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SK海力士公布2021财年及第四季度财报,录得创历史记录营收
吕嘉俭 发布于2022-01-29 12:35 / 关键字: SK海力士, SK Hynix
SK海力士(SK hynix)今天公布了截至2021年12月31日的2021财年财务业绩,合并收入为42.998万亿韩元(约合343.98亿美元),利润为12.41万亿韩元(约合99.28亿美元)。全年营业利润率为29%,净利润率为22%。这是SK海力士成立以来创历史纪录的收入,超过了此前最高的2018年。
SK海力士表示,尽管出现供应链中断等不确定的市场因素,但随着市场需求的增加,凭借其技术和质量使得产品充满了竞争力,实现了创纪录的年销售额。SK海力士希望专注于灵活的DRAM业务,通过PC和服务器市场确保盈利。通过业界首个DDR5和HBM3 DRAM,SK海力士在高附加值的下一代产品竞争中保持了竞争力。
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JEDEC发布HBM3内存标准:带宽819GB/s、每个堆栈最高64GB容量
吕嘉俭 发布于2022-01-28 14:28 / 关键字: SK海力士, SK Hynix, HBM3, JEDEC
今天JEDEC发布了HBM3高带宽内存标准,相比现有的HBM2和HBM2e标准有大幅的提升。这个新的HBM内存标准版本为JESD238 HBM3,目前相关技术文档已经可以从JEDEC下载。
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ISSCC 2022预告:SK海力士展示896GB/s的HBM3,三星介绍27Gbps的GDDR6
吕嘉俭 发布于2022-01-19 12:30 / 关键字: SK海力士, SK Hynix, HBM3, 三星
ISSCC 2022(IEEE 国际固态电路会议)将于2月24日举行,不少厂商会选择在这次大会上展示最新的半导体制造技术。其中SK海力士将介绍其最新的HBM3内存技术,带宽达到了896 GB/s,三星则会展示速率为27 Gbps的GDDR6。
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SK海力士发布Platinum P41系列:旗下首款消费级PCIe 4.0 SSD
吕嘉俭 发布于2022-01-04 15:46 / 关键字: SK海力士, SK Hynix
SK海力士宣布,推出Platinum P41系列SSD。这是SK海力士旗下最快的M.2 NVMe SSD,也是其首款采用PCIe 4.0 x4接口的消费级SSD,采用了M.2 2280规格,面向DIY市场的PC爱好者,适合大部分台式机主板和笔记本电脑安装。尽管SK海力士是世界上稳居前三的NAND闪存生产商,但多年来自家的存储产品型号和数量都并不多。
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SK海力士收购英特尔NAND闪存业务已完成第一阶段交易,新公司名为Solidigm
吕嘉俭 发布于2021-12-30 09:32 / 关键字: 英特尔, Intel, SK海力士, SK Hynix, Solidigm
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传SK海力士收购英特尔NAND闪存业务最终获得批准,交易将在2025年完成
吕嘉俭 发布于2021-12-20 10:13 / 关键字: 英特尔, Intel, SK海力士, SK Hynix
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SK海力士在OCP峰会上展示HBM3,单颗24GB,频率提升至6400Mbps
Strike 发布于2021-11-12 10:08 / 关键字: HBM3, SK海力士
在上个月底SK海力士宣布他们已经成功开发出HBM3 DRAM内存,而且他们把成品带到了OCP峰会上展示,这HBM3的样品被ServeTheHome拍下来了。
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SK海力士推出全球首款HBM3内存,单颗容量24GB,带宽达到819GB/s
Strike 发布于2021-10-20 10:15 / 关键字: HBM3, SK海力士
SK海力士今天宣布,他们已经成功开发出HBM3 DRAM内存,是全球首家开发出新一代HBM内存的公司,这是HBM系列内存的第四代产品(HBM2E也算一代),新的HBM3不仅提供了更高的带宽,还堆叠了更多层数的DRAM来增加容量。
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SK海力士推出2TB容量的Gold P31 M.2 SSD,改用黑色PCB
吕嘉俭 发布于2021-08-18 11:10 / 关键字: SK海力士, SK Hynix
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SK海力士计划将收购的英特尔NAND闪存以及存储业务作为独立公司运营
吕嘉俭 发布于2021-08-05 09:06 / 关键字: 英特尔, Intel, SK海力士, SK Hynix
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SK海力士即将量产DDR5内存,明年会再加入EUV技术
吕嘉俭 发布于2021-07-28 09:37 / 关键字: SK海力士, SK Hynix
SK海力士宣布计划在未来几个月内开始批量生产DDR5内存,预计这些内存将会与英特尔今年即将推出的Alder Lake平台一起投放市场。SK海力士早在2019年就展示了第一批DDR5芯粒和工程样品,但即将量产的内存与原来的工程样品有所区别。
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SK海力士开始量产第四代10nm制程技术DRAM产品,采用EUV技术
吕嘉俭 发布于2021-07-12 12:27 / 关键字: SK海力士, SK Hynix
SK海力士宣布,已在本月开始量产基于1a nm级工艺技术的8Gigabit(Gb)LPDDR4移动端DRAM产品,这属于第四代10nm制程技术,是专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。
10nm级DRAM产品开始,半导体业内将每一代工艺节点都以标注字母的方式起名,第一代是1x nm、第二代是1y nm、第三代是1z nm、第四代是1a nm,SK海力士预计从今年下半年开始就可以向智能手机制造厂商供应1a nm级工艺技术的移动端DRAM产品。这次比较特别的是,SK海力士通过部分采用了EUV(极紫外)技术,完成了对其稳定性的验证,首次使用EUV光刻设备进行量产。
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SK海力士承认部分DRAM晶圆出现问题,但认为有人借此造谣并已报警
吕嘉俭 发布于2021-06-10 10:45 / 关键字: SK海力士, SK Hynix
近期有报道指,SK海力士有24万片DRAM晶圆存在缺陷,并已经在流通,将面临2万亿韩元(约17亿美元)的损失。SK海力士回应了这个传言,承认了部分DRAM晶圆存在问题,但该缺陷在正常的质量问题检查范围内,并表示目前正在与少部分受影响的客户进行沟通,以解决这个问题。同时SK海力士表示,现在评估潜在损失还为时过早,但损失应该不会那么大,其缺陷在正常的质量问题检测范围内。
据韩联社报道,SK海力士认为有人在此事上制造谣言,夸大事实,以损害其声誉,目前已报警处理,希望警方对相关不实言论进行调查。
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SK海力士预计HBM3会有665GB/s带宽,比HBM2E提高了44.6%
吕嘉俭 发布于2021-06-10 10:00 / 关键字: SK海力士, SK Hynix, HBM3
高带宽存储器(High Bandwidth Memory)也就是平常称为HBM的DRAM,是基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场景。虽然HBM没有成为显卡的主流DRAM,但是在需要高带宽的数据中心等领域,仍不时见到其身影。近日SK海力士(SK Hynix)公布了HBM3的产品计划,介绍了即将推出的规范和预期带宽等信息。
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欧盟委员会已批准SK海力士收购英特尔的NAND闪存以及存储业务
吕嘉俭 发布于2021-05-25 12:18 / 关键字: 英特尔, Intel, SK海力士, SK Hynix
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