目前DRAM内存及NAND闪存两个存储芯片中，闪存单价下跌，但是出货量还在大涨，而内存则是量价齐涨，所以存储芯片厂商的日子远没有到难过的时候。赚到钱的厂商也在加大资本支出，扩大产能以抢占未来的市场空间。来自WSJ的消息称，美光过去三个季度中资本支出已经达到了69亿美元，这还不包括制基础设施合作伙伴的贡献，这个支出水平比美光过去的一整个财年都要多。

截至本周五的财年中美光资本支出为80亿美元，比上一年增长69%，这还没有算入美光刚刚宣布的12年投资计划——美光计划在2030年前投资30亿美元升级弗吉尼亚州的晶圆厂，这笔资金将用于扩建当地约10万平方米的“洁净室”，该工厂现有1500名员工，扩建之后将增加1100名工程师及技术人员永久岗位。

在资本支出方面，美光的投资还算小的，美光的竞争对手三星在过去一年中资本支出翻倍，达到了440亿美元，英特尔公司的资本支出也增加了27%，达到了150亿美元，不过这家芯片巨头在2019年底之前不会推出最新的10nm工艺。

美光扩大资本支出也跟美光的现金流大增有关，在过去的五个季度中美光的营收创造了记录，今年的自由现金流将增加三倍到100亿美元，因此美光在投资方面不需要吝啬，无论如何都要追赶竞争对手。

在过去的五年中，美光的资本支出占到了营收的26%，该公司CEO Sanjay Mehrotra表示他们正在努力达到资本支出占比不超过30%的业界标准水平，因此投资者应该预期会有更多的资本支出计划。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前公布了2018年Q2季度全球DRAM内存芯片市场报告，当季营收达到了236.91亿美元，相比Q1季度的230.76亿美元增长了11.3%，创造了新的营收记录。

Q2季度中，DRAM芯片平均涨价3%左右，而显卡所用的图形显存涨幅达到了15%，DRAMeXchange表示这主要是Q2季度中挖矿显卡需求升温所致。

至于Q3季度，7月份各大公司的合约价已经谈判差不多了，一线大厂的均价约为34.5美元，Q3季度的合约价涨幅约为1.5%，而PC内存的涨幅在Q3季度将大幅放缓。从Q3季度的情况来看，各大厂商在下半年将提高产能，DRAM内存的需求增长相当有限，DRAM颗粒价格继续高涨的基础并不存在，预计Q4季度就是DRAM内存的价格巅峰了。

具体来看下各大厂商的排名，三星依然是市场NO.1，Q2季度中营收112.07亿美元，环比增长8.2%，市场份额43.6%。

SK Hynix公司Q2季度营收75.85亿美元，环比大涨了19.5%，市场份额29.9%。

第三位的是美光，而且涨价幅度是三大厂商中最高的，不过因为之前的工厂氮气问题，导致美光Q2季度出货位元容量与Q1季度持平，营收环比增长6.3%到55.41亿美元，市场份额21.6%。

在这三大厂商中，三星的价格涨幅是最低的，但这主要是Q1季度三星DRAM颗粒的价格基数就已经很高，还有一个影响因素就是中国监管部门已对几大公司展开了反垄断调查，给了三星一些压力。此外，三星最新的1Y nm工艺DRAM颗粒还在客户验证阶段，因此Q2季度的毛利率维持在69%，跟Q1季度持平。

其他两家中，SK Hynix的毛利率从61%提升到63%，美光的毛利率也从58%提升到60%，意味着三大厂商的毛利率全面突破了60%，三星则是接近70%。

Intel和美光的合作开发NAND历史非常悠久，早在2005年，两家联合成立一家Intel-Micron Flash Technologies公司（IMFT），专门就是制造NAND闪存。直到2015年搞了个大新闻，研发出全新的的3D XPoint技术闪存，当初宣传的可是闪存速度及耐用性是目前NAND闪存的1000倍，容量密度则是NAND闪存的10倍。但这只是理论或者终极目标，目前依然达不到这样的超高指标。

尽管Intel的Optane产品在家用、服务器上大放异彩，而同伴的美光QuantX迟迟未见量产，两者之间可能产生了应用领域、技术分歧，这个早在今年初就初见端倪。

不过Intel新闻稿说两者继续通力合作完成第二代3D XPoint技术开发，最终将会在2019年上半年完成并开始推出市场。但之后两家就会分道扬镳，各自开发基于3D XPoint技术的第三代产品，而之前两家在犹他州合资投建的IMFT工厂将会专注于生产3D XPoint技术产品。

两者彻底分家以后，美光在3D XPoint技术产品上很可能处于劣势地位，毕竟Intel早早已经开卖Optane产品，既有Optane加速内存、M.2 SSD、PCI-e SSD，而内存产品也差不多可以推出市场，但由于3D XPoint颗粒生产成本高，产品都非常昂贵，暂时不太适合在消费级市场推广，因此用在服务器上也是Intel所期望的，这就会对专注于服务器市场的美光QuantX产品造成冲击。况且后者迟迟拿不出产品，这段真空期很容易就会被Intel所占领，后续形势更为严峻。

尽管福州法院的判决不是最终的，但“销售禁令”依然具有威慑作用，要求美光半导体立即停止销售、进口十余款Crucial 英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片。目前京东商城、淘宝均已经搜索不到这部分美光产品出售，已经处于下架状态。

可能大家经历过中兴禁令事件后，看到禁令两个字就觉得事态严重。但美光回应事件，表示中国虽然是最大的销售市场，但涉及禁令的产品仅占营收的1%左右，影响并不大。

同时美光法律事务总顾问Joel Poppen表示中国法院的裁决是不公平的，自己根本没有辩护的余地，况且美光产品并没有侵犯其中的专利。因此会继续寻求侵权辩护的权利，也不会影响到现在与客户、合作伙伴的合作。

其实本次事件折射的就是今后中国高新技术发展后的一个常态，根据中国政府在2015年宣布的制造强国战略行动纲领“中国制造2025”，目标就是要用10年时间，在10大产业发展中坚力量  ，以此迈入制造强国的行列。而这10大行业已经涵盖了如今全球制造领域中的高新科技，其中有目标就是将基本核心部件和重要基础材料供应商的国内市场份额提高到70%，2025年底前中国市场上40%的手机芯片由中国生产，70%的工业机器人和80%的可再生能源设备由中国生产。

而中国一方面利用欧美市场经济的开放，通过并购欧美企业、挖角高精尖技术人才来获得技术进步（美光就是被联电挖角过），另一方面使用歧视性政策让外企陷入竞争劣势之中。

因此中国与欧美的贸易摩擦就出现在这种地方，毕竟中国以政府主导的经济模式与西方市场经济模式存在巨大冲突，而中国希望借助发展高新技术，利用中国本土技术代替国外技术，或者是掌握该技术，为中国企业冲向世界做准备。往往引起欧美企业不满中国企业获得政策性优待，与西方市场经济下的公平竞争大为不同。

中国禁售的消息一公布，美光股价暴跌6%，因为大陆市场已经是美光最大的来源，占了一半的营收。不过麦格里分析师Srini Pajjuri发表了研究报告，认为这事对美光的影响有限。

首先美光产品被禁售并不是中国政府作出的公告，而是来源于台湾联华电子，他们与美光互相打起了专利战。美光公司也表态称尚未收到任何正式的禁令通知。

此外，中国市场的营收虽然占了美光公司的一半，但是与联华电子专利战中涉及的产品只占美光的极小部分。

总之，Srini Pajjuri认为基于现在有限的信息，任何对美光公司业务产生的潜在影响都是暂时的。

此外，如果真的有官方的禁令，那么此举可能会推高DRAM价格。Srini Pajjuri认为禁令虽然可能影响美光在中国市场的收入，但是因为现在供应形势已经很紧张，这也可能推高DRAM芯片价格。

美光的NAND闪存、DRAM内存颗粒占到了全球供应的12%、23%，中国的长期禁令将导致价格上涨、供应短缺，特别是DRAM内存方面。虽然三星、SK Hynix可能会填补部分市场空间，但这需要时间。正因为此，实在看不出供应紧缺对中国下半年的智能手机、PC及服务器市场有什么好处。

2017年中国进口了2600多亿美元的半导体芯片，其中存储芯片价值889亿美元，国内内存、闪存芯片几乎100%依赖进口。

国内这边至少有两大阵营投入内存研发，一个是合肥长鑫/兆易创新，另一个就是福建晋华/联电，自从大陆公司决定发展内存之后，内存专利、人才就是一个重要考验，国际巨头与国内公司打专利战是意料中的，不过第一轮专利战是发生在联电与美光之间。

美光指责联电挖人、侵犯美光专利权（美光在台湾有华亚科子公司），双方对簿公堂，联电也在国内反诉美光侵权。昨天福州法院就关于美光半导体销售(上海)有限公司等先行停止侵犯涉案专利权作出了民事裁定书，美光在与联电专利侵权诉讼期间，美光必须立即停止在中国大陆销售及制造部分DRAM、SSD硬盘产品。

具体来说，受到影响的产品主要是：

·美光半导体(西安)有限责任公司立即停止制造、销售、进口铂胜运动Ballistix铂胜台式内存DDR4 2400 8G两条装(实物商品型号：Crucial英睿达内存条BALLISTIX 16GB KIT 2 -8GB DDR4-2400 UDIMM 1.2V)及BX芯片等12项产品；

·美光半导体销售(上海)有限公司立即停止销售、进口Crucial英睿达DDR4 2400 8G笔记本内存条及C9BGM芯片等17项产品；

·厦门市思明区信通源电脑经营部立即停止销售、许诺销售Crucial英睿达DDR4-2400 8G笔记本内存条及C9BGM内存芯片。

目前福州法院的判决并不代表联电最终胜诉，案件审理期间发布的商品禁令只是操作手段，类似美国FTC委员会调查期间发布的商品禁令一样，双方的法律侵权诉讼还在审理中。

不过目前的局面对美光来说显然不是好消息，法院禁令一出，美光的股价暴跌了6%，根据彭博社之前的统计，美光50%的存储芯片营收源于中国市场。

美光5月底才发布了2018财年Q2季度财报，营收大涨58%、净利大涨270%，今天发布了截至2018年5月31日的Q3财报，当季营收77.97亿美元，上季度为73.5亿美元，去年同期55.66亿美元，同比大涨40%，环比也增长了6%。

美光Q3季度的毛利率达到60.6%，相比上季度的58.1%继续增加，去年同期则是46.9%，这使得美光当季的云盈利达到了39.5亿美元，是去年同期的两倍，而净利润也达到了38.23亿美元，上季度是33.1亿美元，去年同期是16.47亿美元，同比大涨132%，环比也增长了15%。

“得益于强劲的执行力和持续的长期需求趋势，美光公司在第三财季的财务业绩中取得了创纪录的业绩。美光公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示“我们增强了我们的竞争优势，并在几乎所有高价值产品领域增加了收入，美光创造了SSD、移动AND和汽车解决方案以及云计算/企业级、图形DRAM内存收入的新纪录。“

内存跟CPU等芯片虽然都是集成电路，生产制造过程有相似之处，不过工艺并不相同，CPU逻辑工艺今年进入到了7nm节点，但内存主流的还是20nm、18nm工艺，其中18nm就属于1X nm节点（16-19nm之间），后面的1Y nm则是14-16nm之间，1Z大概是12到14nm。再之后，美光提出的是1α及1β工艺，具体对应xx nm就不明了。

三星是第一家量产18nm工艺，也就是第一个进入1X nm节点的，遥遥领先其他公司，美光现在也开始向1X nm工艺转进，下一代的1Y nm工艺已经进入客户验证阶段了，今年下半年问世，1Z nm工艺节点在处于工艺优化阶段，1α及1β工艺则是在不同研发阶段。

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在参加伯恩斯坦年度战略决策会上回答了有关的工艺问题，在EUV光刻工艺上，他认为EUV光刻机在DRAM芯片制造上不是必须的，直到1α及1β工艺上都也不会用到它。

ASML早前分享过内存进入EUV工艺的进度表

在内存工艺上，美光认为1α及1β工艺上依然都不需要EUV光刻工艺，不过早前ASML两年前提到过内存在进入1Y nm节点时就需要考虑EUV工艺了，实际上并没有，包括三星在内的三大DRAM巨头都没有很快进入EUV节点的打算。

对显存来说，更高的速率就意味着更高的带宽，HBM显存在这方面已经远远超过了GDDR5显存，HBM 2显存的等效速率2Gbps，带宽256GB/s，AMD、NVIDIA的显卡通常会搭配2-4颗HBM 2芯片，理论带宽512GB/s到1024GB/s之间，只不过现在的频率还没有达到上限，Quadro GV100的带宽是870GB/s，AMD的RX Vega 64是484GB/s，只堆叠了2组HBM 2显存。

相比TSV工艺导致成本昂贵的HBM 2显存，GDDR6才是下一代显卡的主流显存配置，目前的速率在10-12Gbps，14Gbps及以上的还在开发中。美光目前正在研发16Gbps的GDDR6显存，在5月份的DesignCon 2018大会上，他们的一篇有关16Gbps速率的GDDR6论文获得了最佳论文大奖，详情可以参考这里。

GDDR6显存未来可实现20Gbps的速率

在这篇论文里，美光探讨了GDDR6显存实现16.5Gbps的技术，更重要的是他们还提到了20Gbps的可能性，通过绕过存储阵列而只改变I/O部分的运行模式就可以提升GDDR6频率，上图中美光就只是微幅提升了I/O部分的电压，就达到了20Gbps的速率。

目前市场上主流显卡的位宽在256bit，GDDR5显存在8Gbps频率下能带来256GB/s带宽，12Gbps的GDDR6带宽可达384GB/s，16Gbps频率下带宽512GB/s，这时候带宽可以达到2路HBM 2的带宽水平，而20Gbps下带宽则超过640GB/s，大幅超越2路HBM 2显存的带宽，接近4路HBM 2显存的水平，毕竟NVIDIA在Tesla V100显卡上的带宽也超不过如此。

如果是高端显卡的384bit位宽，搭配20Gbps频率的GDDR6，那么带宽可以增长到960GB/s，真的就可以跟HBM 2显存一较高下了。

当然，20Gbps现在还没这么容易实现，饭是一口口吃的，今年GDDR6显存的起始频率估计在10-12Gbps，未来会逐步提升。

对于内存反垄断调查，官方目前还没有发布消息，不过此前有媒体宣称中国反垄断机构派出多个工作小组，分别对三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的办公室展开“突袭调查”和现场取证，标志着中国反垄断机构正式对三家企业展开立案调查。

经济观察网日前原因三星中国区负责人的消息证实了此事，“5月31日有过现场调查，目前我们正在协助调查，”三星中国公司相关负责人告诉经济观察网记者，这位人士还表示“中国三星在接受问询当中。”

原文还援引律师的话称反垄断调查大多数都是基于举报进行的，凡是立案调查的都必须掌握初步证据，目前已经进行立案并突袭调查了，说明官方已经掌握了一定证据。

这次调查是商务部反垄断部门发起的，而在此之前，去年底中国发改委约谈了三星公司，那次就是因为有中国手机厂商因存储芯片价格上涨而举报了三星公司，经济观察网表示举报者可能不止中国手机公司，应该还有竞争对手。

在这方面，三年前高通在中国的反垄断调查也是基于中国手机公司举报才发起的，最终高通公司被发改委处以61亿人民币的罚款。

从2016年下半年到现在为止，NAND闪存、DRAM芯片涨价已经持续了两年，NAND闪存价格目前正在回落，但是DRAM芯片价格依然居高不下，而中国是全球最大的存储芯片消费市场，根据调查数据中国去年进口了价值889亿美元的存储芯片，同比增长了40%，高昂的成本已经让中国智能手机以及其他行业承受了巨大压力。

三星、SK Hynix及美光是全球主要的DRAM芯片供应商，三家占据了全球95%的份额，三星一家就占到全球的46%份额。根据原文所述，2017财年三家公司半导体业务在中国营收依次分别为253.86亿美元、89.08亿美元、103.88亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

如果依据中国《反垄断法》第四十六、第四十七、第四十九条进行处罚，他们将会被处以上一年度销售额1%-10%的罚款，且需要考虑违法行为的持续时间，因此从2016年开始计算的话，三家公司的反垄断罚款额预计在8-80亿美元之间。

立案调查跟约谈的差别很大，约谈没有什么约束力，但是真要立案调查了，这三大内存芯片公司在国内就要面临极大的法律压力。彭博社今天援引美光方面的消息称中国国家市场监管部门在5月31日访问了美光中国办事处，寻求某些信息，美光公司周五在邮件中证实了此事，并表示正在跟中国官员合作。

在美光之外，国内还有报道称三星、SK Hynix被中国监管部门访问，但是这两家公司都没有公开回应此事。

有意思的是，在彭博社的报道中，美光对中国官方调查一事的描述很平淡，用词都是“到访、访问”之类，意图淡化此事，而在国内的媒体报道中说的是中国官员突袭了三星、SK Hynix及美光公司办事处，并带走了相关文件。

彭博社收集的信息显示，美光公司去年来自中国市场的营收大约占了一半，而中国一直试图提高国内芯片的自给率。

原文还提了中国中兴公司被美国制裁的消息，由于被发现向伊朗违规出售通信设备，中兴公司被美国商务部制裁，7年内被禁使用美国公司的芯片。

有意思的是，在中兴通讯被传解除美国制裁之后，高通收购NXP的审查据说很快就会获得中国审批通过，不过昨天官方表态称仍在审查高通收购NXP交易一事。