SK海力士表示，从2023年6月量产当时最高的238层NAND闪存产品，并向市场供货，现在又率先推出了超过300层的NAND闪存，再一次突破了技术界限。这次的新产品积极应对了面向人工智能（AI）的低功耗、高性能新市场，并逐渐扩大其应用范围。

SK海力士在这次产品开发过程中采用了高生产效率的“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。SK海力士的技术团队也将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层新品，由此最大限度地减少了工艺变化，相比上一代产品的生产效率提升了59%。

在SK海力士看来，率先投入300层以上的NAND闪存量产，在攻占用于AI数据中心的固态硬盘、端侧AI等面向AI的存储市场方面占据了有利地位。使得SK海力士不仅在以HBM为代表的DRAM市场占得先机，也在NAND闪存领域具备了超高性能存储器产品组合，跃升为“全方位面向AI的存储器供应商”。

据TrendForce报道，电动汽车制造厂商特斯拉（Tesla）最近与SK海力士洽谈，将大批量购入eSSD，价值高达1万亿韩元（约合7.2亿美元/人民币51.3亿元）。特斯拉希望SK海力士能够大规模、长期稳定地供应eSSD。

进入人工智能时代后，因需要更快速地处理大量数据，eSSD正在逐步取代过往的HDD，成为服务器首选的存储设备。与HDD相比，eSSD的体积更小、功耗更低、处理速度更快，随着AI服务器需求提升，eSSD订单急速增加。有报告称，eSSD可以在五年内将电子成本降低至HDD的五分之一，并且将总成本降低46%。SK海力士由于其子公司Solidigm可以提供性价比更高的QLC eSSD，带动了NAND闪存业务的增长。

此前特斯拉首席执行官埃隆-马斯克（Elon Musk）曾表示，特斯拉每年在AI服务器和半导体上投资约100亿美元，以增强自动驾驶和机器人所需的AI技术。显然SK海力士在QLC eSSD的强大竞争力吸引了特斯拉的注意，从而准备签下大额订单。

财报显示，2024财年第三季度的收入为17.5731万亿韩元（约合127.2亿美元/人民币906.77亿元），同比/环比增长94/7%；营业利润为7.03万亿韩元（约合50.89亿美元/人民币362.75亿元），同比扭亏为盈，环比增长29%，继续保持着5万亿韩元以上的水平；净利润为5.7534万亿韩元（约合41.65亿美元/人民币296.88亿元），同比扭亏为盈，环比增长40%；营业利润率为40%，净利润率为33%。

SK海力士表示，营业利润和净利润也大幅超过半导体超级繁荣期的2018年第三季度（营业利润为6.4724万亿韩元，净利润为4.6922万亿韩元）的业绩记录，这得益于面向AI的存储器需求以数据中心客户为主持续表现强势。尤其是HBM产品的销售额大幅增长，实现环比增长70%以上、同比增长330%以上。此外，DRAM和NAND闪存产品的平均售价（ASP）都环比增长10%以上，推动了营业利润创下历史新高。

展望未来，SK海力士将持续投资于通用人工智能（AGI）的研发，实施以高附加值产品为主扩大销售并确保盈利的战略，顺应面向AI的存储器需求的增长趋势。在DRAM方面，第三季度DRAM总销售额中HBM产品占据了30%的比重，预计第四季度将达到40%，同时12层HBM3E产品按计划将在今年第四季度开始供货。在NAND闪存方面，SK海力士专注于投资效率和生产优化的同时，将扩大目前市场需求迅速增长的高容量eSSD的销售。

SK海力士强调:“自2013年全球首次推出第一代HBM（HBM）至第五代HBM（HBM3E），公司是唯一一家开发并向市场供应全系列HBM产品的企业。公司业界率先成功量产12层堆叠产品，不仅满足了人工智能企业日益发展的需求，同时也进一步巩固了SK海力士在面向AI的存储器市场的领导者地位。”

据官方的介绍，12层堆叠的HBM3E采用了12颗3GB DRAM芯片，实现与现有的8层产品相同的厚度，同时容量提升50%。为了实现此目标，SK海力士将单个DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技术（TSV）技术垂直堆叠。此外，SK海力士还解决了将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题，将先进MR-MUF工艺应用到新产品中，放热性能较上前一代提升了10%，并增强了控制翘曲问题，从而确保了稳定性和可靠性。

SK海力士确认，将在年内向客户供应最高性能、最大容量的12层HBM3E产品。

SK海力士表示：“CXL作为继HBM之后的下一代面向AI的存储器产品而备受瞩目，公司自主研发的CXL优化软件HMSDK，其性能已获得国际认可，并成功应用于全球最大的开源操作系统Linux中。这标志着不仅是如HBM等超高性能硬件实力方面，公司的软件竞争力也获得广泛认可，具有重大意义。”

HMSDK能够根据传统存储器与扩展CXL存储器之间的带宽差异，灵活进行差异化存储分配。在无需对现有应用程序进行任何调整的前提下，实现了存储器组合的带宽扩展30%以上。该软件还具备“基于访问频率的优化”功能，能够将高频使用数据迁移至更快的存储器中，从而使性能较传统系统提升了12%以上。

今年下半年，首批支持CXL 2.0标准的服务器处理器就会出现，标志着CXL内存模块将正式进入商业化阶段。目前SK海力士正对96/128GB的CXL 2.0内存模块进行客户验证，并计划在年底实现量产。

上个月SK海力士系统架构副总裁Park Kyung出席了在韩国首尔举行的学术活动，其中谈及了人工智能（AI）与存储器的进展和相互关系，认为现有的HBM产品不能完全满足GPU的需求，而传统的DRAM主要是为了协助CPU完成任务，新型的CXL内存模块能缓解人工智能负载对内存容量和带宽需求上的压力，从而提高整体系统性能。

SK海力士在Semicon Taiwan 2024上还指出，定制化将成为HBM的一个重要趋势，标准和定制HBM之间的主要区别在于基础逻辑芯片，因为已经集成了客户的IP，不过两者具有相似的核心芯片。与其他DRAM产品不同，HBM在定价和设计方面将越来越多地脱离标准DRAM框架，转向更专业的生产。

此前有报道称，为了将HBM4E的性能提升到一个新的水平，SK海力士计划推出一种能够实现计算、缓存和网络内存等多种功能的HBM类型。现阶段这只是一个概念，为了实现这一目标，SK海力士已开始着手半导体设计工作。

事实上，SK海力士对直接将逻辑芯片与HBM堆栈集成特别感兴趣，同时客户也对3D封装表现出了兴趣。SK海力士打算在未来三年内将小芯片技术集成到其内存控制器中，以改善成本管理。SK海力士表示，Chiplet不仅应用于HBM产品，还将用在SSD的SoC主控上。

据Business Korea报道，Park Kyung强调人工智能系统的性能严重依赖于内存，现有的HBM产品不能完全满足GPU的需求，而传统的DRAM主要是为了协助CPU完成任务，但现在的大型语言模型（LLM）需要处理尽可能多的数据，要求存储芯片尽可能地靠近，这意味着现有的系统架构需要改变，从半导体到应用程序都必须同时改变，才能解决问题。

Park Kyung进一步阐述了SK海力士为解决这些问题所做的努力，积极地开发96GB的DDR5和支持CXL 2.0的128GB内存模块，并计划今年下半年实现商用化。Park Kyung认为，CXL内存模块能缓解人工智能负载对内存容量和带宽需求上的压力，从而提高整体系统性能。

Compute EXpress Link（CXL）作为一种开放性的互联协议，最新规范已来到CXL 3.0。其建立在PCIe 5.0标准的物理和电气接口上，能让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，满足现今高性能异构计算的要求，并提供更高的带宽及更好的内存一致性。

SK海力士和三星都认为，CXL是继HBM之后引领存储器市场的新技术，计划加大投入，加速CXL技术开发，以抢占先机。

SK海力士是在基于目前最高性能的1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺扩展平台上，以最高效的方法开发出1cnm工艺。SK海力士技术团队认为，由此不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误，还可以最有效地将业界内最高性能DRAM转移到新工艺。在这个过程中，SK海力士运用了新材料，并针对EUV适用工艺进行了优化，以确保成本竞争力。与此同时，SK海力士在1cnm工艺上也进行了设计技术革新，与前一代1β (b) nm工艺相比，生产率提高了30%以上。

这次1cnm DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，运行速率为8Gbps，与前一代相比速度提高了11%，另外能效也提高了9%以上。随着AI时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，SK海力士称改用1cnm DDR5 DRAM后，可以为数据中心节省30%以上的电费。

SK海力士表示，新的1cnm工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力，计划应用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先进DRAM主力产品群，由此为客户提供差别化的价值。

据Wccftech报道，SK海力士副总裁Ryu Seong-su在一次活动上透露，正在努力通过推出高端下一代HBM内存产品来快速创新该领域。SK海力士计划进一步完善AI价值链，目标是开发一种新的HBM，性能大约是当前产品的20至30倍，以在竞争激烈的HBM市场中获得领先地位。

此外，SK海力士还会将重点放在产品差异化上。不过SK海力士并没有透露具体是什么类型的HBM，或者具体是什么样的产品。

为应对用于人工智能市场需求的大幅增长，此前SK海力士与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。随后SK海力士确认，将加快HBM代际更迭周期，从HBM3E开始，由以往的两年变成了一年，HBM4E最早会在2026年出现。

为了将HBM产品的性能提升到一个新的水平，传闻SK海力士计划推出一种能够实现计算、缓存和网络内存等多种功能的HBM类型。SK海力士称，已经得到了人工智能市场主要科技公司的极大兴趣，包括苹果、微软、英伟达和谷歌等，未来将满足客户的定制要求。

据TrendForce报道，三星在存储器领域的主要竞争对手SK海力士，计划2026年引入ASML下一代TWINSCAN EXE:5200系统，并增加内部High-NA EUV开发人员的数量。与三星打算将High-NA EUV首先用于晶圆代工业务不同，SK海力士有望用在最先进的DRAM产品上。SK海力士暂时没有透露具体的计划内容，比如安装设备的工厂或者追加投资方向等。

传闻ASML手上已经收到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，包括英特尔、台积电、三星、SK海力士、以及美光。ASML至今生产了8台TWINSCAN EXE:5000，这是第一代High-NA EUV产品，其中英特尔占据了最多的数量，近期将迎来第二台High-NA EUV光刻机，而三星则是ASML首批产品的最后一个订单客户。

由于High-NA EUV光刻机定价较高，有传言称达到了3.8亿美元，使得半导体制造商在投资上普遍都比较谨慎。

由于HBM产品具备较高的附加值，为了满足市场的强劲需求，存储器制造商普遍将更多的产能转移到HBM芯片生产上，从而导致普通DRAM芯片供应变得紧张。据相关媒体报道，有业内人士透露，由于HBM3和HBM3E挤占产能，加上下游AI服务器订单增加，坚定了SK海力士涨价的决心，计划上调DDR5的价格，幅度在15%至20%。

DRAM市场上仅次于三星、SK海力士和美光，位于第四位的南亚科技（Nanya），最近已经开始量产DDR5，预计将从这次涨价中受益。其出货的是16Gb DDR5芯片，采用了目前DRAM中最为微细化的1β (b) nm（第五代10nm级别）技术。

此前SK海力士称，2024年的HBM产能已经售罄，2025年的产能也基本被预订完了，计划将现有20%以上的DRAM产能分配给HBM，减少了DDR4和DDR5芯片的供应。随着SK海力士的产能转移，加上对DDR5的定价进行调整，预计会逐步反映到市场上。

SK海力士首席执行官郭鲁正表示：“非常感谢美国商务部的支持，并为实现这一转型项目而感到兴奋。目前我们正在推进印第安纳州生产基地的建设，与印第安纳州、普渡大学、以及我们在美国的商业伙伴合作，以便在西拉斐特供应领先的人工智能内存产品。我们还期待建立一个新的人工智能技术中心，为印第安纳州创造熟练的就业机会，并帮助全球半导体行业建立一个更强大、更有弹性的供应链。”

今年4月，SK海力士宣布在美国印第安纳州西拉斐特建造适于人工智能（AI）的存储器先进封装生产基地，计划向该项目投资38.7亿美元，预计将创造约1,000个工作岗位。同时还与包括普渡大学在内的当地研究机构合作，进行半导体的研究和开发。

在去年的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，SK海力士首次展示了全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发300层以上NAND闪存的公司，并计划2025年上半年开始进入量产阶段。其属于1Tb TLC 4D NAND闪存，采用了PUC（Peri Under Cell）技术，将外围控制电路放置在存储单元下方，相比传统的外围电路侧置设计，可减少芯片占用空间，

不过在400层及以上NAND闪存上，SK海力士将采用不同于现有321层NAND闪存的结构，而是在两块晶圆上分别制造外围电路和存储单元，然后通过W2W（晶圆对晶圆）的混合键合技术，将两部分整合为完整的NAND闪存。这种做法听起来似乎有点熟悉，因为铠侠与西部数据合作开发的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术也采用了类似的制造方法。

SK海力士希望能够加快NAND闪存技术的开发，将未来两代产品的间隔时间缩短至1年，这明显低于业界1.5至2年的平均水平。

SK海力士表示表示：“GDDR具备了专用于图形处理的性能和高速度的特性，全球人工智能应用客户对其关注度日益增加。顺应这一趋势，公司已于今年3月份开发完成最新规格的GDDR7，此次正式推出并将于今年第三季度开始量产，将搭载于最新款显卡上。”

SK海力士准备的GDDR7速率达到了32Gbps，相比前一代产品提高了60%以上，根据使用环境速率最高可达到40Gbps。在提供更快速度的同时，GDDR7的能效与前一代产品相比提升了50%以上。

为了解决超高速处理数据所导致的芯片发热问题，SK海力士在GDDR7产品研发过程中采用了新的封装技术。SK海力士将用于封装的放热基板从四层增至六层，并在封装材料中使用具有高导热性的环氧树脂模塑料（EMC）。不但维持了相同的产品尺寸，而且与前一代产品相比，成功地将GDDR7的热阻减少了74%。

SK海力士希望通过GDDR7，进一步加强了其高端存储器产品线，并发展成为客户最为信赖的人工智能存储器解决方案企业。