SK海力士表示，自今年1月推出LPDDR5T以来，SK海力士就与高通展开了兼容性的验证工作，让LPDDR5T和第三代骁龙8平台都能发挥出最好的性能。随着验证工作的完成，今后移动设备中LPDDR5T的布局将迅速扩大。SK海力士计划提供容量为16GB的套装产品，数据处理速度为77GB/s，相当于1秒内可处理15部全高清（Full-HD，FHD）级别的电影。

LPDDR5T兼具了高速度和低功耗的特性，在JEDEC设定的1.01V至1.12V超低电压范围内运行，同样集成了HKMG工艺，并采用了1αnm工艺制造，以实现最佳的性能。相比于之前的LPDDR5X内存，LPDDR5T的速度提高了13%。为了强调其高速特性，所以命名的时候在规格名称最后加上了“T”作为后缀。

SK海力士相信在下一代LPDDR6问世之前，大幅度拉开技术差距的LPDDR5T内存可以主导市场，能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存储器的需求增长。LPDDR5T内存的应用范围不仅限于智能手机，还能扩展到人工智能（AI）、机器学习（ML）、以及增强/虚拟现实（AR/VR）。

争夺CXL市场的核心自然就是DRAM，三星和SK海力士是全球第一和第二大存储器厂商，当然不会错过CXL这片“新蓝海”，目前都在积极开发CXL技术，以提高服务器DRAM销量。CXL内存模块理论上在服务器中可以实现“无限”的DRAM扩展，而且还能统一不同信息处理设备直接的通信协议，简化了数据处理、减少了数据瓶颈、提高了能源效率，解决了现有计算机标准里DRAM的物理可扩展性问题。

近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，三星和SK海力士都认为，CXL是继HBM之后引领存储器市场的新技术，都打算加大投入，加速CXL技术开发，以抢占先机。

三星在一份声明中写道，通过与相关政府的密切协调，与其在华半导体生产线运营有关的不确定性已大大消除。SK海力士也在声明中称，欢迎决定延长出口管制规定的豁免，相信这一决定将有助于稳定全球半导体供应链。

由于三星和SK海力士在华的半导体投资规模相当大，这些工厂的生产比重超过了40%，同时在中国大陆地区的销售也很高，受限后对其运营和销售有很大的影响。未来几年内，这些工厂将面临生产设备升级的问题，而去年美国商务部给予为期一年的许可证显然无法满足这些企业的需求。目前三星和SK海力士在华工厂已被纳入“经过验证的最终用户（VEU）”，无需为每种情况单独获得许可证，也就是说今后将不受其他许可程序或期限限制。

根据统计数据，三星约40%的NAND闪存芯片产于西安的工厂，而SK海力士也有约40%的DRAM芯片在无锡的工厂生产，同时还有约20%的NAND闪存芯片产自大连的工厂。此外，三星在苏州还有封装设施，SK海力士的封装厂则位于重庆。

近日在AI Hardware & Edge AI Summit 2023上，SK海力士展示了基于内存计算功能技术打造的AiMX加速卡原型产品，里面搭载了GDDR6-AiM，专门用于生成式人工智能（AI），比如ChatGPT。SK海力士还在配备了AiMX加速卡的服务器系统上演示了Meta的opt13b模型，与采用普通的GPU系统相比，数据处理时间缩短了10倍以上，而功耗仅为五分之一。

SK海力士表示，AiMX是一种比传统GPU更低成本、更低功耗、性能更高的解决方案，未来将继续开发引领人工智能时代的存储技术。作为一种能够处理大量数据的低功耗高速存储器解决方案，SK海力士认为AiMX将在数据密集型生成式人工智能系统的发展中发挥关键作用。由于生成式人工智能的性能会随着对更多数据的训练而提高，更加凸显了对应用于该系统的高性能产品的需求。

除了SK海力士以外，三星也有着相同的看法，在内存上集成的AI处理器，使其可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作，未来还会将这项称为PIM (processing-in-memory) 的技术扩展到DDR4、DDR5、LPDDR5X、GDDR6和HBM3内存上。三星在今年的Hot Chips 2023上还公布了HBM-PIM和LPDDR-PIM的最新研究成果，在AMD Instinct MI100上配备了HBM-PIM内存，并将其应用于生成式人工智能。

与AI服务器需求旺盛相比，通用服务器的订单和出货量迟迟没有回暖，Enterprise SSD采购量承压，全年采购位元量估计会低于去年。供应商只能下调产能，减缓库存的增长，而客户库存仍处于高位，导致采购动能不足，预计2023年第三季度全球Enterprise SSD均价将环比下跌约15%，可能会出现旺季不旺的境况。

三星作为Enterprise SSD最主要的供应商，受到通用服务器需求下滑冲击最为明显，2023年第二季度里Enterprise SSD营收约为5.3亿美元，环比减少34.1%，市场占有率为35.2%；SK海力士（包括Solidigm）营收环比减少了18.3%，约为3.7亿美元，市场占有率为24.9%，正视图通过价格优势扩大市场占有率；美光受惠于SATA SSD稳定的订单，加上采用176层NAND闪存的SSD开始大量供应，相比其他厂商下滑幅度较小，环比仅减少1.8%，市场占有率为14.3%；铠侠也开始大量供应PCIe 4.0 SSD，营收约为2亿美元，环比减少34.1%，市场占有率为13.6%；西部数据环比减少20%，营收约为1.8亿美元，市场占有率为12%。

英伟达的GeForce游戏显卡使用的GDDR主要由美光提供，而三星希望先利用HBM切入，然后在下一代GDDR产品上成为供应商。三星在上个月宣布已完成了业界首款GDDR7芯片的开发工作，每个数据I/O接口的速率达到了32Gbps，承诺在能效方面相比GDDR6会有20%的提升，为此还引入了几项新的技术。据了解，三星已经向英伟达提供了样品，用于验证下一代系统。虽然SK海力士没有明确其GDDR7的时间表，不过有消息称，会在年内完成开发工作。

相比之下，美光的GDDR7要慢一些。今年6月在2023财年第三财季的财报电话会议上，美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra已确认，美光会选择在1ß节点上推出新款GDDR7产品，时间大概是明年的上半年。从时间上来看，美光要落后于三星和SK海力士，因此英伟达可能会优先考虑两家韩国存储器巨头的GDDR7产品。

SK海力士表示，其以量产HBM3的经验为基础，成功开发出全球最高性能的扩展版HBM3E，并凭借业界最大规模的HBM供应经验和量产成熟度，计划明年上半年开始将HBM3E投入量产。SK海力士希望通过HBM3，实现牵引AI技术革新的最高性能，持续在用于AI的存储器市场保持独一无二的地位。同时随着高附加值产品HBM的供应比重持续加大，加速SK海力士的业绩反弹。

据了解，SK海力士技术团队在HBM3E产品上采用了Advanced MR-MUF2最新技术，散热性能与上一代相比提高了10%。HBM3E还具备了向后兼容性，使用HBM3的客户无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。

根据SK海力士说法，早在今年2月份，就已经将LPDDR5T的样品提供给了联发科进行测试。从描述的内容来看，很可能是天玑9300移动平台，预计会在今年年内发布。此前SK海力士曾透露，计划向客户提供容量为16GB的LPDDR5T样品，数据处理速度为77GB/s。

SK海力士相信在下一代LPDDR6问世之前，大幅度拉开技术差距的LPDDR5T内存可以主导市场，能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存储器的需求增长。LPDDR5T内存的应用范围不仅限于智能手机，还能扩展到人工智能（AI）、机器学习（ML）、以及增强/虚拟现实（AR/VR）。

据SK海力士介绍，24GB LPDDR5X DRAM封装产品依旧在JEDEC规定的1.01V至1.12V超低电压范围下运行，数据处理速度为68GB/s，相当于每秒可以传输13部全高清级别的电影。自上个月进入量产后，已供货给智能手机制造商OPPO，用于新款旗舰机型“一加 Ace2 Pro”，新品很快便会上市销售。

SK海力士强调：“公司将HKMG（High-K Metal Gate）工艺引入LPDDR5X 24GB封装产品中，可同时体现业界最高水平的能效和性能。此次将目前唯一的24GB高容量封装产品添加到公司移动DRAM组合中，今后可以更广泛地应对客户的要求。”

相比于常规的DRAM，低功耗是LPDDR5X最有竞争力的特性之一，SK海力士利用HKMG工艺，既提高了性能，又降低了功耗，实现了积极的扩展和高效率。SK海力士DRAM营销担当副社长朴明秀表示，这类型内存不仅适用于移动设备，也将扩展到PC、服务器、高性能计算（HPC）和汽车等领域。

这次SK海力士带来的是321层1Tb TLC 4D NAND闪存，首次向外界展示了现阶段开发的样品，并会介绍开发的进展情况。SK海力士表示，会进一步完善321层NAND闪存，初步计划在2025年上半年进入量产阶段。据SK海力士介绍，321层1Tb TLC NAND闪存的效率比上一代238层512Gb提高了59%。这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高，在相同芯片上实现更大存储容量，进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

随着近期Chat GPT引发的生成型AI市场的需求增长，存储更多数据的高性能、高容量存储器需求也在急剧增加。SK海力士也在本次活动中，推出了针对这些需求而进行优化的下一代NAND产品解决方案：采用PCIe 5.0接口的企业级固态硬盘（Enterprise SSD, eSSD）及UFS 4.0。SK海力士希望借助这些能够达到世界级领先性能的产品，充分满足追求高性能客户的需求。

此外，SK海力士还透露，正在积极开发下一代PCIe 6.0和UFS 5.0产品，以致力于在未来继续引领市场。

财报显示，SK海力士在2023财年第二财季的收入为7.3059万亿韩元（约合56.98亿美元/人民币407.6亿元），同比减少47%，环比增长44%；营业亏损为2.8821万亿韩元（约合22.48亿美元/人民币160.82亿元），相比去年同期是由盈转亏，不过环比增长15%；净亏损为2.9879万亿韩元（约合23.3亿美元/人民币166.71亿元），相比去年同期是由盈转亏，环比减少16%。同时营业损失率为39%，净损失率为41%。

SK海力士表示，用于AI的存储器需求强势将在今年下半年得到延续，半导体存储器企业的减产效果或将逐渐明显，今后将以HBM3、高性能DDR5和LPDDR5 DRAM等用于AI的存储器、基于176层NAND闪存的SSD为中心，持续提高销售业绩，从而加速改善下半年业绩。SK海力士还会提升第五代10纳米级（1b）DRAM和238层NAND闪存的初期量产良率和质量，在市况好转时快速提升量产比重。

SK海力士财务担当副社长（CFO）金祐贤表示，虽然SK海力士的投资规模同比减少50%以上的基调没有变化，但将利用通过经营效率化确保的资金，针对今后主导市场的高容量DDR5、HBM3 DRAM，持续投资扩大生产能力。此外，存储器半导体市场以第一季度为低点，开始呈现恢复态势。SK海力士将以高性能产品技术竞争力为基础，为快速改善业绩做出努力。

下调的主要原因是，以存储器为主的半导体制造商在设备投资方面的恢复速度比预估的要更慢些。目前全球排名前三的存储器制造商为三星、SK海力士和美光，其中三星在今年宣布减产，其余两家在更早之前就执行了，普遍产品减产20%至30%。同时半导体市况不景气，全球通胀及消费放缓让手机和PC等消费终端需求下滑，半导体制造商设备投资的意愿减弱。

不过日本半导体制造设备协会对2024年度的预期较为乐观，认为存储器制造设备和逻辑IC的晶圆代工设备的投资将会复苏，新款CPU和以ChatGPT等生成式人工智能应用扩大使得数据中心投资加大，同时手机和PC等消费终端需求也会恢复增长，预计2024年度的销售预期按年增长10%。

根据统计，半导体市场2023年第一季度的收入为1205亿美元，相比2022年第四季度下降了9%。 半导体市场是有周期性的，比如在2020年第四季度至2021年第四季度期间，随着全球处于疫情阶段，市场需求增加，经过了多个季度连续上涨。

内存和MPU是重灾区，直接影响了整个半导体市场的收入。2023年第一季度MPU市场的收入为131亿美元，规模仅为2022年第一季度（200亿美元）的65%。内存市场情况更糟糕，2023年第一季度的收入为193亿美元，规模仅为2022年第一季度（436亿美元）的44%。在2023年第一季度里，内存和MPU两个细分市场的收入合计下降了19%，拖累整个半导体市场环比下降9%。

过去三个季度里，存储器市场遭遇动荡也让市场份额排名出现了变化。 一年前，按收入计算的前五家半导体公司中有三家来自内存领域，分别是三星、SK海力士和美光，现在只有三星仍排在前十名。 上一次SK海力士和美光没有进入前十名是在2008年，这说明了以内存产品为重点的半导体公司现今所面临的困境。

过去一年里，存储器三巨头（三星、SK海力士和美光）先后决定减产，以稳定价格并控制库存水平，经过长时间的努力，业界普遍预计今年第三季度会出现反弹，需求将超过供应。据了解，服务器DDR5内存的出货比例已经从今年第一季度的10%增加到第二季度的30%以上，预计出货量按季度增加35%以上。

分析称，SK海力士的HBM类存储产品上领先于竞争对手，同时也是唯一一家大规模生产128GB容量DDR5内存的厂商，在这些市场领域里都拥有最大的市场份额，使其在这股人工智能浪潮中获益最多。

根据businesskorea的报道，SK海力士收到NVIDIA要求提供HBM3E样品的请求，目前正准备发货，现在SK海力士的HBM3E还处于开发阶段，副总裁朴明秀在今年4月的第一季度财报电话会议上透露，SK海力士准备在今年下半年实现8Gbps HBM3E的产品打样，并在明年上半年进行量产，通常来说，产品开发完成后，样品会送给用户进行评估。

现在SK海力士在HBM市场上是要领先于三星的，根据TrendForce的数据，截止去年，SK海力士在全球HBM市场份额占了50%，而三星则占据40%。

去年6月，SK海力士率先量产了HBM3，占据了市场主导，并为NVIDIA的H100“Hopper”Tensor Core GPU供货，如果他们成功交付HBM3E的话，就可巩固他们在高性能AI市场上第一的地位，毕竟NVIDIA占据了全球AI高性能计算GPU份额的90%，这会进一步拉开他们与竞争对手三星的差距。