事实上，ChatGPT的出现似乎给存储器制造商带来了转机。据Business Korea报道，今年年初以来，三星和SK海力士的HBM订单量激增，价格也水涨船高，给低迷的DRAM市场注入了一丝活力。

相比于普通的DRAM，HBM通过堆叠方式实现了更高的带宽，与CPU及GPU协同工作中，可以提高机器学习和计算性能。除了英伟达和AMD的计算卡，近期英特尔也发布了首款采用HBM内存的x86处理器Xeon Max，上面也使用了HBM2e，越来越多涉及AI的高性能芯片选择HBM。

虽然HBM有着更强的性能，但比起普通DRAM出货量要少很多，这是由于其平均售价是普通DRAM的三倍，需要复杂的生产工艺和先进的生产技术。随着ChatGPT的出现，AI再次成为了热点，对高性能计算芯片的需求增加，也让HBM受惠。英伟达最新的H100计算卡采用了最新的HBM3，据了解，与最高性能DRAM相比，目前HBM3的价格最高上涨了五倍。

此外，存储器制造商还在原有HBM基础上集成AI引擎。此前三星就推出了HBM-PIM（Aquabolt-XL）芯片，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式计算能力，使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。通过在每个内存模块内注入了一个AI处理器，从而将处理操作转移到HBM本身，从而减轻了内存与一般CPU之间转移数据的负担，未来还会扩展到DDR4、DDR5、LPDDR5X、GDDR6和HBM3内存上。SK海力士也在去年宣布开发出具备计算功能的GDDR6-AiM（Accelerator-in-Memory/内存加速器），将计算功能添加到速率为16 Gbps的GDDR6上。

有业内人士表示，存储器制造商仅依靠制造工艺的时代已经过去，加入数据处理能力的AI半导体技术的发展将变得非常重要，可能决定芯片制造商的未来。从中长期来看，HBM-PIM这类型专用DRAM芯片的发展将使半导体行业发生巨大变化。

财报显示，SK海力士在2022财年第四财季因需求不振、产品价格下降，业绩由盈转亏。其收入为7.6986万亿韩元（约合62.56亿美元/人民币423.42亿元），营业亏损为1.7012万亿韩元（约合13.82亿美元/人民币93.57亿元），净亏损为3.5235万亿韩元（约合28.63亿美元/人民币193.79亿元）。同时营业损失率为22%，净损失率为46%。这是SK海力士自2021年第三季度以来，首次出现季度营业亏损。

SK海力士2022财年全年的收入为44.6481万亿韩元（约合362.79亿美元/人民币2455.65亿元），营业利润为7.0066万亿韩元（约合56.93亿美元/人民币385.36亿元），净利润为2.4389万亿韩元（约合19.82亿美元/人民币134.14亿元）。2022财年的营业利润率为16%，净利润率为5%。

SK海力士重申了去年10月发布财报时的说法，预计场上供过于求的情况将持续一段时间，今年的投资规模减少50%或以上，估计在10万亿韩元左右。不过SK海力士仍计划持续投资DDR5/LPDDR5、HBM3等主力产品的量产和未来高成长领域，为扩大基于技术力的新市场做好准备，当市况好转时快速扭亏为盈。

有业内人士表示，SK海力士现在的CMOS图像传感器开发团队更像是一支研发队伍，而不是销售与宣传的团队。CMOS图像传感器广泛用于智能手机和IT产品，而SK海力士以往只是一个专注于20MP或更低分辨率低端产品的小玩家。SK海力士从2021年开始向三星供应CMOS图像传感器，比如用于Galaxy A系列产品。

由于受到经济衰退及电子消费端需求低迷等影响，市场对CMOS图像传感器的需求有所下降，压力主要来自于智能手机。对于面向中端机型的供应商来说尤其痛苦，单价也会因此而下降。传言SK海力士近期一直在减少图像传感器的产量，同时减少库存。

SK海力士计划近期向客户提供LPDDR5T内存样板，为16GB容量的封装，数据处理速度为77GB/s，最终在下半年推进产品的量产。在SK海力士看来，在推出8.5 Gbps的LPDDR5内存后，仅相隔两个月就再次突破技术局限，为客户提供多种容量的所需产品，可进一步巩固其DRAM市场领导地位。

SK海力士相信在下一代LPDDR6问世之前，大幅度拉开技术差距的LPDDR5T内存可以主导市场，能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存储器的需求增长。LPDDR5T内存的应用范围不仅限于智能手机，还能扩展到人工智能（AI）、机器学习（ML）、以及增强/虚拟现实（AR/VR）。

SK海力士DRAM商品企划负责副社长柳成洙表示：

“跟进英特尔Sapphire Rapids的上市，我们正在与多数客户为扩大DDR5的采用进行紧密合作，将在持续增长的服务器市场中巩固领先地位。”

此次英特尔的DDR5认证里，SK海力士还成果获得了1ynm（第二代10nm级别）工艺DDR5的认证。SK海力士将以此为技术基础，为客户提供16Gb、24Gb等多种DDR5产品，提升服务器DRAM的销量。

SK海力士还与英特尔合作发行了DDR5白皮书，其中包含了DDR5的优点及基于Sapphire Rapids的1αnm级DDR5优秀性能等内容，对于采购SK海力士DDR5服务器DRAM的客户来说，可作为参考资料使用。

SK海力士确认了CES 2023参展产品阵容，包括一系列企业级SSD、CXL存储器、GDDR6和HBM3产品等，强化服务器用存储器市场领先企业地位。其中企业级SSD为PS1010 E3.S，这是由176层4D NAND构建的产品，支持PCIe 5.0标准，相比上一代产品，读写速度分别最高可提升130%和49%，还带来了75%以上的能耗比改善，有望降低客户的服务器运营费用和碳排放量。

针对高性能运算（HPC），SK海力士除了提供最高性能HBM3，还有添加了运算功能、PIM技术的GDDR6-AiM，以及灵活扩张存储器容量和性能的CXL存储器。SK海力士NAND商品企划负责人表示：“在世界最大规模的展会中推出能够解决服务器客户痛点的SSD产品，感到非常自豪。期待以搭载自主开发的控制器与固件的产品为基础，公司的NAND事业竞争力进一步加强。”

SK海力士采用了全新的方法来提高DDR5的数据传输速率，一般情况下，DDR5的运行速度取决于单个DRAM芯片的速度，而SK海力士另辟蹊径，通过提高整个模块的速度来实现更高的速度，并非单个DRAM芯片。该产品设计时，以英特尔MCR技术为基础，利用安装在MCR DIMM上的数据缓冲器（data buffer）同时运行两个内存列。

据SK海力士介绍，传统DRAM模块每次只能向CPU传输64个字节的数据，而在MCR DIMM模块中，两个内存列同时运行可向CPU传输128个字节的数据。这样的设计使得每次传输到CPU的数据量增加，数据传输速率提高到8 Gbps以上，是单个DRAM的两倍。

SK海力士还与英特尔、瑞萨电子进行紧密合作，将自身DRAM模块设计能力与英特尔至强处理器、瑞萨电子的缓冲器技术融为一体，并加快了开发到性能验证等各个阶段的速度。

SK海力士预计，在高性能计算对于内存带宽提升需求的驱动下， MCR DIMM模块的市场将会逐步打开。SK海力士计划在未来量产该款产品，不过没有透露具体的时间。

SK海力士提供的1y nm、1a nm 16 Gb DDR5 DRAM模块，以及1a nm 24Gb DDR5 DRAM模块，可在第四代EPYC服务器处理器上实现4800 Mbps的支持，相比现有的DDR4产品多提供50%的内存带宽。SK海力士还提供了CXL存储器，这是一个容量为96GB的产品，基于1a nm 24Gb DDR5 DRAM模块构建，为客户提供高满意度，灵活配置带宽和容量、以及经济高效的扩展。

SK海力士DRAM产品规划和支持负责人Sungsoo Ryu表示，与AMD的合作将加强SK海力士作为服务器市场内存解决方案供应商的领导地位，最新的EPYC 9004系列服务器处理器将为SK海力士新的DDR5和CXL存储产品铺平道路，为市场提供卓越的性能。

相比于常规的DRAM，低功耗是LPDDR5X最有竞争力的特性之一，这是由于移动设备功率有限，因此有必要尽可能地延长使用的时间，这就是降低功耗与提高运行速度同样重要的原因。SK海力士利用HKMG工艺，既提高了性能，又降低了功耗，可谓是一石二鸟，实现了积极的扩展和高效率。

随着低功耗LPDDR5X的引入，移动设备充电一次就可以使用更长的时间了。同时这次SK海力士的LPDDR5X数据传输速率提高到了8533 MT/s，比前代产品快了33%，以提高包括5G通信性能、汽车高分辨率增强现实/虚拟现实和使用AI的边缘计算等应用场景的内存性能。

近年来，SK海力士在移动DRAM上紧跟市场趋势，研发投入相当大。去年SK海力士就量产了18GB的LPDDR5，这也是目前业界同类产品中最大的容量。随着这次集成HKMG工艺的LPDDR5X的推出，以更少的电力消耗提供了更快的速度，SK海力士进一步巩固了其在内存半导体领域的领导地位。

SK海力士还公布了截至2022年9月30日的2022财年第三季度财务报告，显示因全球宏观经济环境恶化，DRAM和NAND产品需求低迷，销量和价格均有所下降，因此营收和利润均出现下滑。

财报显示收入为10.983万亿韩元（约合77.26亿美元/人民币559.3亿元），环比下降20%，同比下降7%；营业利润为1.656万亿韩元（约合11.65亿美元/人民币84.33亿元），环比下降61%，同比下降60%；净利润为1.103万亿韩元（约合7.76亿美元/人民币56.17亿元），环比下降62%，同比下降67%。其中营业利润率为15%，净利润率仅为10%。

SK海力士预计，市场上供过于求的情况将持续一段时间，因此决定将明年的投资规模减少50%或以上，估计在10万亿韩元左右。SK海力士表示，今后计划以利润相对较低的产品为中心，减少产量，意思是在一定时期内，将投资维持在较低的水平，等待市场恢复供求平衡。

据了解，目前SK海力士继续在推进这方面的开发工作，接下来会提供192GB容量的产品。SK海力士在现场还展示了256GB的DDR5-5600 RDIMM，可以让服务器每个插座达到4TB容量（八通道，每通道两个RDIMM）。

SK海力士还解释为什么会推出48GB和96GB这样非常规容量内存的原因，推测可能与价格有关。DDR5在初期比DDR4内存要贵得多，如果容量继续翻倍提升，无论系统容量还是构造成本之间的差距较大，从容量上突破可以为客户提供一个相对折中的解决方案。

这种非常规容量的DDR5内存不会是SK海力士的专属产品，传闻美光和三星都打算这么做，正在开发48GB和96GB的DDR5 RDIMM，不过没有在现场展出。可以预见，至少在服务器上，内存容量将改变过往容量以2次幂递增的历史。

2012年，在半导体产业的缩减投资趋势下，SK海力士在亏损状态下大幅度增加超过10%的投资，最后在年末成功扭亏为盈。到了2015年，SK海力士在市场不透明的情况下，为了应对即将到来的存储器半导体繁荣期，果断决定投资建设利川M14工厂，在2017年开始运营两年后，业绩创下新高。在SK海力士看来，在经营环境剧变的情况下，先发制人的投资可以强化竞争力。

SK海力士在2015年以“未来展望”为中心的计划中，宣布了持续10年的投资。除了利川M14工厂，随后又追加了清州M15和利川M16工厂。虽然近期全球经济低迷，供应链也不稳定，市场需求急剧下滑，但SK海力士认为存储器半导体市场的变动周期有缩短的趋势，市场会在2024年开始恢复，2025年逐渐提升，M15X工厂正是为了提早应对扩张而建设的，SK海力士希望其承担重要的角色。

早在2018年，SK海力士就研发了96层NAND闪存，超越了传统的3D方式，导入了4D架构，为此SK海力士采用了电荷捕获型技术（Charge Trap Flash，CTF）和PUC（Peri. Under Cell）技术。相比3D方式，4D架构芯片具有单元面积更小、生产效率更高的优点。自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来，时隔仅1年7个月，SK海力士就成功完成了新一代技术的研发，推出了这款238层NAND闪存。

SK海力士NAND闪存开发负责人Jungdal Choi表示，基于4D NAND闪存技术，SK海力士成功研发了全球首个238层NAND闪存，进而确保了成本、性能、产品质量等层面的全球领先竞争力，其意义非凡，未来将持续创新并不断突破技术瓶颈。

据了解，SK海力士计划在客户端产品中首先采用238层NAND闪存，随后再延伸到智能手机和大容量服务器SSD等产品上。明年SK海力士还会发布1Tb密度的全新238层NAND闪存，密度是现有产品的两倍。

基于PCIe的CXL作为一种开放性互联协议，拥有更高的带宽，能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，满足现今高性能异构计算的要求，并且提供更高的带宽及更好的内存一致性。SK海力士从CXL联盟成立之初就积极参与其中，主导了CXL存储器的发展。

SK海力士表示，该DDR5 DRAM CXL存储器是一款96GB产品，采用了最新技术节点1anm DDR5 24Gb DRAM，通过灵活的带宽配置和经济高效的容量来进行扩展，从而更具有经济性的优势，以满足客户的需求。

为了进一步扩大CXL存储器生态系统，SK海力士开发出专用的HMSDK（Heterogeneous Memory Software Development Kit，异构存储器软件开发套件），计划于今年第四季度，作为开放源代码发布，并配备可适用于多种驱动环境中的系统性能提升功能和监控功能，这将有助于用户更有效地使用SK海力士的CXL存储器。

SK海力士目前已准备了验证使用的样品，并计划在今年8月初在全球闪存峰会（Flash Memory Summit，FMS）、9月底在英特尔技术创新峰会（Intel Innovation）、以及10月的开源计算项目全球峰会（Open Compute Project，OCP）上依次展示实物产品。