来自韩国businesskorea网站的消息，SK Hynix总裁Lee Seok-hee日前在该公司400多名员工参与的活动上宣布了这条消息，新的工作制度是SK Hynix CEO活动期间宣布的“心连心”管理系统的核心内容之一。

SK Hynix的员工正常会在60岁退休，但根据新的工作制度，具备高技术技能的工程师无论是否达到了退休年龄都可以正常工作，即便超过了60岁的退休年龄，也能继续参与研发、生产及分析等工作。

SK Hynix公司目前的员工总数约为2.5万人，其中工程师数量约为1万人，占到了员工总数的40%。

Businesskorea认为SK Hynix宣布的这个措施是半导体行业防止技术人才流失到外部的举措。中国的半导体公司，比如福建晋华、长江存储等公司正在高薪吸纳三星、SK Hynix公司的工程师，这是一个公开的秘密，因此韩国公司如何管理退休劳动力比以往任何时候都要重要。

也正因为此，SK Hynix推出这一政策可以鼓励高技术工程师充分利用他们的专业知识及能力，同时提到对公司的忠诚度。

韩国半导体产业的一位官员表示这一政策很可能在未来更加广泛地传播到韩国半导体产业。

今年10月份SK Hynix才刚刚建成最新的M15晶圆厂，这是2015年全球最大的存储芯片工厂M14落成时SK Hynix宣布的46万亿韩元投资计划中的一部分，M15工厂位于韩国忠清南道的清州市，投资额高达15万亿韩元，主要生产3D NAND闪存，初期将生产现在的72层堆栈3D NAND，不过明年初就会转向96层堆栈的3D NAND闪存。

M15工厂之后就是现在的M16工厂了，本周三也就是19日正式举行开工典礼，预计2020年正式建成，总投资额还没确定，不过也不会低于15万亿韩元，其中基础设施建设就要3.5万亿韩元，战地面积30英亩。这座工厂最终会生产DRAM内存还是NAND闪存都没确定，SK Hynix表示这要看落成时的市场需求以及工厂的技术水平来决定。

不过有一点可以肯定的，M16工厂将会用上最先进的EUV光刻工艺——存储芯片跟逻辑芯片不同，虽然对EUV光刻工艺的需求没那么高，不过三星、SK Hynix依然计划在未来使用EUV工艺生产存储芯片，而美光对EUV的态度就比较保守，未来两代的内存芯片依然不会用到EUV光刻工艺。

在韩国之外，SK Hynix在中国无锡也有DRAM芯片晶圆厂，目前的一期工程产能在10-12万片晶圆/月，是全球重要的DRAM芯片基地之一。今年早些时候SK Hynix还宣布投资86亿美元在无锡建设第二座内存工厂，预计完成后内存产能将达到20万片晶圆/月。

今年7月份SK Hynix就通过SK Hynix System IC（简称SHSI）子公司跟无锡实业发展集团达成合作协议，后者出资3.5亿美元与SHSI成立合资公司，占股49.9%，SHSI占股50.1%。双方将在无锡建设一座200mm晶圆厂，SK Hynix将把韩国首尔东南部130公里外的清州M8工厂生产线部分设备转移到中国无锡的工厂，预计2019年完成新工厂建设。

双方合资的200mm晶圆厂相比满大街的300mm晶圆厂不算先进，不过SK Hynix的代工重点主要是模拟IC芯片生产，比如传感器、电源管理芯片等等，并不需要太先进的工艺，200mm晶圆厂也够了。

SK Hynix日前新增的1000万美元投资还没有确定具体用途，视厂房兴建计划才能决定。

SK Hynix的内存及闪存芯片很出名，不过晶圆代工业务才刚起步，去年子公司SK Hynix System IC营收2.6亿美元，只占全球晶圆代工市场的0.4%，在全球仅排名24位，跟前面的几家代工厂是完全不能比的，所以SK Hynix现在加大投资，扩大晶圆代工业务，分散业务重心，减少内存及闪存在未来继续跌价对公司的影响。

中国无锡是SK Hynix投资的重点，从2005年SK Hynix建设DRAM内存工厂到现在的13年里，SK Hynix总计在无锡市投资110多亿美元。除了内存及代工晶圆厂之外，此前SK Hynix还宣布投资3亿美元在无锡兴建一座综合性医院。

在内存涨价这个问题上，中国的发改委、商务部等主管部门已经多次约谈过相关厂商。今年早些时候，中国的发改委与三星电子正签署谅解备忘录，双方将在半导体行业加深合作，三星会扩大在中国的投资。

中国商务部反垄断调查局5月24日与美光代表举行了会议，对过去几个季度中内存芯片价格持续上涨表示担忧，涨价导致中国PC OEM公司面临很大的零部件压力。除了涨价事宜之外，这次约谈还有美光公司涉嫌不正当竞争有关，此前曾干扰上游供应商向中国福建晋华集团提供设备。

三星、SK Hynix及美光是全球主要的DRAM芯片供应商，三家占据了全球95%的份额，三星一家就占到全球的46%份额。2017财年三家公司半导体业务在中国营收依次分别为253.86亿美元、89.08亿美元、103.88亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

如果依据中国《反垄断法》第四十六、第四十七、第四十九条进行处罚，他们将会被处以上一年度销售额1%-10%的罚款，且需要考虑违法行为的持续时间，因此从2016年开始计算的话，三家公司的反垄断罚款额预计在8-80亿美元之间。

不过三星、美光及SK Hynix的反垄断调查最终结果还没有出炉，国新办今天上午就中国《反垄断法》实施十周年有关情况及展望举行新闻发布会。国家市场监督管理总局反垄断局局长吴振国在发布会上表示，根据举报，今年5月底市场监管总局对三星、海力士、镁光公司涉嫌实施垄断行为立案开展调查，从三家公司调查获取了大量证据资料。随后，又对数十家下游企业开展了调查取证，并对取得的证据资料进行梳理和甄别。

他表示，立案调查以来，三家公司的相关负责人也到市场监管总局反垄断局就案件进行沟通，反垄断局也向三家公司通报了案件的调查情况。目前，对这三家公司的反垄断调查已经取得了重要进展，下一步反垄断局将对案件的相关市场界定、市场支配地位的认定、市场支配地位的行为定性等方面开展研究论证，依法做好案件调查处理工作，维护市场公平竞争，保护消费者利益。

DDR5是新一代内存标准，相关规范今年已经公布了，除了这次量产的SK Hynix之外，三星、美光之前也宣布了旗下的16Gb DDR5内存了，三星今年甚至宣布了移动版的LPDDR5-6400内存了。SK Hynix现在宣布的16Gb DDR5号称是首个完全满足JEDEC标准的DDR5内存芯片，使用的也是1Ynm工艺。

性能及功耗方面，DDR5内存的电压从DDR4的1.2V降至1.1V，功耗降低了30%，频率则达到了DDR5-5200，带宽比DDR4-3200内存高了大约60%。

SK Hynix的DDR5-5200内存也是目前官宣中性能最高的，各方面很好很强大，但是DDR5没这么快上市，SK Hynix明确表示他们会在2020年量产DDR5内存，也就是至少还有一年多时间。在SK Hynix之前，美光也宣布过DDR5内存量产计划，他们预计会在明年底开始量产DDR5内存。

根据SK Hynix援引的IDC的数据，2021年的时候DDR5内存将会占到整个内存芯片市场的25%，2022年占到44%的份额。不过他们的这个数据还是很乐观的，早前Cadence预测DDR5内存的份额在2020年会翻倍，但不超过主流市场的10%，2021年份额增加到15%，而在2022年达到25%，届时DDR4内存份额降至15%，DDR5完成逆袭DDR4的使命，不过这时候依然算不上普及。

IC Insights的TOP15半导体厂商排名统计的主要是各大厂商的半导体芯片销售额，并没有对厂商进行分类，里面既有自产自销的IDM模式半导体公司，比如英特尔，也有台积电这样的纯晶圆代工厂，还有高通、NVIDIA这样的无晶圆公司，所以有部分营收数据是重复计算的，不过这个排名可以看出整个行业中半导体公司谁最大。

根据IC Insights的数据，2018年预计TOP15半导体厂商的总营收将达到3811.6亿美元，相比2017年增长18%。

具体来看，三星公司今年营收将达到832.58亿美元，同比增长26%，坐稳全球第一大半导体公司的位置。

英特尔公司2018年的营收也将达到701.54亿美元，同比增长14%，但与三星的差距继续扩大，英特尔保持了25年之久的半导体第一估计是永远不可能追回来了，除非英特尔的存储芯片业务极速扩大。

去年排名第三的台积电TSMC今年被SK Hynix超越，后者全年营收将达到377.3亿美元，同比大涨41%，是TOP15公司中增速最高的，而台积电今年的营收将达到342.1亿美元，同比增长6%。

美光依然排名第五，但营收从去年的239亿美元大幅增长33%到318亿美元。

第六、第七是博通、高通，不过这两家公司今年的营收增长不太好，博通今年只增长4%，而高通是下降了3%，是TOP15厂商中唯一下降的。

东芝公司今年营收将达到154.1亿美元，同比增长16%，超越TI德仪成为第八，TI德仪增长8%，排名第九。

NVIDIA排名第十，名次没变化，不过营收将达到129亿美元，同比大涨37%，增长速度仅次于SK Hynix公司，而且他们不是做存储芯片的，从这一点上来说NVIDIA今年的表现更加优秀。

TOP15中排名提升最多的是西数/闪迪，2018年营收将达到94.8亿美元，同比增长21%。

总的来说，今年的TOP15排名中，存储芯片领域的厂商依然是最大赢家，营收增长速度是大幅领先其他行业的（除了NVIDIA之外），其中NAND芯片厂商营收涨幅还不算夸张，涨幅高的主要是DRAM厂商，比如SK Hynix、美光，三星26%的涨幅虽然看起来不算过高，但是这跟三星的存储芯片构成有关，如果只算DRAM芯片，其业绩涨幅肯定也会远超30%以上。

8Gb DDR4-3200内存颗粒本身并不新鲜，三星/SK Hynix/美光两年前就有类似的产品了，不过这次的8Gb DDR4内存芯片是1Ynm工艺，这是1Xnm工艺之后第二代10nm级DRAM工艺，三星、美光之前已经宣布过类似的产品，现在是SK Hynix试产新工艺了。

在20nm节点之后，DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确，所以有了1Xnm、1Ynm及1Znm之分，简单来说1Xnm工艺相当于16-19nm，1Y工艺相当于14-16nm，1Znm工艺大概是12-14nm级别，现在三星、美光及SK Hynix是进行到了第二代10nm级工艺，不过三家量产的产品不同，三星、美光都是选择LPDDR4X内存首发1Ynm工艺，SK Hynix选择的是1Ynm工艺的DDR4-3200内存。

除了工艺升级，SK Hynix还表示他们的1Ynm工艺8Gb DDR4芯片在生产效率上提升了20%，性能也是目前最快的。此外，通过Sense Amp.Control技术，1Ynm工艺的DDR4芯片能耗降低了15%，

根据SK Hynix的规划，1Ynm工艺的DDR4内存预计会从明年Q1季度开始出货，首先面向服务器及PC产品，接下来还会有针对移动设备等产品的1Ynm工艺内存芯片。

根据SK Hynix之前公布的信息，所谓的4D NAND闪存其实也是3D NAND，它是把NAND闪存Cell单元的PUC（Peri Under Cell）电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND闪存，本质上其实还是3D NAND，4D NAND闪存有很强的商业营销味道。

SK Hynix的4D NAND闪存首先会量产TLC类型的，核心容量分别是512Gbt、1Tb，都是96层堆栈，IO接口速度1.2Gbps，不过两者的BGA封装面积是不一样的，1Tb版显然更大一些。

至于QLC类型的，这个未来会是SK Hynix量产的重点，核心容量1Tb，但量产时间会在明年下半年，还需要一些时间。

韩联社报道称，SK Hynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4D NAND闪存，TLC类型，核心容量512Gb，与现有的72层堆栈3D NAND闪存相比，4D NAND闪存的核心面积减少了30%，单片晶圆的生产输出增加了50%，而且性能也更强——读取速度提升30%，写入速度提升25%。

根据官方所说，4D NAND闪存今年内会量产，而主要生产基地就是刚刚落成的M15工厂，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。

不论是处理器芯片还是存储芯片，现在的半导体生产几乎都离不开光刻机，上不上EUV光刻工艺主要是看需求及成本，逻辑芯片工艺对EUV工艺是最有需求的，7nm被公认为大量应用EUV工艺的节点，越往下就越依赖EUV工艺。

DRAM内存对EUV工艺需求并不迫切，毕竟目前最先进的DRAM工艺依然在18nm以上，所以美光之前表态即使到了1α及1β工艺工艺节点，也没有必要使用EUV工艺。

美光不用不代表其他DRAM厂商不用，三星对EUV工艺是最激进的，此前被爆在1Ynm节点就会尝试EUV光刻工艺，最快在2020年量产EUV工艺的1Ynm内存芯片。

来自韩国媒体的消息，除了三星之外，SK Hynix在韩国利川市新建DRAM工厂，也在研发EUV工艺的DRAM内存芯片。

使用EUV工艺的好处是可以提高光刻精度，减小线宽，降低内存单位容量成本，不过EUV工艺目前还不够成熟，产能不如普通的光刻机，这还需要时间改进。

早在2015年8月份的时候，SK Hynix在当时全球最大的存储芯片工厂M14落成时宣布了46万亿韩元（当时约合382亿美元）的十年期投资计划，M14工厂位于韩国利川市，主要生产DRAM内存，投资15万亿韩元，而在忠清南道的清州市还会建设一座3D NAND工厂M15，利川市未来还会再建设M16工厂，主要生产DRAM芯片。

来自韩国媒体的报道称，清州市的M15工厂将在10月4日举行竣工典礼，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。初期将生产现在的72层堆栈3D NAND，不过明年初就会转向96层堆栈的3D NAND闪存，后者是目前最新一代的3D NAND技术，与72层NAND闪存相比，在速度、容量及能效方面提升了30-40%。

随着全球NAND闪存的需求增长，主要的厂商都在加大对NAND闪存的投资。三星在中国西安投资70亿美元建设了第二座NAND工厂，预计明年底在西安开始生产48层到64层堆栈的NAND闪存。东芝最近在日本建立了类似的NAND工厂，YMTC长江存储完成了32层NAND闪存的开发，计划今年底开始生产。

对SK Hynix公司来说，M15工厂的建成也有助于他们减少对DRAM内存的依赖性，今年Q2季度该公司占据全球DRAM内存市场份额的29.6%，NAND闪存市场排名第四，份额为11.1%，去年DRAM内存占了公司利润额的90%。

无锡是SK Hynix在中国市场投资的重点，自2005年在当地建设内存工厂之后，无锡已经是SK Hynix全球最重要的内存芯片工厂之一，目前每月产能约为10-12万片晶圆，并且还在扩建产能中，而今年初SK Hynix还宣布了另外86亿美元的投资计划，将在无锡建设DRAM内存工厂第二期，产能高达20万片晶圆/月，落成后将是全球最大的内存工厂之一。

除了存储芯片业务，SK Hynix还在无锡市投资建设一些社会项目，这次3亿美元建造医院就是计划中的一部分，去年4月份SK Hynix公司CEO朴成旭拜会了无锡市委市政府，达成了在无锡建造医院的合作计划。

从韩国Plusnews的报道来看，SK Hynix建设的医院是一座三级综合性医院，配有手术、肿瘤及透析中心，初期会有700到800张床位，后期会根据需要扩展到1500到2000张床位。

从2005年SK Hynix建设DRAM内存工厂到现在的13年里，SK Hynix总计在无锡市投资110多亿美元。

Digitimes援引业内人士的消息称三星、SK Hynix都打算推迟产能扩容计划，因为客户需求放缓导致DRAM内存及NAND闪存价格在2019年上半年下滑。

消息人士称全球NAND闪存在今年Q3季度中依然处于供过于求的状态，尽管这是传统旺季。供应商持续增加64层及72层堆栈的3D NAND闪存产能，再加上已经饱和的笔记本、智能手机市场导致的需求增长有限，这些都是NAND降价的原因。

此外，消息人士还提到市场上还充斥着不合格的NAND闪存芯片，这对闪存芯片价格进一步产生负面影响。Q3季度中NAND闪存价格可能会下跌10-15%，Q4季度中价格还会再降15%。

内存方面，DRAM合约价也出现了下跌迹象，消息人士称随着供过于求，预计Q4季度内存芯片价格也会开始下跌。

NAND闪存及DRAM内存价格将在2019年上半年遇到下行压力。

消息人士称，行业领导者三星之前主要为自家的SSD及其他产品供应3D NAND闪存，今年Q3季度开始对外提供存储芯片。消息人士称三星也在放慢3D NAND闪存产能扩张的计划，新产能不可能在2019年上半年上线。

此外，三星还被曝暂停在了韩国华城和平泽工厂为1ynm工艺的DRAM芯片增加新的产能的计划，原本三星计划在Q3季度增加每月3万片晶圆的产能。

消息人士称SK Hynix也计划放慢新的3D NAND芯片产能扩张的计划的步伐。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前公布了2018年Q2季度全球DRAM内存芯片市场报告，当季营收达到了236.91亿美元，相比Q1季度的230.76亿美元增长了11.3%，创造了新的营收记录。

Q2季度中，DRAM芯片平均涨价3%左右，而显卡所用的图形显存涨幅达到了15%，DRAMeXchange表示这主要是Q2季度中挖矿显卡需求升温所致。

至于Q3季度，7月份各大公司的合约价已经谈判差不多了，一线大厂的均价约为34.5美元，Q3季度的合约价涨幅约为1.5%，而PC内存的涨幅在Q3季度将大幅放缓。从Q3季度的情况来看，各大厂商在下半年将提高产能，DRAM内存的需求增长相当有限，DRAM颗粒价格继续高涨的基础并不存在，预计Q4季度就是DRAM内存的价格巅峰了。

具体来看下各大厂商的排名，三星依然是市场NO.1，Q2季度中营收112.07亿美元，环比增长8.2%，市场份额43.6%。

SK Hynix公司Q2季度营收75.85亿美元，环比大涨了19.5%，市场份额29.9%。

第三位的是美光，而且涨价幅度是三大厂商中最高的，不过因为之前的工厂氮气问题，导致美光Q2季度出货位元容量与Q1季度持平，营收环比增长6.3%到55.41亿美元，市场份额21.6%。

在这三大厂商中，三星的价格涨幅是最低的，但这主要是Q1季度三星DRAM颗粒的价格基数就已经很高，还有一个影响因素就是中国监管部门已对几大公司展开了反垄断调查，给了三星一些压力。此外，三星最新的1Y nm工艺DRAM颗粒还在客户验证阶段，因此Q2季度的毛利率维持在69%，跟Q1季度持平。

其他两家中，SK Hynix的毛利率从61%提升到63%，美光的毛利率也从58%提升到60%，意味着三大厂商的毛利率全面突破了60%，三星则是接近70%。