SK Hynix的8GB LPDDR4内存是由4颗16Gb（2GB）内存颗粒整合封装而成的，尺寸大小为15*15mm，采用FPGA封装，有366 ball和376 ball两种规格。

其中前者366 ball可以与SoC、UFS闪存堆叠整合封装成一个芯片，减少占用手机PCB寸土寸金的面积，类似于苹果iPhone手机上一贯做法。

两者传输速率是3733MT/S，换算成频率就是1866MHz，作为对比，三星家的8GB LPDDR4性能更为优越些，4266MT/S(2133MHz)。

数据来源anandtech

目前366ball规格的已经面向厂商供货，能使用更低电压的376ball则需要等到明年第一季度才开始供应。

看来假以时日，我们很快就能看到搭载了8GB内存的手机了，6GB可能已经满足不了人们日益增长的应用需求，尤其是将来的4K显示、VR应用上。

希捷自身并非没有SSD业务，实际上希捷在SSD领域布局还挺早，很多人都知道希捷收购了知名SSD主控厂商SandForce，8月份的时候希捷还宣布了全球容量最大的60TB SSD硬盘，但是希捷缺少关键的NAND供应，这方面只能依靠其他公司，要想做大做强，NAND供应问题必须解决。

西数收购闪迪之后，全球剩下的NAND豪门还有三星、美光、SK Hynix、东芝、Intel等，这些公司的SSD业务要么不可能出售，能出售也会是天价，希捷在HDD市场营收、份额都并不如西数，是否如西数那样有魄力收购一家大型NAND供应商还是个问题。

买不起的话也可以合作，来自TrendForce的消息称希捷准备跟SK Hynix成立一家合资公司，主要面向企业级SSD市场， 服务器、云数据等市场都是会是重点。有关双方合作的事宜现在还没有官方证实，细节也无从得知，不过这两家抱团的话也没什么意外的，现在服务器、云数据领域的领头羊是三星和Intel，SK Hynix和希捷合作的话刚好可以互补。

从DRAMXchange公司分析师Avirl Wu的报告来看，全球DRAM产品已经是寡头垄断，目前只有三星、SK Hynix及美光三家公司。在升级到20nm及之后的工艺节点之后，厂商在位元供应上产能增长有限，而主流供应商未来也不打算提高产能，甚至放慢了他们在先进技术上的开发进程，因此供应情况在2017年依然吃紧。

这种情况下，2017年Q1季度内存价格还会继续上涨。根据他们的消息，明年Q1季度4GB容量的PC内存模组合约价格将达到20美元左右，这跟现货价格差不多了，而且期货、现货市场的价格差距还会越来越小。

从他们的报告来看，上游的三家供应商出于各种原因不肯或者无法扩充产能，但市场需求可没有减少，明年Q1季度适逢中国春节，手机、平板等产品需要的移动内存需求很大，PC游戏及服务器市场虽然不如移动市场那么火，但对内存也是刚需，现在内存颗粒厂商有意控制产能，厂商为了备货，不得不接受高价了。

目前闪存厂商已经把重点从2D闪存转向3D闪存，因为相比普通闪存，3D NAND闪存在性能、容量、可靠性、成本等方面有全面性的优势，而堆栈层数也是3D NAND闪存一个重要指标。三星是最早量产3D NAND闪存，试验型是24层堆栈，真正量产的是32层，目前也是三星3D闪存的主力，去年底到现在开始主推48层堆栈的第三代V-NAND闪存。

目前NAND厂商的3D NAND规格一览

除了三星之外，东芝的BiCS闪存也是48层堆栈的，不过这货从去年就说量产时间，但直到现在也没看到多少，倒是SK Hynix现在宣布他们本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。

随着3D闪存的量产，今年底SK Hynix公司的NAND产能也将从目前每月1万片12寸晶圆翻倍到2-3万晶圆每月，其中3D NAND闪存占据大约15%的份额——该公司目前70%的产能依然用于DRAM内存。

在48层堆栈NAND闪存之后，SK Hynix明年则会发展72层堆栈的3D闪存，预定明年下半年量产，这可要比三星、东芝还激进，后两家明年量产的3D NAND闪存才是64层堆栈而已。

随着NAND闪存转产3D NAND闪存以及3D闪存堆栈层数的增加，未来两年的SSD容量肯定还会继续增大，当前买SSD建议别选256GB以下的了，有条件的直接上512GB甚至1TB吧，明年后年真心希望能普及1TB-2TB的SSD，这样真的可以不用HDD硬盘了。

SK Hynix最知名的产品显然是DRAM内存、NAND闪存芯片，不过这一年来因为NAND、DRAM降价，导致SK Hynix业绩很难看（不过内存闪存年底开始涨价了），该公司也希望寻找新的增长点，CIS图像传感器就是目标之一。

此前SK Hynix把300mm晶圆主力产能留给了内存、闪存芯片，其他产品都使用200mm晶圆生产，现在SK Hynix将首次使用300mm晶圆生产CIS传感器，这次改变也使得该公司非存储类芯片产能提升50%。

SK Hynix预计2017年在韩国利川市的M10晶圆厂开始量产新一代传感器，1300万像素，虽然这是2年前的像素水平了，不过SK Hnix的CIS传感器一向走低端路线，之前生产的产品500万像素都没有，去年才开始生产800万像素传感器——主要用于华为、LG的智能手机。

至于为什么没多少人听过SK Hynix的传感器——是这样的，国内厂商在营销上有个习惯，如果他们使用了索尼的传感器，在PPT中一定大书特书，如果提都没提，说用他们用的传感器都是性价比类型的，说出来不好听。

SK Hynix也是全球四大NAND豪门之一，不过自家的SSD产品在市场上比较低调，这次的PC305系列是M.2 2280规格的，长度80mm，最高厚度3.5mm，宽为22nm。该系列硬盘采用了PCI-E 3.0 x4接口，支持NVMe，容量有128GB、256GB、512GB及1TB四种。

SK Hynix的PC305硬盘性能指标如下：四种容量读取速度都是2200MB/s，不过写入速度方面128GB为470MB/s，256GB为900MB/s，512GB版为800MB/s，1TB写入速度最高为1400MB/s，单论速度的话其实跟三星950 Pro还有较大距离。

随机性能方面，除了128GB版随机读写性能是18万、12万IOPS之外，其他三款都是20万、18万IOPS。

最为重要的闪存和主控方面，SK Hynix并没有公布，不过NAND猜测是自家16nm MLC或者TLC闪存，主控也是自家的，因为SK Hynix多年前就把LAMD主控给收购了。

SK Hynix的SSD虽然性能指标不算多强（但也不算差），而且以他们之前的产品来看，PC305系列的性价比应该还可以，三星950 Pro的价格公认有点高，毕竟人家的地位和性能在那里摆着了。

根据集邦科技旗下DRAMeXchange公布的2016年Q1季度存储芯片统计报告，三星自己拿下了全球移动内存（Mobile DRAM）市场的60.4%份额，稳居全球老大，份额创造了历史新高。

同胞公司SK Hynix位居第二，在移动内存市场份额为26.9%，这两家韩国公司加起来份额达到了87.3%，这已经是“垄断”整个市场了，美光公司的份额只剩下10.4%，远远落后于这两家公司了。

不过三星、SK Hynix恐怕也高兴不起来——虽然市场份额涨了，出货量增加了，但是因为移动内存价格价格不断下滑，三星Q1季度的移动内存营收不增反减，环比下降了22.7%，营收只有20.26亿美元。SK Hynix公司当季营收同样下滑23.1%，营收为9.03亿美元。对了，SK Hynix公司的运营状况已经极度窘迫，该公司不得不发行债券筹集运营资金。

这种情况下，美光的情况只能更惨，份额只剩10.4%不说，营收也大幅下滑了45.6%，3.49亿美元的收入有点难看。

考虑到三星在18nm工艺先进制程以及产能上的优势，一家独大的情况还会继续下去，而且三星的优势还会越来越大，预计今年的市场占有率会突破七成，留给其它公司的空间不多了。

值得一提的是，大陆目前也在集中精力发展DRAM内存产业，武汉上马了国家级存储芯片基地，投资超过240亿美元，虽然初期主要是NAND闪存，但二期就开始介入DRAM内存。此外，福建、合肥、深圳等地方政府也在积极推动类似项目，而且产能规划非常高，未来一旦量产，DRAM内存可就更“热闹”了。

与同胞公司三星还能靠智能手机、SoC处理器弥补内存、闪存芯片业务不同，SK Hynix的营收几乎全部来自内存及闪存芯片，而后两者的价格近来一直在下跌，SK Hynix公司在技术水平、产能上又落后于三星，以致于今年Q1季度营收3.66万亿韩元（人民币209亿元），环比下滑了17%，同比下滑了24%。

该公司Q1季度毛利率从去年同期的33%下降到了15%，运营利润只有0.562万亿韩元，净利润是0.448万亿韩元（人民币25.5亿元），环比下降了49%，同比则是暴跌了65%，只有去年同期的1/3左右。

与上一季度相比，SK Hynix公司的DRAM芯片出货量、平均价格分别下降了3%、14%，主要原因是PC、服务器以及移动内存市场需求不振。闪存方面，出货量及平均售价也分别下降了11%、12%，原因是移动设备需求不足。

目前SK Hynix正在增加2Z nm（21nm）工艺的移动DRAM生产，并开发1Z nm DRAM芯片。闪存方面，SK Hynix公司正在向1Y nm工艺平面NAND闪存升级，并加速扩大3D NAND闪存生产，该公司预计今年下半年量产48层堆栈的3D NAND闪存。

业绩如此不景气，SK Hynix公司减少投资也成了必然之事，公司总裁Kim Joon-ho向投资者表示今年的资本投资会减少，公司将会集中精力在提升技术水平而非扩大市场份额上。

根据SK Hynix公司报告，他们向中国无锡、韩国清川及仁川市的工厂投资了6.6万亿韩元（人民币约376亿）。

据韩国媒体报道，加拿大皇家银行RBC高级分析师Amit Daryanani本周一发表分析报告，预测2016年全球存储芯片资本支出额为502亿美元，比上一年减少4%。看起来变动不多，但三星一家就减少了40亿美元的支出，同比下降了31%。

三星是DRAM厂商中工艺最先进的，前不久宣布率先量产18nm工艺DRAM芯片，而目前的产能有70%都已经升级到20nm工艺节点，但这也意味着三星不会大规模投资产能建设了，内存领域的资本支出将减少26亿美元。

闪存方面同样如此，三星数年前在中国西安投资70亿美元建设3D NAND闪存工厂，去年底该工厂已经开始规模量产第三代V-NAND闪存了，随着工厂进入全功能运营阶段，三星在NAND领域的投资也将下降到10亿美元。

另一家韩国公司SK Hynix同样也会削减资本投资，预计今年会减少6万亿韩元。分析师称SK Hynix正在为升级20nm DRAM芯片产能投资，但在3D NAND领域进行重点投资的可能不大，他们的产能ASP平均售价及技术面临挑战。

三星、SK Hynix放缓存储芯片投资跟营收表现息息相关，预计今年Q1季度的财报中双方都会披露新的投资计划。分析师称宏观经济压力导致了半导体产业下降，进而抑制了资本支出。厂商们的运营利润下降速度历史性地超过了营收下降速度。

SK Hynix预计Q1季度的运营利润只有5000亿韩元，去年同期还有1.58万亿韩元。三星日子也没好到哪里去，去年Q1季度运营利润是2.93万亿韩元，今年Q1季度降到了2.6万亿韩元。此外，三星存储芯片之外还可以依赖处理器芯片弥补部门法损失，而SK Hynix主要的营收都是来自DRAM及NAND存储芯片，情况比三星更糟。

美国调研公司IHS日前公布了2015年全球DRAM内存市场报告，三星在全球的占有率达到了45.3%，其次是SK Hynix的27.7%，这两家韩国公司加起来就占据了全球DRAM市场的73%，Q4季度更是达到了74.5%，创造了历史新高。

具体细分上，服务器内存芯片市场中，三星份额高达50.3%，SK Hynix达到了32.2%，两家合计82.5%，美光的份额只有17%。

移动内存市场上，三星占有率达到了52.7%，SK Hynix大约是27.1%，两家分走了8成份额，留给其他厂商的空间也不大。

这两家不光是份额上领先，技术上的优势也在加大。三星前几天宣布率先量产18nm工艺的DRAM内存芯片，这是2014年三星率先量产20nnm工艺的DRAM之后再一次领先其他厂商。SK Hynix的18nm工艺还在研发中，预计今年底完成技术研发，明年可以量产。

但是美光与前两家的差距就大多了，上月底公布的财报中美光录的净亏损9700万美元，DRAM及NAND营收都在下滑，20nm DRAM内存芯片虽然已经量产了，但所占比例并不高，预计到今年Q3季度才能占到内存芯片一半的比例，新一代的18nm工艺遥遥无期。

Digitimes援引台湾南亚科技总裁Pei Ing Lee（前董事长高启全加盟紫光之后，Pei Ing Lee出任总裁)的消息称2016年下半年内存价格面临不确定性，因为三星、SK Hynix及美光三巨头的内存产能都在提升。

他强调今年第二季度的价格压力不光影响DRAM内存，还要扩展到其他市场，比如移动设备、服务器及消费市场。不过他相信二季度的价格波动幅度并没有第一季度那么大。

至于下半年，Lee表示相比第一季度的需求会继续增强，但市场空间就不太好说了，因为三星、SK Hynix及美光的内存产能都在快速增加。

至于会降价多少，20%-30%的降幅是可能的，但如果新产能爬升太快的话，25-40%的降幅也是可能的。Lee表示2015年的降幅是20-30%。

PS：正如文中所说，随着台系的南亚科技被美光收购，如今的内存市场只剩下三星、SK Hynix及美光三巨头了，不过市场竞争并没有减少，随着20nm及更先进的1xnm工艺的量产，内存芯片的产能确实在不断增大，降价的压力也越来越大。

PS：实际上，这半年来内存的价格确实是稳中有降的，特别是DDR4内存，如今单条8GB DDR4-2133的主流价格已经降到了199-249元左右，与DDR3内存相差无几。只要更多平台开始支持DDR4内存，包括AMD的Zen处理器，DDR4普及就会很快了。

相比HBM一代，HBM 2显存继续保持1024bit位宽，8个通道，但容量及速度进一步提升，支持2-Hi、4-Hi及8-Hi堆栈，速度也翻倍到等效2Gbps，因此JESD235A标准的HBM显存单个容量分别为2GB、4GB及8GB，带宽从128GB/s提升到256GB/s。目前AMD及NVIDIA下代显卡都会搭配4组HBM显存，等效位宽4096bit，总带宽可达1024GB/s，也就是NVIDIA之前宣传的TB/s级别带宽。

三星虽然没有介入HBM一代显存，但在HBM 2显存上率先量产，一步到位推出了4GB HBM2显存，已经被AMD Poalris以及NVIDIA的Pascal显卡选中，而SK Hynix在HBM 2可以说赶了个晚集，最新消息显示他们的4GB HBM2显存预计在今年Q3季度量产，Q4季度则会推出容量更大的8GB HBM2显存。

SK Hynix先输了一着，不过HBM2显存市场很大，不会被三星独吞，就跟目前的GDDR5显存一样，之前显卡用三星颗粒的多，但后来也有很多显卡转向了SK Hynix的GDDR5颗粒。

来自韩国ETNEWS的报道称，三星、SK Hynix及美光这三家厂商都在致力于明年量产1x nm工艺的DRAM芯片，其中三星的进度最快，他们去年3月份才量产了20nm工艺，但现在正在修改工艺，已经完成了1x nm工艺的的量产验证工作，明年Q1季度就要量产新工艺DRAM内存。

SK Hynix的进度比三星略慢，2016年他们计划提升20nm工艺DRAM芯片的产能，但2016年上半年也会完成1x nm工艺的DRAM开发工作，2016年下半年争取量产。

在这三家中美光这两年的表现就比较差了，工艺进度也比韩国两家公司落后1-2代，不过美光CEO Mark Durcan也表态称2016年他们的目标除了提升20nm产能之外，也争取开始量产1x nm工艺的RAM芯片。

原文说的这个1x nm等同于18nm工艺，但实际上并没有这么简单，并不是从数字20到18这么简单，如果制程只是改变了2个nm，厂商肯定不会这么大动干戈。在存储芯片从20+nm进入10+nm工艺之后，厂商对工艺的描述已经不再使用具体的数字了，20nm之后是1x nm工艺，再往后则是1y nm工艺，还有1z nm工艺的说法，至于XYZ具体的含义，由于每家公司的工艺并不一样，所以缺少详细的解释。

SK Hynix拒绝紫光巨额投资的一大原因就是害怕中国公司一旦获得了NAND技术就会用低价击垮其他竞争对手，甚至摧毁整个市场，这方面已经有LCD液晶及LED两个先例了。不过话说回来，紫光背后代表的是中国庞大的市场，SK Hynix不可能不动心，而且现在NAND市场基本上被四大家族垄断，SK Hynix在最新的NAND市场上排名只是第五，落后于三星、东芝、闪迪及美光，如果与中国公司达成合作，借助中国低廉的生产成本，SK Hynix可以更好地与对手竞争。

韩国时报援引欧美投行分析师的话称SK Hynix虽然拒绝了紫光的投资协议，但还是很想跟紫光合作的，有意签署专利授权协议，让紫光为SK Hynix代工NAND闪存等产品，这样可以降低成本，扩大SK Hynix的市场占用率。

此外，韩国政府一样存在着技术转移限制，虽然不如美帝那般苛刻，不过韩国也始终提防着中国公司，企图保持自己的技术制高点优势，这也让SK Hynix、紫光成立合资公司的难度加大，只不过中国公司在半导体领域崛起是大势所趋，正如中国研制C919大飞机一样，但在自己开发的过程中，波音、空客也同样没有放弃中国市场。