近日，美光公布了2023财年第三财季财报，在财报电话会议上，美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra确认美光明年会选择在1ß节点上推出新款GDDR7产品，不过没有分享其中的细节，比如GDDR7的具体速率。

在图形方面，行业分析师继续预计图形的TAM复合年增长率（CAGR）将超过更广泛的市场，这得益于客户和数据中心应用的支持。我们预计客户的库存将在第三季度恢复正常。我们计划在2024年上半年在我们行业领先的1ß节点上推出我们的下一代GDDR7产品。

目前市场上销售的产品里，GDDR6最高的速率为20 Gbps（Radeon RX 7900系列），美光为英伟达GeForce RTX 40系列提供的GDDR6X最高达到22.4 Gbps（RTX 4080）。去年三星曾表示，计划推出速率达36 Gbps的GDDR7产品，不过没有提及具体的时间表。如果按照显存位宽为384位计算，36 Gbps的GDDR7可以为显卡提供1.7 TB/s的最大理论显存带宽，比现在的旗舰产品RTX 4090高出70%左右。

现有的GDDR6使用了NRZ/PAM2信号编码机制，速率从14 Gbps起步，而英伟达和美光合作共同开发的GDDR6X使用了PAM4信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。

美光预计2023财年第四财季的营收在39亿美元左右，与市场预期值基本一致，每股摊薄亏损为1.34至1.41美元。美光在2023财年第三财季的资本支出为13.8亿美元，前三个财季累计资本支出为62.15亿美元，预计整个2023财年的资本支出约为70亿美元，这意味着第四财季的资本支出规模会缩减。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra称美光在2023财年第三财季的收入、毛利率和每股收益均高于指导区间的平均值，认为存储器行业已经度过了收入的低谷期，随着行业供需平衡的逐步恢复，预计利润率将有所提升。Sanjay Mehrotra也承认，网信办对美光作出不予通过网络安全审查的结论是一个重大的“逆风险”，中国大陆和香港的收入占其全球收入的四分之一，其中一半面临风险影响。

根据统计，半导体市场2023年第一季度的收入为1205亿美元，相比2022年第四季度下降了9%。 半导体市场是有周期性的，比如在2020年第四季度至2021年第四季度期间，随着全球处于疫情阶段，市场需求增加，经过了多个季度连续上涨。

内存和MPU是重灾区，直接影响了整个半导体市场的收入。2023年第一季度MPU市场的收入为131亿美元，规模仅为2022年第一季度（200亿美元）的65%。内存市场情况更糟糕，2023年第一季度的收入为193亿美元，规模仅为2022年第一季度（436亿美元）的44%。在2023年第一季度里，内存和MPU两个细分市场的收入合计下降了19%，拖累整个半导体市场环比下降9%。

过去三个季度里，存储器市场遭遇动荡也让市场份额排名出现了变化。 一年前，按收入计算的前五家半导体公司中有三家来自内存领域，分别是三星、SK海力士和美光，现在只有三星仍排在前十名。 上一次SK海力士和美光没有进入前十名是在2008年，这说明了以内存产品为重点的半导体公司现今所面临的困境。

美光两个阶段的投资总额在8.25亿美元，并会在未来数年内创造多达5000个直接在美光工作的新岗位，另外还有15000个社区工作岗位。根据印度政府的补贴政策，美光会从印度中央政府获得项目总成本50%的财政支持，同时从古吉拉特邦获得项目总成本20%的奖励。这意味着美光自身加上政府机构的补助，总投资额将达到27.5亿美元。

美光全球封装和测试运营高级副总裁Gursharan Singh表示，该项目是美光与印度政府官员进行了长达一年多的讨论才决定的，新工厂将专注于将晶圆转化为球栅阵列（BGA）集成电路封装、存储模块和固态硬盘。

美光移动业务部副总裁兼总经理Mark Montierth表示：“美光最新的移动解决方案将我们一流的UFS 4.0技术、独有的低功耗控制器、232层NAND闪存和高度可配置的固件架构紧密结合在一起，提供了无与伦比的性能。这些技术将美光置于提供客户所需的性能和低功耗创新的最前沿，从而为旗舰智能手机提供卓越的用户体验。”

美光的UFS 4.0闪存提供了三种容量，分别为256GB、512GB和1TB，这是其首个基于232层3D TLC NAND闪存的移动解决方案，也是世界首个使用六平面NAND架构的UFS 4.0存储产品，提供了最高4300 MB/s的顺序读取速度和最高4000 MB/s的顺序写入速度。

美光表示，2023年下半年将开始批量生产UFS 4.0存储产品，为移动生态系统提供高性能移动闪存，以助力下一波5G和人工智能的创新与设备体验。

96GB DDR5-4800 RDIMM可以满足AMD第四代EPYC服务器处理器的要求，比如可用于Supermicro 8125GS，这是一个高性能计算、人工智能和深度学习培训以及工业服务器工作负载的优秀平台。

美光公司计算产品部副总裁兼总经理Praveen Vaidyanathan称，提供大容量内存解决方案，能为计算密集型工作负载提供合适的性能，而这次推出的内存模块为客户建立了一个新的优化总拥有成本的解决方案，加上与系统供应商的密切合作，可以利用各自的优势，为客户提供最新的内存技术，以解决最具挑战性的数据中心需求。

今年不少内存厂商开始提供单条容量为24GB、48GB和96GB的DDR5内存，这意味着内存容量将改变过往以2次幂递增的历史。这类产品被认为是新一代服务器和工作站的最佳选择，因为系统可以更为精确地平衡内存容量和处理器内核数量，增大内存容量的同时，还可能带来更低的成本。

首批英睿达Pro系列内存分为DDR4-3200和DDR5-5600两种规格，均配备了黑色的散热模块，没有RGB灯效，不过前者为绿色PCB，后者为黑色PCB，这与之前基本款的Classic系列是一样的。另外与之前Classic系列不同的是，Pro系列内存支持官方超频技术，DDR4产品支持Intel XMP 2.0，DDR5产品支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO，为用户带来更强的性能。

新款Pro系列DDR5-5600内存的工作电压为1.1V，时序为CL46-46-45-45，DDR4-3200内存的工作电压为1.2V，时序为CL22-22-22-22，相比于许多同类产品并不是十分突出。

美光在去年改变了消费市场的销售策略，选择将重点放在英睿达品牌上，结束了Ballistix/铂胜品牌内存的生产和销售。这并不意味着美光放弃自有品牌内存，这次推出了英睿达品牌的Pro系列内存，进一步拓展了产品线，未来可能会带来更多或更为高端的发烧级内存产品。

此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

美光是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，成立于1978年，其主要产品包括DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘和CMOS影像传感器，总公司（Micron Technology, Inc.）设于美国西北部爱达荷州的首府博伊西。

此前，网信办在2023年03月31日晚上20时30分发布公告，表示为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据国家安全及网络安全方面的法律法规，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司在华销售的产品实施网络安全审查。

不过在去年，美光改变了消费市场的销售策略，选择将重点放在英睿达品牌上，结束了Ballistix/铂胜品牌内存的生产和销售。这并不意味着美光放弃自有品牌内存，这次就推出了英睿达品牌的Pro系列内存，涵盖了DDR4和DDR5产品，进一步拓展了产品线。

首批Crucial Pro系列内存分为DDR4-3200和DDR5-5600两种规格，均配备了黑色的散热模块，没有RGB灯效，不过前者为绿色PCB，后者为黑色PCB，这与之前基本款的Classic系列是一样的。另外与Classic系列不同的是，Pro系列内存支持官方超频技术，DDR4产品支持Intel XMP 2.0，DDR5产品支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO，为用户带来更强的性能。

新款Pro系列DDR5-5600内存的工作电压为1.1V，时序为CL46-46-45-45，DDR4-3200内存的工作电压为1.2V，时序为CL22-22-22-22，相比于许多同类产品并不是十分突出。DDR5-5600款提供了32GB（2x 16GB）套装，价格为114.99美元（约合人民币596.73元）。DDR4-3200款提供了32GB（2x 16GB）和64GB（2x 32GB）套装，价格为69.99美元（约合人民币363.21元）和价格为141.99美元（约合人民币736.85元）。

官方称该产品为“世界上最快的PCIe 5.0 NVMe SSD”，采用了PCIe 5.0 x4接口和M.2 2280外形，搭载了群联电子的E26主控芯片，支持NVMe 2.0，针对高性能游戏、图片和视频编辑设计，合作伙伴还包括有AMD、英伟达和华硕。其特点如下：

连续读/写速度高达12400MB/s和11800MB/s。

接近于PCIe 4.0 SSD的2倍，比SATA快22倍

提供了容量1TB、2TB和4TB容量，更多地是针对游戏和UHD/8K+视频

与英特尔第13代酷睿和AMD Ryzen 7000系列处理器相兼容

向后兼容PCIe 3.0/4.0

采用美光232层TLC NAND闪存

提供了被动散热器，同时也会有不配备散热模块的产品销售

利用微软DirectStorage技术可减少游戏纹理的加载时间

使用TCG Opal 2.01进行了硬件加密，保证存储安全

目前市面上销售的PCIe 5.0 SSD，连续读/写速度一般在10GB/s和9.5GB/s附近，T700系列PCIe 5.0 SSD的12.4GB/s和11.8GB/s显然要更快一些。由于美光放弃了主动散热解决方案，用户不必担心运行时会产生不必要的噪音。美光称，搭配的散热器做了优化设计，挑选了针对性的材料，配有镀镍铜底板和铝制散热模块，表面是光滑的，以最大限度提高空气的流通。

美光是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，成立于1978年，其主要产品包括DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘和CMOS影像传感器，总公司（Micron Technology, Inc.）设于美国西北部爱达荷州的首府博伊西。

几天前，美光公布了2023财年第二财季财报（截至2023年3月2日），季度营收为36.9亿美元，低于分析师预期的37.1亿美元，也低于上个季度的40.9亿美元及上一财年同期的77.9亿美元，同比下降53%；净亏损为23.1亿美元，上一财年同期净利润为22.6亿美元，每股摊薄亏损为2.12美元；运营现金流为3.43亿美元，上个季度为9.43亿美元，上一财年同期为36.3亿美元。

这是美光过去二十年来最严重的季度亏损，上一次出现如此规模的季度亏损是2003财年第二财季，当时净亏损为19.4亿美元。美光预计2023财年第三财季的营收在39亿美元左右，高于市场预期的37.5亿美元，每股摊薄亏损为1.51至1.65美元，也高于分析师预期的亏损0.84美元。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，在充满挑战的市场环境中，美光第二财季的收入在美光的指导范围内，客户的库存状况正在好转，美光预计行业的供需平衡将逐步改善。美光对长期需求仍有信心，并正在审慎投资以保持其技术和产品组合的竞争力。

美光首席财务官Mark Murphy认为，美光即将迎来季度营收增长的转折点，接下来将专注于大幅提高盈利能力，而且会在2024财年内实现正向自由现金流。

美光同时宣布，除了高级主管减薪、全面停发2023财年年度奖金外，裁员的比例从整体员工数的10%提高至15%，而且2023年12月底之前不会补充空缺的岗位。此外，美光会进一步削减2023财年的资本支出，预计投资额在70亿美元左右，相比上一财年减少超过40%，其中晶圆厂设备的资本支出预计减少超过50%，2024财年很可能还会继续缩减。

3D DRAM是一种具有全新结构的存储芯片，打破了原有的模式。目前DRAM产品开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度，但随着线宽进入10nm范围，电容器漏电和干扰等物理限制明显增加，为此业界通过引入high-k材料和极紫外（EUV）设备等新材料和新设备。不过对于各个DRAM制造商而言，想要制造10nm或更先进的小型芯片仍然是一个巨大的挑战。

与当前的DRAM市场不同，3D DRAM领域暂时没有绝对的领导者。美光在3D DRAM技术竞争中起步较早，且专利数更多，三星和SK海力士可能会加快3D DRAM商业化进程，尽快地进入大规模生产阶段，以便更早地抢占市场。

目前三星和SK海力士能量产的最尖端DRAM采用的大概为12nm的工艺，考虑到越来越接近10nm，在未来的三到四年内，全新结构的DRAM芯片商业化几乎是一种必然，而不是选择。

据Boise State Public Radio报道，美光正在考虑进一步裁员，这次大概会减少5%的员工。去年美光首席执行官Sanjay Mehrotra已宣布，将通过自愿减员和裁员相结合，并减少外部招聘的方式进行裁员，2023年将员工人数减少约10%。加上这次的5%，也就是说美光的裁员比例达到了10%。美光全球员工数量大概在4.9万人，这意味着大概有7500人受到影响。美光的裁员将在2023年内分阶段进行，除非市场情况有大幅度的改善，对美光产品的需求有明显的回升。

此外，美光还要降低资本支出，涉及的范围不仅只在2023年，还有接下来的2024年，尽管美光对新工厂的建设充满期待，但不能不面对一系列的难题。目前美光已经将DRAM和NAND闪存的产量减少了20%，同时还放缓了技术节点过渡的时间，将1γ工艺节点延后至2025年。美光在232层3D TLC NAND上停留的时间比最初计划的要长，这可能会导致美光失去市场，拱手让给三星和SK海力士这样的竞争对手，而且也会被后来者追赶。

美光将在3月底公布2023财年第二财季财务，美光预计与上一季度相比，收入将减少约3亿美元。