英特尔的3D NAND和存储业务一直专注于服务器和企业存储市场，而SK海力士则几乎面向所有存储领域，在整合后不可避免地会失去一些客户。将英特尔的存储业务部门作为一个独立实体，有助于减少双方在存储市场重叠造成的客户流失，但不确定新成立的子公司是否还会继续开发自己的3D NAND闪存。

SK海力士与英特尔这笔价值90亿美元的交易里涉及的条款有点复杂，即便想进行整合也并不轻松。在获得全球各地监管机构批准后，SK海力士将向英特尔支付70亿美元，购买包括英特尔位于中国大连的工厂在内的NAND闪存业务。交易在2025年3月份完成后，SK海力士会向英特尔支付剩余的20亿美元，购买剩下的资产。在此期间，英特尔的工厂会继续正常生产，直到合同最终完成。

此前SK海力士还向其合作伙伴提供了相关的DDR5芯粒和工程样品，与即将推出的处理器进行验证。今年下半年量产之后，在消费市场上将满足英特尔Alder Lake平台的需求，到了明年上半年，还会为服务器市场的Sapphire Rapids处理器服务。SK海力士在声明中透露：

“今年下半年开始供应通过EUV（极紫外）设备量产的1a nm级工艺技术的DRAM，以及DDR5 DRAM的量产。”

在这个月初，SK海力士宣布会在本月开始量产基于1a nm级工艺技术的8Gigabit（Gb）LPDDR4移动端DRAM产品，这属于第四代10nm制程技术，是专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。新产品的速率将稳定在4266 Mbps，是标准LPDDR4移动端DRAM规范中最快的传输速率。与上一代的1z nm级工艺技术相比，在使用相同尺寸晶圆的情况下，生产的DRAM产品数量增加了25%，功耗将降低20%。

明年初开始，SK海力士会将1a nm级工艺技术应用于旗下的DDR5产品，代替第一代DDR5产品。除了启动DDR5的批量生产外，SK海力士还将扩大128层NAND闪存在移动端和企业级产品的使用，并会在今年晚些时候量产176层NAND闪存。

SK海力士表示，非常期待新技术带来的生产力提升，并在成本上进一步提升竞争力。预计采用1a nm级工艺技术可以在使用相同尺寸晶圆的情况下，生产的DRAM产品数量比前一代的1z nm级工艺技术增加25%，这有助于缓解全球市场的供应短缺情况。随着技术的迁移，越来越多的半导体企业采用EUV光刻设备生产芯片，一家半导体企业在技术上的领先取决于如何充分利用DUV光刻设备。

新产品的速率将稳定在4266 Mbps，是标准LPDDR4移动端DRAM规范中最快的传输速率，同时功耗将降低20%，SK海力士将从明年初开始将1a nm级工艺技术应用于旗下的DDR5产品。在未来，三星和美光都将启用EUV光刻设备生产DRAM产品，但美光会更晚一些，按计划要等到2024年。

24万片DRAM晶圆并不算是一个小数目，这种规模的事故可能涉及多个SK海力士的晶圆厂在数周内生产的产品，或者某个晶圆厂在过去几个月内生产的DRAM，不过对于晶圆厂在不同制造阶段的全面质量控制检测机制，这两种情况几乎都不可能发生。

如果真的有24万片DRAM晶圆出问题，很可能对全球供应和价格产生影响，特别是现阶段个人电脑及其他方面对DRAM的巨大需求，早已处于供不应求的状态。DRAM制造商的库存一般都很低，通常只有三到四周，而PC制造商平均达到十周。根据相关调查机构的数据，2021年第二季度DRAM价格比第一季度上涨了18%-23%，预计第三季度会比第二季度再高3%-8%。

目前制定HBM标准的JEDEC尚未正式发布HBM3标准规范，SK海力士作为HBM的主要推动者，一直致力于下一代HBM的研发工作。据TomsHardware报道，在SK海力士的网站上，HBM3产品显示正在“研发中”，达到了5.2 Gbps的I/O速度，提供665 GB/s的带宽，这两个数值高于HBM2E的3.6 Gbps和460 GB/s，分别提高了44.4%和44.6%。当然这不是SK海力士对于HBM3的最终目标，已经有其他厂商宣布会拓展到7.2 Gbps的I/O速度。

现在超算或FPGA类的设备会使用4-6个HBM2E堆栈，以获得1.84-2.76 TB/s的带宽。如果更换成HBM3，将得到2.66-3.99 TB/s的带宽。在2020年初，SK海力士从Xperi Corp获得了DBI Ultra 2.5D/3D互连技术的授权，专门用于高带宽内存解决方案，支持2.5D、3D整合封装，还能集成不同尺寸和不同工艺制程的IP模块，可用于高集成度的CPU、GPU、ASIC、FPGA和SoC。

SK海力士没有透露HBM3的发布日期，预计不会这么快进入消费级市场应用在显卡上。过往AMD在Radeon显卡上使用了HBM作为显存，但是目前仅计划用在CDNA架构的加速卡上，暂时英特尔和英伟达的规划也和AMD类似。

根据统计机构TrendForce的数据，SK海力士和英特尔共占据全球NAND闪存市场份额的20%左右。如果SK海力士在收购以后可以保持这样的市场份额，将成为世界第二或第三大闪存供应商。SK海力士希望这笔交易可以更好地发展自身的闪存业务，使客户、合作伙伴、企业员工和股东都能受益。近期SK海力士官方表示，会继续加大投入研发新技术，同时提高产能，以占据更多的市场份额。

SK海力士和英特尔期望2021年获得所有监管机构的批准，以便于按照时间表推进交易。在得到批准后，SK海力士将向英特尔支付70亿美元，购买包括英特尔位于中国大连的工厂在内的NAND闪存业务。预计交易最终会在2025年3月份完成，届时SK海力士会向英特尔支付剩余的20亿美元，购买剩余资产。与此同时，英特尔的工厂会继续正常生产，直到合同最终完成。

图：韩国总统文在寅与政府官员在三星位于京畿道平泽市晶圆厂建筑工地出席活动（来自韩联社）

另一方面，韩国政府宣布了新的税收减免政策，从国家战略高度扶持半导体业的发展。据《韩国先驱报》报道，韩国总统文在寅在出席活动的时候强调，韩国要在芯片制造方面赶超全球，同时概述了韩国在半导体产业的未来计划，表示：

“韩国将实现成为世界顶级集成设备制造商的目标，包括在2030年前成为系统级芯片制造商。基于韩国半导体产业的实力，韩国还将在所有产业的占据竞争优势，在后新冠病毒时代实现新的飞跃。通过私营部门和政府的协作和共同努力，韩国将克服全球供应链的风险浪潮。”

文在寅的讲话围绕的是韩国政府的“K-半导体战略”进行的，该战略计划在2030年前，在韩国国内建立全球最大规模的半导体产业供应链“K-半导体产业带”。

根据韩国政府的新政策，像三星和SK海力士这样的企业，半导体研发和设备投资的税收减免上限最高将提升至40-50%和10-20%。三星副总裁兼设备解决方案事业部负责人金基南在评论芯片行业现状的时候表示：

“即使在韩国一直在存储器市场上处于领先，竞争也变得越来越激烈。整个半导体行业都面临着一个分水岭，现在是制定长期战略和投资计划的时候了。对于内存业务，三星一直保持其无可争议的领导地位，我们将继续以先发制人的战略进行投资，而不是努力保持位置，以扩大永远无法缩小的差距，同时引领整个行业发展。”

三星还介绍了将EUV技术应用在内存模块的计划，通过引入极紫外光刻技术，实现较小的晶体管尺寸。要做到这一点，韩国仍然要依赖荷兰ASML（阿斯麦尔）的设备。目前，ASML已在韩国华城投资，除了建立办事处和开办培训中心，更为关键的是，打算为EUV设备设立一个再制造部门。

出席活动的SK海力士公司代表也阐述了企业的相关计划，并表示：

“我们将投资8英寸晶圆代工业务，以支持国内无晶圆厂（系统半导体设计公司）企业的开发和批量生产，并进军全球市场。我们可以扩大半导体产品的供应范围。”

近期世界各国都将半导体业的发展放在了重要的位置，甚至提升到国家层面的高度，纷纷加大投入，无论在东亚地区、北美地区和欧洲地区，都将其视为未来的主导产业。随着这一系列的动作，将使全球进入芯片军备竞赛，而且未来一段时间内会持续升温。

目前英国竞争与市场管理局已经在官网发布公告，邀请各方对SK海力士收购英特尔NAND闪存业务之间的交易发表意见，希望可以在5月11日之前将这些意见搜集好，届时将开始第一阶段的调查。英国竞争与市场管理局在公告里写道：

“CMA正在考虑该交易是否生效，是否会出现2002年《企业法》规定里的合并情况。如果是，这种情况的产生是否会导致联合王国内任何一个或多个市场的商品或服务的竞争大幅减少。为了协助评估，CMA邀请任何感兴趣的人对交易发表评论。”

根据统计机构TrendForce的数据，SK海力士和英特尔共占据全球NAND闪存市场份额的20%左右。如果SK海力士在收购以后可以保持这样的市场份额，将成为世界第二或第三大闪存供应商。这笔交易使得NAND闪存主要制造商的数量减少到五家，市场竞争会减少，监管机构可能会向SK海力士提出相关要求以批准该笔交易。

SK海力士和英特尔预计世界各地的监管机构将在2021年底之前批准这笔交易，在得到批准后，SK海力士将向英特尔支付70亿美元，购买包括英特尔位于中国大连的工厂在内的NAND闪存业务。预计交易最终会在2025年3月份完成，届时SK海力士会向英特尔支付剩余的20亿美元，购买剩余资产。与此同时，英特尔的工厂会继续正常生产，直到合同最终完成。

其中索尼以44％的收入份额在智能手机图像传感器市场上排名第一，虽然仍是第一，但是与去年同期的50%份额相比有所减少。排名第二的是三星LSI，占有32%的份额，第三名是OmniVision，占有9%的份额。在整个2020年上半年，排名前三的供应商总共的市场份额将近85％。

该公司高级分析师Jeffrey Mothews表示：“图像传感器市场受到智能手机中对配置有2MP和8MP像素传感器的多摄像头配置的乐观需求推动，并且高像素传感器（例如64MP和108MP像素）的出货量增加也进一步推动了图像传感器市场在2020年上半年的增长。此外，由于三星、OmniVision和SK Hynix的竞争加剧，使得索尼在2020年上半年的市场份额有所下降。”

SK Hynix在东京设立了图像传感器实验室，虽然目前所占份额很小，但在未来却被视为一匹黑马。与韩国政府加强非内存业务的国家政策一致，三星和SK Hynix都在努力通过将一些DRAM生产线改造为图像传感器生产线来应对存储市场的低迷，以继续保持产能和盈利能力。

索尼这边，自9月中旬以来，索尼不得不停止向华为出售图像传感器，据估计，该部分的年销售额为数千亿日元。另一方面，三星在中国的图像传感器业务以华为以外的中型智能手机供应商为中心，所以没有受到禁令的约束，因此未来索尼的份额有可能下降，而三星的份额将来可能会增加。

SK海力士的128层TLC NAND闪存提供了高达1Tb的容量，在1.2V的电压下可实现1400Mbps的数据传输速率，可以实现高性能低功耗的移动解决方案及企业级SSD。而1Tb的容量可以在更少的芯片数量下实现相同的容量。

相比于96层TLC NAND闪存，采用CTF（Charge Trap Flash）及PUC（Peripheral Under Cells）技术以及各种优化使得SK海力士能将工艺步骤减少5%，并且每个晶圆的产量提升40%。

SK海力士称这是首款批量生产的128层 1Tb TLC 4D NAND闪存芯片，而这也仅离SK海力士批量生产96层4D NAND闪存芯片8个月，足以见得其研发实力。新款的3D TLC闪存芯片提供目前最多的128层堆叠，而且容量提升到1Tb，SK海力士也是第一个将1Tb TLC NAND闪存商业化的厂商。TLC闪存芯片也占据了目前85%的市场份额，其性能及可靠性也更加优异。

到明年上半年，SK海力士承诺将基于新的1Tb 3D TLC闪存芯片推出UFS 3.1存储产品，而到了2020年晚些失火，SK海力士还会推出采用自己控制器的2TB消费级SSD以及用于数据中心的16TB及32TB的服务器SSD。

而SK海力士的脚步还没有停下来，已经在开发176层的4D NAND闪存，继续增强其产品竞争力。

由于NAND闪存价格的下跌及供需关系不确定导致了各家厂商都开始加速技术升级，提升其成本结构。更高层数的NAND闪存也会使SSD容量更大，消费者也能够购买到更大容量的SSD。

SK Hynix海力士半导体（中国）有限公司自2005年在锡设立以来，历经5期重大投资建设，累计投资额达105亿美元，是国内半导体投资规模最大﹑技术最先进的项目，也是江苏省单体投资规模最大的外商投资项目。目前在无锡的内存厂每月产能高达13万片晶圆，占据SK Hynix公司近一半产能，占全球产能约为15%。

2017年6月，SK海力士无锡二工厂项目正式开工，项目总投资86亿美元，经过一年多的建设，4月18日工厂正式竣工。昨天无锡市委市政府领导、SK Hynix CEO李锡熙、韩国驻上海总领事崔泳杉等人出席了竣工仪式。

SK Hynix无锡二厂达产之后，月产能将达到18万片12英寸晶圆，年销售额预计为83亿美元，这将是全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10纳米级DRAM产品生产基地，可将SK Hynix在中国DRAM市场上的份额从目前的35%提升到45%的水平。

SK Hynix无锡二厂宣布开工正是DRAM内存价格高涨的时候，不过时至今日DRAM内存价格江河日下，18万片/月的产能对内存市场的供应来说影响可不小，尽管现在还不会立即达到目标产能，但是无锡工厂的产能大增对全球DRAM内存价格可能是雪上加霜，导致DRAM内存价格持续下滑。

当然，对消费者来说，DRAM内存降价就不是什么坏事了，8GB内存单条跌倒200元是很多人都在期待的好事。

在欧盟的反垄断调查名单里，英特尔、谷歌、微软、Facebook等美国公司是欧盟的常客，三星也不例外，从显示器到智能IC再到手机等产品都遭遇过欧盟的反垄断调查，内存反垄断也不是第一次，2010年5月份欧盟就针对三星、Hynix、英飞凌、尔必达等9家公司开出了4亿美元的罚单，理由是这9家公司成立了价格联盟，其中三星是被罚款最多的，将近占了总罚款额的一半。

与9年前相比，如今的内存市场更加寡头化了，当时还有9家内存芯片厂商被罚，但是此前名单中的英飞凌、尔必达、NEC、东芝、日立要么破产、要么被收购、要么就退出内存市场了，如今内存市场是三星、SK Hynix及美光为主，三家占了全球份额的95%以上。

2016年内存涨价刚开始，就有分析认为这次的内存全球性缺货并不完全是市场因素，怀疑背后有人操控价格的大有人在，不过反垄断调查这事往往要经历很多年的调查，想要拿出有说服力的结果并不容易，欧盟的反垄断调查也只是刚开始问询，未来走向如何还言之过早。

在欧盟之前，中国商务部下属的反垄断部门曾经调查了三大厂商，当时有媒体报道称中国反垄断机构派出多个工作小组，分别对三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的办公室展开“突袭调查”和现场取证，标志着中国反垄断机构正式对三家企业展开立案调查。

如果依据中国《反垄断法》第四十六、第四十七、第四十九条进行处罚，他们将会被处以上一年度销售额1%-10%的罚款，且需要考虑违法行为的持续时间，因此从2016年开始计算的话，三家公司的反垄断罚款额预计在8-80亿美元之间。

路透社称，SK Hynix公司本周四宣布将投资1070亿美元建设四家晶圆厂，在韩国首尔以南450万平方米的场地上，2022年会开始建设两座新的存储芯片晶圆厂，与现有的两座工厂比邻而居，未来十年投资高达55万亿韩元，约合490亿美元。

路透社称SK Hynix大手笔建厂试图在中国努力成为先进芯片制造国的过程中保持其竞争优势。

尽管这两年全球智能手机销售不振导致芯片热炒放缓，但SK Hynix正在为5G及AI人工智能等技术带来的需求激增做准备。“虽然目前自动驾驶汽车对芯片的需求不足，但我相信未来10年里，最早在2023-2024年自动驾驶汽车对芯片的需求就会更多。”，Mirae Asset的分析师Kim Young-gun表示这将为SK Hynix创造更多芯片需求，未来几年的5G市场也会如此。

CNBC称SK Hynix的这项计划加剧了全球最大的存储芯片出口国韩国与中国之间的竞争，中国一直在积极鼓励投资芯片制造业，以减少与美国贸易争端中的进口依赖。

中国是世界上最大的芯片进口国，2017年进口价值2700多亿美元的芯片，超过了原油进口总额。

SK Hynix表示投资计划需要经过当地部门批准，未来将有超过50家国内外供应商进入距离韩国首都40公里外的龙仁工厂。

这家芯片制造商在中国无锡还有第三家工厂，该公司表示尚未确定产能增加。（注：SK Hynix在中国无锡除了有一期晶圆厂之外，还投资了36亿美元建设二期工厂，并且一期工厂也在扩增产能中）

该发言人Olivia Lee告诉路透社，“这确实是一项长期投资，我们的策略可能会根据市场情况改变。”

DDR5是新一代内存标准，相关规范去年已经公布了，三星、美光之前也宣布了旗下的16Gb DDR5内存了，三星去年甚至宣布了移动版的LPDDR5-6400内存了。SK Hynix去年宣布了16Gb DDR5号称是首个完全满足JEDEC标准的DDR5内存芯片，使用的也是1Ynm工艺，频率达到了DDR5-5200，带宽比DDR4-3200内存高了大约60%，是目前已宣布的DDR5内存中频率最高的，距离标准上限DDR5-6400MHz也没多远了。

至于DDR5的量产时间，SK Hynix明确表示他们会在2020年量产DDR5内存，也就是至少还有一年多时间。在SK Hynix之前，美光也宣布过DDR5内存量产计划，他们预计会在2019年底开始量产DDR5内存。总之，不论哪家内存芯片公司，量产DDR5内存的时间都不会很早，2020年才是起步时间。

但在技术研发方面，DDR5内存的工作是已经完成了，下一步就是DDR6内存了，韩国先驱导报援引SK Hynix公司内存研发人员Kim Dong-kyun的消息称，他们已经开始预研DDR6内存了，预计需要5-6年时间才能完成。

目前业界还没有统一的DDR6规范，SK Hynix方面提出了DDR6内存的两个方向，一个是继续目前不断提升频率/带宽的技术路线，另一个则是跟系统技术结合起来，比如跟CPU结合，目前都没有定论呢。

继续提高频率的话，DDR6内存的频率将达到12Gbps，比目前的DDR5内存标准上限DDR5-6400再翻一倍，带宽也会翻倍，意味着单条内存带宽能达到100GB/s。

不过现在说的这些依然只是DDR6内存技术的潜在选择，5年后内存市场变化会很大，DDR6标准依然是起步阶段，提升频率只是其中一个方向，未来3D堆栈的内存技术必然会对DDR内存发起挑战。