西数公司CFO Mark Long上周也出席了花旗银行2018全球技术大会，并回答了分析师提问，其中就涉及到了西数如何看待中国厂商进入NAND领域的问题。对于这个问题，Mark Long表示他们非常关注所有的竞争对手，但有一点很清楚，NAND对技术的要求比人们想象中的更难，新进入市场的厂商需要很长时间才能获得这种能力，他们需要通过回报及工艺进展来证明这项投资的正确。

当中国厂商有能力进入这个市场时，Mark Long认为他们依然是落后的，即便中国厂商有能力提供不断增长的NAND芯片，西数在技术上依然会保持优势，同时会通过这个技术优势生产商有优势的产品。

Mark Long提到上述这些都是西数关注的领域，而中国厂商在2020年之前不太可能的对市场产生什么有意义的变化。

根据长江存储公司的规划，今年底他们将量产32层堆栈的3D NAND闪存，核心容量64GB，明年将量产64层堆栈的128Gb核心的3D NAND闪存，同时还会研发128层堆栈的3D NAND闪存。但在技术方面，西数、东芝、美光等公司今年底就要量产96层堆栈的3D NAND闪存了，核心容量提升到了1Tb到1.33Tb，长江存储的3D NAND闪存在技术上确实要落后两三年时间。

Xtacking可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，而存储单元则在另一片晶圆上被独立加工，也就是说长江存储打算在用不同的工艺在两块晶圆上生产NAND的阵列电路与NAND的逻辑电路，这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

在传统3D NAND中，外围电路会占据芯片面积的20~30%，这样降低了芯片的存储密度，堆叠层数的增加。到128层或者更高时，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上，长江存储的Xtacking技术将外围电路和存储单元安置在不同的晶圆不同的层上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。

此外Xtacking技术可以充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。此外，这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。

长江存储CEO杨士宁博士表示Xtacking技术有望把闪存的I/O速度到3.0Gbps，与DDR4的I/O速度相当，而目前世界上最快的3D NAND I/O速度也不过1.4Gbps，实际上大多数都只能达到1Gbps甚至更低，Xtacking技术对NAND行业来说是颠覆性的。

长江存储已经把Xtacking技术应用到第二代3D NAND产品的开发上，预计2019年可以进入量产阶段。

刁石京原本是国家工信部电子信息司司长，今年5月份转任紫光集团联席总裁，负责紫光集团旗下的芯片业务，除了长江存储等芯片制造业务之外，还有紫光展锐等半导体芯片设计等业务。上周末他在武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司表态称今年Q4季度紫光将量产32层堆栈的3D NAND闪存。

根据紫光公司之前的资料，长江存储的32层堆栈3D NAND闪存是该公司集合了1000多名员工、耗资10亿美元、历时2年研发成功的，这是国内存储芯片中水平最接近世界一流水平的了。但是从之前的公开资料来看，紫光的32层3D NAND闪存核心容量还是64Gb的，这跟目前256-512Gb核心容量的水平还有点距离，另外QLC闪存的核心容量已经走向1Tb以上了。

此外，刁石京还提到紫光目前正在研发64层堆栈的3D NAND闪存，预计明年量产。

对国内的存储芯片公司来说，技术积累还需要长期投入，前不久长江存储宣布了新型3D堆栈结构Xtacking，号称I/O接口速度达到了DDR4内存的水平，同时具有业界领先的存储密度，该技术将在今年8月7日的国际闪存会议FMS上公开。

我们也从长江存储方面了解到，这个Xtacking堆栈技术主要用于长江存储64层3D NAND闪存上面，不过具体的I/O接口速度做到多少将取决于市场需求。

根据长江存储发布的公告，他们研发的Xtacking结构3D NAND闪存，将具有前所未有的I/O速度，从而能够将UFS、SSD硬盘及企业级SSD等产品的性能提升到前所未有的程度。

除了高速度，Xtacking堆栈还实现了NAND与外围电路的并行处理，这种闪存开发和制造工艺的模块化将缩短新一代3D NAND闪存的上市时间，并为NAND闪存产品定制化提供了可能。

目前Xstacking闪存的具体信息还没有公布，一切还要等杨士宁在8月7日的FMS会议上发表主题演讲才能确定。

不过长江存储所说的I/O接口是指NAND闪存的接口，目前NAND闪存使用的主流接口有Toggle、ONFi，最新的Toggle 3.0接口速度可达800 MT/s，ONFi 4.0也能达到800MT/s，不过这两个接口标准在三星、美光、英特尔的3D NAND闪存上已经少有提及。

长江存储所说的Xtacking能达到DDR4内存的速度指的就是I/O接口，不过DDR4公认的初始频率就有2133MT/s，这个速度确实比ONFi、Toggle接口快得多，只不过现在这些都还是猜测，具体还要等长江存储公开。

Xtacking闪存应该是长江存储预研的新技术，目前还在申请专利，对新入NAND市场的公司来说积累技术是个艰苦但又不得不做的阶段，而长江存储目前及未来量产的3D NAND闪存似乎并没有这么先进，此前公开展示的还是32层堆栈的64Gb核心闪存，之前接到过1万片晶圆的NAND订单，但主要是用来制造8GB存储卡的，并不高端。

不过也有消息称2019年长江存储真正量产的时候，生产的3D NAND闪存将是64层堆栈的，这样一来技术水平跟三星、美光、东芝等公司将缩短到2-3年时间。

Digitimes报道称，紫光旗下的YMTC长江存储此前披露已经获得首批商业化订单，拿到了生产32层堆栈3D闪存的1万片晶圆订单，主要用于8GB SD存储卡。不过业内人士爆料称长江存储的32层3D闪存的产能只有5000片晶圆/月，产能依然很有限。

消息人士称长江存储将继续研发64层堆栈的3D闪存，计划在2018年底推出样品，该公司将在64层3D闪存研发成功之后扩大产能，2020年计划产能将达到10万片晶圆/月，等到三座晶圆厂完工时产能将扩大到每月35万到40万片晶圆。

长江存储专注于NAND闪存，福建晋华及合肥长鑫则专注于DRAM内存研发、生产，他们的目标都是明年量产。

晋华公司表示该公司与UMC台联电联合研发的第一代DRAM内存将于2018年底投入生产，不过晋华的合作方联电目前跟美光公司正在打专利战，虽然福州法院已经发布针对美光的禁售令，联电取得阶段性胜利，但是最终是否产生影响还是未知数。

最近有报道称合肥长鑫的8Gb LPDDR4芯片已经试产成功，不过该公司没有证实是否开始正式生产。

此前合肥长鑫公司公布了19nm工艺的8Gb DDR4内存芯片样品，该产品预计于2018年底上市，计划于2019年上半年正式量产。

韩国朝鲜日报报道称，三星已经将2019年在NAND闪存上的资本开支提升到90亿美元，相比今年的64亿美元投资大幅增加，这样一来仅仅是2018、2019两年的投资就高达150亿美元，这些投资主要用于扩大韩国平泽工厂以及中国西安工厂的3D NAND产能。

前几天三星又宣布量产第五代V-NAND闪存，堆栈层数超过90层，是目前堆栈层数最多的，号称领先对手两年时间，同时新一代3D NAND闪存还改进了生产效率，制造效率提升了20%。

除了第五代V-NAND闪存之外，三星还在扩展V-NAND闪存，准备推出核心容量高达1Tb的NAND闪存及QLC类型的闪存，继续推动下一代闪存发展。

三星是全球NAND闪存供应商里的老大，Q1季度份额高达37%，远高于第二大厂商东芝的20%，三星大手笔投资NAND领域以扩大产能，对其他厂商也是个压力。据报道，东芝/西数、美光、SK Hynix及英特尔都在大举投资NAND产能，今年底到明年初量产96层堆栈的3D NAND闪存。

对市场来说，三星大幅提升NAND产能可以增加NAND芯片供应，NAND产品降价是少不了的，对消费者来说还是好事，但是对长江存储等公司来说就不是好事了，以紫光为首的国内公司在2016年开始进军NAND市场，那时候NAND还是高价位，但是经过一两年的建设周期之后，NAND已经开始走向供过于求的买方市场了，NAND必然会降价，而缺少技术、产能优势的国内厂商要面临更大的压力。

与中芯国际的EUV光刻机不同，长江存储购买的ASML光刻机还是传统的193nm沉浸式光刻机，可生产14-20nm工艺的晶圆。由于闪存跟处理器工艺并不同，所以14-20nm工艺在目前的NAND闪存工艺中依然是很先进的，而且3D闪存更不依赖工艺微缩了，考验的是堆栈层数，几年前三星最早推出的3D NAND闪存还是34nm工艺的，反而是工艺越低，闪存的PE寿命、可靠性更高。

目前运抵武汉的光刻机只是第一步，长江存储未来还会购买更多的光刻机用于NAND闪存。

紫光旗下的长江存储前身是武汉新芯科技，2016年在武汉开工建设国内最大的NAND闪存生产基地，目前建设三期工程，总投资240亿美元，一期工程主要针对NAND闪存，月产能30万片晶圆，二期工程面向DRAM内存，三期工程则是为晶圆代工准备，建成之后总产能可达100万片晶圆/月。

长江存储的主体建筑工程在2017年9月提前竣工，后续开始生产设备安装，今年5月4日首批400万美元的精密仪器进场安装，现在的光刻机安装则是下一步。

国产NAND闪存预计在2018年下半年开始量产，不过长江存储目前研发的闪存才是32层堆栈64Gb核心，相比主流的64层堆栈256Gb-512Gb核心要落后两年以上，此前长江存储已经表态正在研发64层及以上堆栈的3D闪存，整个工程大规模量产要等到2019年初，所以明年真正生产的国产闪存可能会变成64层3D NAND闪存。

今年5月10日上海展览中心举办了首届中国自主品牌博览会，这次展会得到了国家发展改革委联合中宣部、工业和信息化部、农业农村部、商务部、国家市场监管总局、国家知识产权局、上海市人民政府的支持，主题为 “中国品牌、世界共享”，紫光集团代表北京市品牌企业参展。

紫光集团下的紫光展锐展示了SC9850HK芯片，号称是全国第一家、世界第二家拥有自主嵌入式CPU关键技术的手机芯片平台，是中国手机CPU芯片设计领域的一项重大突破。这款芯片是中国首款拥有自主嵌入式CPU关键技术的LTE手机芯片，其中的核心CPU为独立自主设计，并在此基础上建立独立安全机制，有效保障信息安全。

不过引人关注的是紫光的国产NAND闪存的公开展出，根据官方资料介绍，国产32层3D NAND闪存是长江存储耗资10亿美元，1000人团队研发2年出来的具备国产自主知识产权的3D NAND芯片。

关于制造工艺，紫光没有明确提到工艺信息，但表示这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

目前国产32层3D NAND闪存已经研发成功，长江存储国家存储器基地项目芯片生产机台已进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。

根据之前的报道，长江存储将在武汉投资建设三期工程，目前即将完工的是一期工程，投资240亿美元，主要生产NAND闪存，建成后产能将达30万片晶圆/月。

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长江存储的背景我们之前的文章中介绍过多次了，高启全先后担任过台湾台积电公司厂商、南亚公司副总、华亚科董事长，被称为台湾DRAM教父，2015年加盟紫光公司，现在担任紫光旗下的长江存储科技公司副总，主导长江公司发展DRAM、NAND存储芯片事业。

这次采访还是Digitimes报道的，他提到长江存储公司将在2017年出样32层NAND闪存，预计2019年有能力量产64层堆栈的3D NAND闪存。到了2020年，长江存储将缩短与三星等国际长达的技术差距到2年时间。

长江存储目前正在增强公司的专利池，他们自信在未来两三年内比一些竞争对手做的更好。

高启全指出大陆与台湾公司在存储芯片上应该合作，因为他们的最大竞争对手是韩国公司。他称台湾公司在存储芯片上也没有自己的专利技术，他们应该考虑改变这个状况。

大陆积极发展存储芯片，必须要吸引更多人才加盟，为此不惜高薪从竞争对手那里挖人，这就涉及到另一个问题了——有些员工窃取前公司机密跳槽的新公司，最近TSMC公司就报案抓了一位工程师，而美光公司最近也加大了宣传力度，将会对窃取商业机密的员工采取法律行动。

对此高启全表示指出长江存储招聘员工时要求不能携带任何机密文档及信息，他们的目标是吸收人才加盟，绝不会允许员工窃取前公司的商业机密。

PS：对于国产3D NAND闪存进展，此前长江存储公司CEO杨士宁表示工厂的设备安装会在2018年Q1季度完成，2019年进入大规模量产阶段。不过长江存储目前只完成了32层堆栈的3D NAND闪存，首先量产的也是32层的，64层堆栈的3D NAND闪存应该在研发中了，何时量产之前并没有正式表态。看高启全的表态，长江存储在2019年也会开始量产64层堆栈闪存，虽然三星等厂商今年内就会开始量产64层堆栈闪存，不过确实能把差距缩小到两年左右了。

国产NAND闪存加入少数厂商垄断的NAND领域会带来什么样的结果？考虑到紫光在武汉建设的晶圆厂产能非常大，NAND闪存未来降价是无疑的，这对三星等厂商来说是个压力。对于这个问题，大家怎么看呢？毕竟闪存降价对消费者来说是好事，大家可以小超哥（ID：9501417）微信聊聊。

高启全被称为台湾存储芯片之父，他之前担任过台湾知名DRAM芯片公司华亚科董事长及南亚总裁，去年被求贤若渴的紫光公司挖走担任全球副总，主管紫光旗下的存储芯片业务，今年1月份又担任了长江存储科技的执行副董，研发中国国产DRAM的消息就是他对外公布的。

根据Digitimes报道，长江存储已经组建了500多人的研发队伍，正在开发自己的DRAM制造技术。至于国产DRAM内存到底是什么技术水平，原文报道称很可能直接进入20/18nm工艺——如果是真的，那么这个技术水平确实很先进了，虽然三星两年前就量产20nm工艺了，不过美光、SK Hynix公司今年才会完成制程转换，而18nm目前就只有三星一家大规模量产，其他两家还在准备中。

除了自己研发之外，长江存储也欢迎国际合作，高启全称长江存储对与美光合作依然感兴趣，这会是双赢合作。长江存储将是美光最佳合作伙伴，与长江存储合作将进一步扩大美光与韩国公司的竞争力——美光公司最早就是紫光公司在存储芯片领域的合作目标，但限于美国的政策，紫光不论是收购股份还是双方投资合作都存在不确定性，现在来看紫光对美光的合作一直感兴趣，可惜美光方面是没法轻易接牌的。

根据高启全所说，长江存储2017年内将会出样32层堆栈的3D NAND闪存，此外还在开发更先进的64层堆栈产品，他指出NAND方面长江存储只比主要NAND供应商落后一代技术。

长江存储将在中国武汉、南京建设两座晶圆厂，每家晶圆厂的产能都达到了每月30万片12英寸晶圆。

高启全指出在技术成熟之前长江存储科技研发的产品并不会进入生产阶段，而且长江存储无意破坏存储市场的价格——也就是说长江存储不打算走中国厂商的老路，那就是通过价格战去抢占市场。

清华紫光持有长江存储科技51%的股份，其他股份在中国大基金、湖北集成电路投资基金及湖北科技投资基金手里。

爆料紫光、美光技术授权谈判的是日本产经新闻，他们的消息来源说是原中国集成电路大基金总经理、紫光旗下的长江存储公司副董事长丁文武。这篇报道随后被国内媒体转载，听上去其实还是很合理的，但紫光方面第一时间否认，长江存储公司做了两点声明:

·长江存储公司并未与美光或者其他公司就任何议题进行谈判。

·对于日媒报道的丁文武表态，长江存储公司与丁文武确认之后宣称从来发表过任何涉及上述内容的言论。

总之，长江存储的迅速辟谣否认了与紫光或者其他公司技术授权谈判，虽然技术授权是市场环境下最合适的，但掌握NAND技术的大多是欧美日韩公司，不说国家政策限制，但是考虑到中国公司未来会成为他们的竞争对手一事，中国公司从三星、紫光、东芝、Intel、SK Hynix等公司手中取得NAND技术授权都是不太现实的事，只能靠自己生产。

长江存储科技是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的，注册资本189亿元人民币，紫光集团董事长赵伟国担任长江存储科技有限公司董事长，丁文武担任副董事长。仅仅是武汉的存储芯片基地，预计投资就有240亿美元，另外紫光集团在深圳等地还有自己的投资项目，大约是120亿美元，先期目标都是NAND闪存，之后则是DRAM内存。

国产NAND闪存的技术来源也不能说跟欧美公司没关系，新芯科技的NAND闪存合作伙伴是飞索半导体（Spansion），预计在2017年推出32层堆栈的3D NAND闪存，应该说起点还是挺高的，直接进入3D闪存时代，虽然比起三星、东芝还有很大差距，但国产NAND已经是从无到有了，在此之前中国公司是没有NAND研发、生产能力的。

2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆厂正式动工，整个项目预计投资240亿美元，分为三期建设，现在启动的是第一期，主要目标是生产3D NAND闪存，2018年将启动第二期建设，规划是上DRAM内存芯片，2019年启动第三期建设，主要目标是代工服务，产能也会越来越大，2020年目标是30万片晶圆/月，2030年则是100万片晶圆/月。

今年7月份的时候，紫光公司收购了新芯科技公司多数股份，成立了武汉长江存储科技有限公司（简称TRST），紫光公司控股一半多，董事长赵伟国也将担任长江科技公司的董事长，这个项目就变成了紫光公司主导了——当初收购美光的梦想无法实现，收购西数硬盘的事也黄了，不过紫光现在总算可以正式进军存储芯片领域了。

Digitimes援引业界消息称，长江存储公司最快2017年底正式推出3D NAND闪存，32层堆栈结构，也就是说明年我们就有可能看到真正国产的闪存芯片了。

新芯科技现在主要生产NOR闪存，而NAND闪存比NOR闪存技术难度要高，他们的技术来源是飞索半导体（Spansion）公司。考虑到与三星、Hynix、东芝、美光、Intel等公司的技术差距，国产3D NAND闪存32层堆栈的起点不低了，这几家公司研发多年，第一代3D闪存也不过是24层堆栈，32层堆栈的还算是主流，不过等到明年的时候，48层甚至64层堆栈的3D闪存恐怕也早就问世了。

根据之前的报道，新芯科技预计2018年推出48层堆栈的3D闪存，那时候虽然还是追不上最顶级的水平，不过差距应该会缩小很多，国产3D闪存还有追赶的机会。

存储器芯片国家基地去年确定落户武汉，由武汉新芯科技公司主导，预计5年内投资240亿美元，2018年开始投产，第一阶段主攻NAND闪存，技术来源是跟飞索半导体合作的3D NAND闪存，第二阶段主攻DRAM内存，第三阶段则为供应商服务，进入代工业。

如今该项目已经紫光吞下，成立了长江存储科技公司，赵伟国担任董事长，杨士宁担任总经理，这几天科技部长万钢考察了长江存储科技公司。在陪同介绍中，赵伟国表示长江科技在武汉新芯的基础上建立，以3D NAND闪存为切入点，5年内月产能将达到30万片晶圆。

赵伟国表示2020年长江科技将进入世界存储器企业第一梯队，该项目将为中国芯片自给率贡献8%——中国的目标是到2020年芯片自给率达到40%，以此计算，长江存储一个公司就会占到20%的产能。

万刚一行还参观了无尘间，杨士宁介绍说公司生产区域已有九台国产设备，其中四台已完全投入使用，剩下五台则处于生产验证阶段。