营收大涨的同时，美光的盈利也大幅增加，毛利润42.7亿美元，毛利率高达58.1%，上季度为55.1%，去年同期为36.7%。归属于美光的净利润高达33.09亿美元，上季度为26.78亿美元，去年同期只有8.94亿美元，同比大涨270%。

美光大幅盈利之后，也宣布了一系列分红、回购措施，2019财年会把至少50%的现金流派发给股东，同时会根据情况回购最多100亿美元的股票。

此外，美光对Q3财季的预测也有所提高，预计下季度营收在72-76亿美元之间，毛利率维持57-60%高位，运营利润在36-38亿美元之间。

美光如此亮眼业绩显然是NAND、DRAM涨价所致，不过美光CEO也提到了NAND闪存近来已经走低，而DRAM内存价格虽然前两个季度都在涨，但是价格已经逼近顶峰，今年会触顶。

这个集体诉讼涉及到的公司有：美光科技、美光半导体、三星电子、三星半导体、SK海力士、SK海力士美国，Hagens Berman曾在2006年赢得类似的DRAM价格诉讼，三星和海力士为此认罪并支付超过3亿美元的罚金。而现在这起集体诉讼不会向公众收取任何费用，合理的律师费用将在法院宣判结果或达成和解后由法院授予。

诉讼资料其中之一，于律师事务所网站上公开

在美光官网中我们可以看到美光现在推出的GDDR6显存均只有8Gb版本，速率分10Gb/s（1.25V），12Gb/s（1.25V），12Gb/s（1.35V），13Gb/s（1.35V）和14Gb/s（1.35V），和SK海力士有点类似，依然在容量和速度上不如三星。

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多家公司联合推出的方案可以让美光GDDR6显存应用在高性能网络系统，自动驾驶汽车，人工智能和5G网络设施等领域上，美光表示前几代GDDR显存仅用于图形市场，应用层面太过狭窄，所以美光汇集了多家公司的方案来解决这个问题，使他们的GDDR6显存应用范围更广，不过这样做产能可不可以满足市场需求就有待观察了。

目前双方已经宣布在今年2018年会继续第三代96层3D NAND的共同开发与生产，这一切会持续到2019年初，过了这个技术节点之后双方会独立开发3D NAND，以便为他们的自己的业务需求更好地优化技术和产品。

美光和Intel预计未来的各个节点他们各自的3D NAND技术发展节奏不会有任何变化，目前已经推出的第二代64层3D NAND和即将推出的第三代96层3D NAND也不会有变化。

其实分手的苗头在2012年就开始冒出来了，当年Intel把多数IMFT的股份卖给了美光，只保留了犹他州Lehi的设置为共同所有，从那之后Intel和美光都建立了更多自己的生产设置，只不过研发工作依然在犹他州的这一设置共同开发，此外Intel也拒绝投资16nm NAND这个项目，所有只有美光一家在负载生产16nm平面闪存，而Intel则直接跳过它进入到3D NAND时代。

至于这两家公司分手的原因，应该是两家公司的闪存产品面向的市场有很大的不同，Intel自己就是一个很大的SSD供应商，自己的产品需要消耗大量的NAND闪存，而美光则是想把闪存卖给更多的客户，除了各个SSD厂商之外还想卖给手机厂商。

这两家公司即使在3D NAND业务上分手后也会继续在犹他州Lehi的合资工厂继续开发和制造3D XPoint，这次分手并不会影响3D XPoint的共同开发和制造。临近过年了，估计很多人想买新一波装备啦，想要各类硬件推荐的请找小超哥（微信9501417），也可以让小超哥拉你进去超能群与其他网友一起聊哦~

总的来说美光2018年第一财政季度有4个亮点：

·收入达到68亿美元，比去年同期增长71%·GAAP净收入达26.8亿美元，每股摊薄收益2.19美元·非GAAP标准净收入29.9亿美元，每股摊薄收益美元·经营现金流36.4亿美元，比去年同期高220%

美光2018年第一财政季度收入较2017年第四季度上涨了11%，这是由于移动，服务器和SSD存储产品的需求增加所致，而2018年第一财政季度的毛利率为55.1%，高于2017年第四季度的50.7%。

前阵子三星也因为存储业务的良好表现使股价上涨，美光也同样不例外，2016年年底（美光的2017年第一财政季度）时存储产品的价格还没有像现在这样炒起来，那时候美光的商品销售成本和现在一样维持在30亿的水平，但GAAP净收入只有1.8亿美元，现在的美光跟三星一样都靠着存储业务使利润大涨。

DRAMeXchange还预测，明年全球DRAM需求增幅大概在20.6%，因此供不应求的大趋势还将持续下去，服务器和数据中心内存容量需求将在2018年推动整体DRAM需求。三星和SK海力士新建的圆晶厂可以缓解DRAM供应紧张的问题，但直到2019年才能进行量产，因为新建12英寸圆晶厂需要至少一年时间，安装设备和调试运行又要额外的时间。三大供应商各自圆晶产量在2018年仅增长5%到7%，提升动力主要来自重新分配现有产线和升级制造过程。

三星每月圆晶产量达到39万片，对于三星来说现在只能依靠其中两条产线扩大产能，因此三星计划在韩国平泽市新建第二个12英寸圆晶厂，提升DRAM产能。

SK海力士也面临订单积压的问题，在生产规划问题上，SK海力士已经将M10圆晶厂一部分产能用于代工，因为设备过于老旧，如果SK海力士厂商将DRAM工艺提升到18nm，圆晶的良品率会更低，所以将M10圆晶厂用于代工别的产品更具经济意义。

而SK海力士的M14圆晶厂预计在2017年年底实现每月8万片的产能，SK海力士已经决定在中国无锡新建一个新的12英寸圆晶厂，这是SK海力士在无锡的第二家工厂，预计在2019年投入运行。

那美光呢？调查显示美光在日本广岛和台湾（Micron Technology Taiwan）所拥有的工厂产能达到饱和状态，只有台湾（Micro Memory Taiwan）的A2工厂有60%到70%的扩产能力，转换成实际数字可达3万到4万片圆晶。虽然美光现在的产能有限，但美光却没公布任何新建圆晶厂的计划。

在2017年美光第三财政季度（截止至2017年5月）公司销售额为57.7亿美元，净利润16.5亿美元，而在2016年第四财政季度（截止至2016年8月），美光曾一度陷入亏损1.7亿美元的困境。SK海力士的情况也类似美光，在今年第二季度SK海力士销售额59.4亿美元，净利润21.9亿美元，同比增长37%，而一年前SK海力士的销售额只有33.9亿美元，净利润2.46亿美元。

在以前，当DRAM供应十分紧张时，部分DRAM厂商就会提升DRAM的产量来平衡市场。当时有不止6家DRAM供应商，可以用6个月的时间来建造新厂，两年内就可以全速生产DRAM。但是如果只剩下3家DRAM供应商会发生什么事？

美光表示在近期内不打算增加DRAM圆晶产能，相反他们要提升工艺，通过缩小die尺寸来生产更多的DRAM，最终圆晶的良品率会提升，以此直接提升产量。而SK海力士在其第二季度金融分析电话会议上表示计划增加DRAM圆晶的产量，三星的生产计划中就不打算提升其DRAM圆晶容量。

三星和美光在一段时间内都会持观望态度，但IC Insighes认为三星和美光最终都会提高DRAM的产量以此保住属于自己的市场份额。现在买内存肯定不太合适，但是关于其他装机问题小超哥（weixn：9501417）倒是可以为你解答~~~

BX系列是美光面向入门级的SATA SSD，最早的BX100用了自家16nm MLC闪存，但到BX200却顺应大潮流换用了16nm TLC闪存，现在BX300又用回了MLC闪存，为美光自家的256Gbit 32叠层3D MLC闪存 ，这是美光自MX300（384Gbit 32叠层3D TLC）之后，再次有采用3D NAND的消费级SSD。

虽然美光一时一个样真让大家“估你唔到”了，但这对于消费者来说是个好事。新SSD的主控依然来自慧荣，型号升级到SM2258，其中480GB有512MB缓存，更少容量的版本为256MB，都支持SLC缓存模式。

BX300标称的持续读写速度达到555MB/s、510MB/s，随机读写最高为95000、90000 IOPS。外媒Anandtech实测BX300的性能确实不俗，达到了目前SATA SSD的一流水平，可比肩三星850 EVO/PRO、Intel 545s。

耐久性能上，换回MLC的BX300要比BX200有提升，最高可以达到160TB，但120GB版只有55TB。售价方面，480GB的BX300 SSD为149.99美元（约合人民币989元），240GB为89.99美元（约合人民币593元），120GB为59.99美元（约合人民币396元），国外已经开卖。