SK海力士表示，其以量产HBM3的经验为基础，成功开发出全球最高性能的扩展版HBM3E，并凭借业界最大规模的HBM供应经验和量产成熟度，计划明年上半年开始将HBM3E投入量产。SK海力士希望通过HBM3，实现牵引AI技术革新的最高性能，持续在用于AI的存储器市场保持独一无二的地位。同时随着高附加值产品HBM的供应比重持续加大，加速SK海力士的业绩反弹。

据了解，SK海力士技术团队在HBM3E产品上采用了Advanced MR-MUF2最新技术，散热性能与上一代相比提高了10%。HBM3E还具备了向后兼容性，使用HBM3的客户无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。

根据SK海力士说法，早在今年2月份，就已经将LPDDR5T的样品提供给了联发科进行测试。从描述的内容来看，很可能是天玑9300移动平台，预计会在今年年内发布。此前SK海力士曾透露，计划向客户提供容量为16GB的LPDDR5T样品，数据处理速度为77GB/s。

SK海力士相信在下一代LPDDR6问世之前，大幅度拉开技术差距的LPDDR5T内存可以主导市场，能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存储器的需求增长。LPDDR5T内存的应用范围不仅限于智能手机，还能扩展到人工智能（AI）、机器学习（ML）、以及增强/虚拟现实（AR/VR）。

据SK海力士介绍，24GB LPDDR5X DRAM封装产品依旧在JEDEC规定的1.01V至1.12V超低电压范围下运行，数据处理速度为68GB/s，相当于每秒可以传输13部全高清级别的电影。自上个月进入量产后，已供货给智能手机制造商OPPO，用于新款旗舰机型“一加 Ace2 Pro”，新品很快便会上市销售。

SK海力士强调：“公司将HKMG（High-K Metal Gate）工艺引入LPDDR5X 24GB封装产品中，可同时体现业界最高水平的能效和性能。此次将目前唯一的24GB高容量封装产品添加到公司移动DRAM组合中，今后可以更广泛地应对客户的要求。”

相比于常规的DRAM，低功耗是LPDDR5X最有竞争力的特性之一，SK海力士利用HKMG工艺，既提高了性能，又降低了功耗，实现了积极的扩展和高效率。SK海力士DRAM营销担当副社长朴明秀表示，这类型内存不仅适用于移动设备，也将扩展到PC、服务器、高性能计算（HPC）和汽车等领域。

这次SK海力士带来的是321层1Tb TLC 4D NAND闪存，首次向外界展示了现阶段开发的样品，并会介绍开发的进展情况。SK海力士表示，会进一步完善321层NAND闪存，初步计划在2025年上半年进入量产阶段。据SK海力士介绍，321层1Tb TLC NAND闪存的效率比上一代238层512Gb提高了59%。这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高，在相同芯片上实现更大存储容量，进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

随着近期Chat GPT引发的生成型AI市场的需求增长，存储更多数据的高性能、高容量存储器需求也在急剧增加。SK海力士也在本次活动中，推出了针对这些需求而进行优化的下一代NAND产品解决方案：采用PCIe 5.0接口的企业级固态硬盘（Enterprise SSD, eSSD）及UFS 4.0。SK海力士希望借助这些能够达到世界级领先性能的产品，充分满足追求高性能客户的需求。

此外，SK海力士还透露，正在积极开发下一代PCIe 6.0和UFS 5.0产品，以致力于在未来继续引领市场。

财报显示，SK海力士在2023财年第二财季的收入为7.3059万亿韩元（约合56.98亿美元/人民币407.6亿元），同比减少47%，环比增长44%；营业亏损为2.8821万亿韩元（约合22.48亿美元/人民币160.82亿元），相比去年同期是由盈转亏，不过环比增长15%；净亏损为2.9879万亿韩元（约合23.3亿美元/人民币166.71亿元），相比去年同期是由盈转亏，环比减少16%。同时营业损失率为39%，净损失率为41%。

SK海力士表示，用于AI的存储器需求强势将在今年下半年得到延续，半导体存储器企业的减产效果或将逐渐明显，今后将以HBM3、高性能DDR5和LPDDR5 DRAM等用于AI的存储器、基于176层NAND闪存的SSD为中心，持续提高销售业绩，从而加速改善下半年业绩。SK海力士还会提升第五代10纳米级（1b）DRAM和238层NAND闪存的初期量产良率和质量，在市况好转时快速提升量产比重。

SK海力士财务担当副社长（CFO）金祐贤表示，虽然SK海力士的投资规模同比减少50%以上的基调没有变化，但将利用通过经营效率化确保的资金，针对今后主导市场的高容量DDR5、HBM3 DRAM，持续投资扩大生产能力。此外，存储器半导体市场以第一季度为低点，开始呈现恢复态势。SK海力士将以高性能产品技术竞争力为基础，为快速改善业绩做出努力。

根据统计，半导体市场2023年第一季度的收入为1205亿美元，相比2022年第四季度下降了9%。 半导体市场是有周期性的，比如在2020年第四季度至2021年第四季度期间，随着全球处于疫情阶段，市场需求增加，经过了多个季度连续上涨。

内存和MPU是重灾区，直接影响了整个半导体市场的收入。2023年第一季度MPU市场的收入为131亿美元，规模仅为2022年第一季度（200亿美元）的65%。内存市场情况更糟糕，2023年第一季度的收入为193亿美元，规模仅为2022年第一季度（436亿美元）的44%。在2023年第一季度里，内存和MPU两个细分市场的收入合计下降了19%，拖累整个半导体市场环比下降9%。

过去三个季度里，存储器市场遭遇动荡也让市场份额排名出现了变化。 一年前，按收入计算的前五家半导体公司中有三家来自内存领域，分别是三星、SK海力士和美光，现在只有三星仍排在前十名。 上一次SK海力士和美光没有进入前十名是在2008年，这说明了以内存产品为重点的半导体公司现今所面临的困境。

过去一年里，存储器三巨头（三星、SK海力士和美光）先后决定减产，以稳定价格并控制库存水平，经过长时间的努力，业界普遍预计今年第三季度会出现反弹，需求将超过供应。据了解，服务器DDR5内存的出货比例已经从今年第一季度的10%增加到第二季度的30%以上，预计出货量按季度增加35%以上。

分析称，SK海力士的HBM类存储产品上领先于竞争对手，同时也是唯一一家大规模生产128GB容量DDR5内存的厂商，在这些市场领域里都拥有最大的市场份额，使其在这股人工智能浪潮中获益最多。

238层4D NAND闪存是世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。其数据传输速率为2.4Gbps，相比前一代产品提高了50%，芯片读写性能也有约20%的改善。

据了解，SK海力士计划在完成智能手机客户的验证后，首先会向移动端产品供应238层NAND闪存，随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5.0标准的PC平台SSD和数据中心级高容量SSD产品等。SK海力士表示，会继续突破NAND闪存技术局限，并加强竞争力。

SK海力士表示，1bnm工艺技术的成功研发，意味着可以向全球客户供应高性能与高效能功耗比兼备的DRAM产品。SK海力士希望今年开始量产最先进的1bnm工艺技术产品，以业界最高DRAM竞争力水平改善今年下半年业绩。此外，SK海力士还打算将1bnm工艺技术扩展到LPDDR5T、HBM3E等高性能产品。

近期SK海力士的财务状况并不好，上个月公布的2023财年第一财季财务报告显示，因存储器半导体市场持续低迷，需求疲软和产品价格下跌，该季度营收环比减少，且营业亏损加大。为此SK海力士决定以DDR5服务器DRAM和HBM等高性能DRAM、采用176层NAND的SSD、uMCP产品为中心的销售，以提升营业收入。

财报显示，SK海力士在2023财年第一财季的收入为5.0881万亿韩元（约合38.04亿美元/人民币263.33亿元），同比减少58%，环比减少34%；营业亏损为3.4023万亿韩元（约合25.43亿美元/人民币176.24亿元），相比去年同期是由盈转亏，环比减少79%；净亏损为2.5855万亿韩元（约合19.33亿美元/人民币133.81亿元），相比去年同期是由盈转亏，环比减少25%。同时营业损失率为67%，净损失率为51%。

SK海力士表示，随着第一季度客户的库存转为下跌趋势，并且第二季度起存储器减产将使供应商的库存减少，预计下半年市场环境将得到改善。此外，随着面向ChatGPT等人工智能场景的服务器市场规模增长，采用高容量存储器的客户在增加，这一点也将对市场产生积极影响。为此SK海力士决定以DDR5服务器DRAM和HBM等高性能DRAM、采用176层NAND的SSD、uMCP产品为中心的销售，以提升营业收入。

SK海力士财务担当副社长（CFO）金祐贤表示，今年DDR5、LPDDR5、HBM3等产品呈现需求增长趋势，SK海力士将以这些产品为中心，继续巩固人工智能时代高端市场的领导地位。

SK海力士认为，随着人工智能聊天机器人（AI Chatbot）产业的发展，高端存储器需求也随之增长，决定从今年下半年起，将新款HBM3 DRAM推向市场，以满足市场需求。SK海力士已向合作伙伴提供了24GB HBM3 DRAM样品，客户对此产品都抱有极大的期待。

据了解，SK海力士的技术团队在新产品中采用了先进（Advanced）MR-MUF3和TSV4技术，通过先进MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性，又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠，实现了与16GB产品相同的高度。

HBM DRAM是实现需要高性能计算的生成式AI所必要的存储器半导体产品，第一代HBM DRAM在2013年首次亮相。最新规格的HBM3 DRAM被认为能够快速处理庞大数据的首选产品，目前大型科技公司的需求也在不断扩大。

3D DRAM是一种具有全新结构的存储芯片，打破了原有的模式。目前DRAM产品开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度，但随着线宽进入10nm范围，电容器漏电和干扰等物理限制明显增加，为此业界通过引入high-k材料和极紫外（EUV）设备等新材料和新设备。不过对于各个DRAM制造商而言，想要制造10nm或更先进的小型芯片仍然是一个巨大的挑战。

与当前的DRAM市场不同，3D DRAM领域暂时没有绝对的领导者。美光在3D DRAM技术竞争中起步较早，且专利数更多，三星和SK海力士可能会加快3D DRAM商业化进程，尽快地进入大规模生产阶段，以便更早地抢占市场。

目前三星和SK海力士能量产的最尖端DRAM采用的大概为12nm的工艺，考虑到越来越接近10nm，在未来的三到四年内，全新结构的DRAM芯片商业化几乎是一种必然，而不是选择。

相比于CPU和GPU，尽管DRAM使用的半导体工艺推进的速度要慢得多，但几乎所有的DRAM制造商都在不断地缩小制程节点。存储器不太热衷于采用新工艺，一定程度上是因为更先进的制程节点对DRAM的性能改善并没有CPU和GPU那么明显。

SK海力士和三星是DRAM制造商里仅有的两家采用EUV技术的厂商，在1βnm工艺上都引入了EUV技术，目前的DRAM大概能到12nm左右。去年三星就宣布，已开发出1βnm工艺的16Gb DDR5 DRAM，并与AMD完成了兼容性验证。

SK海力士称，正在对SK Trichem造成的设备生产中断和更换零件等情况进行必要的审查，会按照合同条款对SK Trichem要求赔偿。目前SK海力士已暂停从SK Trichem采购材料，直到问题解决为止。

为了应付未来一段时间的生产，SK海力士所需的high-k材料暂时由UP Chemical和M Chemical供应。其中UP Chemical在数年前被国内企业收购了96.28%的股权，这是全球仅有的三家实现半导体存储芯片SOD产品稳定量产供应的半导体材料厂商之一。

SK Trichem表示，这次的原因是其提供的high-k材料的纯度有问题，导致某些设备的压力增加，从而出现停产。high-k材料属于前驱体材料，沉积在DRAM电容器的原子水平上，由于电容器直接决定DRAM的性能，因此high-k材料的质量至关重要。目前SK Trichem仍在为SK海力士同一生产线的其他设备提供材料，并计划在本月末向SK海力士恢复供应，提供符合质量要求的产品。