本周一的时候SK Hynix股价还大幅跳水7%，因为市场预期DRAM涨价到头了，随后SK Hynix股价回涨了，今天发布的财报发布之后股价涨了2%，因为SK Hynix又一次交出了史上最好的财报。今年Q2季度中，SK Hynix公司营收10.371万亿韩元（约合625亿人民币），同比大涨55%，环比增长了19%。毛利润6.608万亿韩元，同比大涨72%，环比增长24%。

运营利润为5.574万亿韩元，净利润达到了4.329万亿韩元，同比大涨了75%，环比也大涨39%。

从SK Hynix的财报来看，他们的毛利率为64%，运营利润率为54%，净利润达到了42%，这样的赚钱能力也只有三星半导体可比了。

根据SK Hynix的资料，今年Q2季度中NAND闪存平均价格跌了9%，不过位元出货量增长了19%，主要是中国智能手机行业闪存需求及SSD硬盘市场需求增加所致。

内存方面，所有产品均价增长了4%，位元出货量增长了16%，主要动力来自PC内存及服务器内存。

SK Hynix依然在扩大内存产能，预计今年9月底位于韩国清州市的无尘室扩建工作完成，明年初提供产能输出，而位于中国无锡市的无尘室扩建工作今年底完成，此外SK Hynix还在无锡市投资86亿美元建设二期工程，前不久发生火灾的就是二期厂房，预计完成后内存产能将达到20万片晶圆/月。

这几天韩国SK Hynix公司、三星公司的股价大跌，其中SK Hynix公司股价周一暴跌7%，主要原因是就市场看衰NAND闪存走势，认为价格还会继续下降，这将影响相关公司的营收及盈利。路透社今天刊发了文章介绍目前NAND及DRAM市场的情况及变化。

首先来看NAND市场的，随着业界从2D NAND闪存转向3D NAND闪存，由于生产成本更低，所以今年的产能增长超过了需求增长，迫使中小企业开始积极降价以维护市场份额。

与2017年时的高峰价格相比，NAND闪存价格已经跌去一半，并且还会进一步下滑，这导致了SK Hynix等公司周一股价大跌7%。

市场研究公司DRAMeXchange的主管艾伦·陈（Alan Chen）表示，“厂商的利润率正在恶化，主要原因是平均销售价格下降的速度远远快于成本降低的速度。”

根据他的预测，今年剩下的时间里NAND价格还会进一步下降。

野村证券预测今年的闪存芯片供应将增长40%到50%，但全球智能手机销售放缓，这将导致NAND价格下降20%。

在内存方面，由于服务器、游戏PC及加密货币等市场影响，内存价格今年上涨了20%。但是三星等公司遭到了中国反垄断机构的调查以及中国正在努力建设本土内存生产以减少对外国供应商的依赖，这让内存市场失去了涨价的动力。

据分析师称，北京方面已经把半导体行业作为“中国制造2025战略”中的重点，有长江存储、合肥长鑫及福建晋华三家公司正在准备大规模生产存储芯片。

HI Investment＆Securities的分析师Song Myung-sup表示“2019年上半年中国企业的生产规模都会很小，但是随着他们的良率变好，产量将会增加，这将影响明年下半年的半导体市场。”

Gartner首席分析师安德鲁•诺伍德（Andrew Norwood）认为中国进入内存市场可能是三星积极扩张产能的原因之一。他预测2020年和2021年将出现“（海外厂商）收入显著减少”的情况。

不过其他分析师也有表示乐观的，法国巴黎银行分析师Peter Yu表示利润增长的动力可能会消失，但他们认为2019年可以维持900亿美元的运营利润水平，并不会严重崩溃。

“丰厚而且稳定的利润是内存行业的新标准。”

三星公司预计截至6月底的季度中他们在芯片销售中将实现12.5万亿韩元（约合110亿美元）的利润，同比增长50%，SK Hynix公司也报告他们的利润将增长74%，达到5.4万亿韩元。

SK Hynix将在本月26日发布财报，三星财报发布日为7月31日，东芝公司8月8日发布财报。

许多人不知道的是，SK Hynix本身也是有晶圆代工业务的，2017年该部门营收2.6亿美元，不过只占全球晶圆代工市场的0.4%，完全可以忽略不计，而SK Hynix也一直在寻求扩大晶圆代工业务，只不过韩国本土的晶圆厂已经老化，SK Hynix这次选在中国无锡投资建厂。

根据SK Hynix公布的信息，该公司旗下负责代工业务的SK Hynix System IC（简称SHSI）子公司将与中国无锡实业发展集团合作，后者出资3.5亿美元与SHSI成立合资公司，占股49.9%，SHSI占股50.1%。

双方将在无锡建设一座200mm晶圆厂，SK Hynix将把韩国首尔东南部130公里外的清州M8工厂生产线部分设备转移到中国无锡的工厂，预计2019年完成新工厂建设。

双方合资的200mm晶圆厂相比满大街的300mm晶圆厂不算先进，不过SK Hynix的代工重点主要是模拟IC芯片生产，比如传感器、电源管理芯片等等，并不需要太先进的工艺，200mm晶圆厂也够了。

另外，SK Hynix虽然把韩国本土的晶圆厂拆除了，但该公司承诺将研发留在韩国，转移的主要是生产设施，毕竟中国模拟芯片市场空间巨大，本土生产能够获得更多优势。

中国无锡是SK Hynix的投资重点，目前SK Hynix在无锡拥有一座DRAM晶圆厂，月产能高达10万片晶圆以上，是全球重要的DRAM芯片生产基地之一。去年SK Hynix宣布建设二期DRAM工厂，投资86亿美元，目前正在建设中。

美光与联电之间的专利讼诉从去年就开始了，联电在国内法院也起诉了美光，前天福州法院就关于美光半导体销售(上海)有限公司等先行停止侵犯涉案专利权作出了民事裁定书，美光在与联电专利侵权诉讼期间，美光必须立即停止在中国大陆销售及制造部分DRAM、SSD硬盘产品。

此事一经报道，美光股价暴跌，不过麦格里分析师发报告称此事不会对美光造成很大的影响，因为一旦真的禁售了美光产品，内存、闪存产品价格就会上涨，进而影响中国公司，而美光方面也表示尚未收到官方的禁令。

但是这件事不仅在美国半导体业界产生了动荡，韩国公司也变得紧张起来。美光只占全球内存市场的一小部分，韩国的三星、SK Hynix公司才是全球最主要的内存芯片供应商，三星占了45%份额，SK Hyni占了28%的份额。

韩国Businesskorea网站援引韩国半导体行业高管的消息称，“我们正在忙于满足市场对DRAM的需求，无法再生产更多的半导体。最糟糕的情况就是韩国公司被加入制裁名单，中国最近没有掩饰他们对控制韩国半导体产业的野心，同时还在对这些最大的DRAM供应商进行反垄断调查。”

根据这位高管的说法，韩国公司在技术上依然保持对中国竞争对手的优势，因此（制裁导致）DRAM供应中断对中国终端产品制造商也会产生危害，他预测中国法院最终将取消禁售裁决，但是中国厂商的技术水平在未来几年如果能跟韩国公司相媲美，那么韩国公司将面临更大的制裁压力。

来自韩国贸易部门的统计称，韩国5月份出口额达到了512.3亿美元，连续四个月超过500亿美元，创下了去年10月份以来的新高。

在韩国出口的产品中，半导体、石化、石油产品及电脑产品都是两位数增长，其中半导体产品出口额达到了111.6亿美元新高，比上个月增长了39%，而这主要得益于稳定的内存芯片价格，实现了21个月连续增长。

在韩国的半导体芯片出口中，中国显然是占了最大份额的，虽然没有韩国方面公布的准确数据，不过中国海关统计的5月份进出口数据中，中国从韩国进口了1135亿元的产品，出口大概是620亿元，逆差500多亿人民币。

2017年中国进口了889亿美元的存储芯片，韩国占了463亿美元，每个月平均差不多40亿美元，占到韩国半导体芯片出口的1/3多，考虑到今年的价格还在继续增长、出货量也在增加，今年5月份中国进口的韩国存储芯片只会更多。

这次出事的内存芯片主要是高端的服务器芯片，Digitimes援引业界消息称三星、SK Hynix的18nm DRAM芯片遇到了技术问题，美国及中国的供应商已经要求韩国内存供应商暂停出货，直到他们解决了18nm DRAM芯片的良率问题。消息人士称这个过程可能需要1-2个月甚至更长时间才能提高产量。

由于18nm良率不稳，服务器DRAM芯片的供应已经非常紧张，用于数据中心的高端服务器内存会更加紧张。此外，由于服务器DRAM芯片供应的不稳定性增加，DRAM芯片Q3季度降价的速度可能比预期更快。（PS：原文说的就是降价，按理说供应不稳的后果不是涨价吗？）

不过出事的三星、SK Hynix内存主要是针对高端服务器市场的，这个问题对笔记本、PC及其他消费级产品的内存来说影响不大，消息人士认为这次曝出的问题不会对整体的DRAM芯片供应产生重大影响。

来自IC经销商的消息称，由于18nm DRAM芯片不稳定，包括阿里巴巴、腾讯、华为、联想在内的中国公司已经开始争抢20nm芯片订单。

无锡是SK Hynix在中国的DRAM内存芯片生产基地，现有产能在10-12万片晶圆/月，约占全球产能的10%，对全球内存产能都有重大影响。这两年内存芯片价格大涨，SK Hynix也跟三星一样在谋求扩大产能，接连在无锡投资升级洁净室，并建设二期工厂。

根据报道，这次发生火灾的是SK Hynix无锡工厂二期厂房，该项目总投资86亿美元，规划产能高达20万片晶圆/月。幸运的是火灾影响的只是在建厂房，一期工厂并没有发生火灾，对现有的内存生产没有影响，不过发生意外显然会拖累新厂房的建设过程。

这不是无锡工厂第一次发生火灾了，2013年SK Hynix无锡工厂就发生了大火，导致大量晶圆报废，直接影响了SK Hynix的内存产能，而全球内存在当时顺势涨价，影响极深。

这次发生火灾理论上不会影响SK Hynix的内存生产、供应，但是这两年的内存市场已经畸形，不少经销商、厂商都是在玩囤货，所以很难保证不会有人借机炒作。

对于内存反垄断调查，官方目前还没有发布消息，不过此前有媒体宣称中国反垄断机构派出多个工作小组，分别对三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的办公室展开“突袭调查”和现场取证，标志着中国反垄断机构正式对三家企业展开立案调查。

经济观察网日前原因三星中国区负责人的消息证实了此事，“5月31日有过现场调查，目前我们正在协助调查，”三星中国公司相关负责人告诉经济观察网记者，这位人士还表示“中国三星在接受问询当中。”

原文还援引律师的话称反垄断调查大多数都是基于举报进行的，凡是立案调查的都必须掌握初步证据，目前已经进行立案并突袭调查了，说明官方已经掌握了一定证据。

这次调查是商务部反垄断部门发起的，而在此之前，去年底中国发改委约谈了三星公司，那次就是因为有中国手机厂商因存储芯片价格上涨而举报了三星公司，经济观察网表示举报者可能不止中国手机公司，应该还有竞争对手。

在这方面，三年前高通在中国的反垄断调查也是基于中国手机公司举报才发起的，最终高通公司被发改委处以61亿人民币的罚款。

从2016年下半年到现在为止，NAND闪存、DRAM芯片涨价已经持续了两年，NAND闪存价格目前正在回落，但是DRAM芯片价格依然居高不下，而中国是全球最大的存储芯片消费市场，根据调查数据中国去年进口了价值889亿美元的存储芯片，同比增长了40%，高昂的成本已经让中国智能手机以及其他行业承受了巨大压力。

三星、SK Hynix及美光是全球主要的DRAM芯片供应商，三家占据了全球95%的份额，三星一家就占到全球的46%份额。根据原文所述，2017财年三家公司半导体业务在中国营收依次分别为253.86亿美元、89.08亿美元、103.88亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

如果依据中国《反垄断法》第四十六、第四十七、第四十九条进行处罚，他们将会被处以上一年度销售额1%-10%的罚款，且需要考虑违法行为的持续时间，因此从2016年开始计算的话，三家公司的反垄断罚款额预计在8-80亿美元之间。

立案调查跟约谈的差别很大，约谈没有什么约束力，但是真要立案调查了，这三大内存芯片公司在国内就要面临极大的法律压力。彭博社今天援引美光方面的消息称中国国家市场监管部门在5月31日访问了美光中国办事处，寻求某些信息，美光公司周五在邮件中证实了此事，并表示正在跟中国官员合作。

在美光之外，国内还有报道称三星、SK Hynix被中国监管部门访问，但是这两家公司都没有公开回应此事。

有意思的是，在彭博社的报道中，美光对中国官方调查一事的描述很平淡，用词都是“到访、访问”之类，意图淡化此事，而在国内的媒体报道中说的是中国官员突袭了三星、SK Hynix及美光公司办事处，并带走了相关文件。

彭博社收集的信息显示，美光公司去年来自中国市场的营收大约占了一半，而中国一直试图提高国内芯片的自给率。

原文还提了中国中兴公司被美国制裁的消息，由于被发现向伊朗违规出售通信设备，中兴公司被美国商务部制裁，7年内被禁使用美国公司的芯片。

有意思的是，在中兴通讯被传解除美国制裁之后，高通收购NXP的审查据说很快就会获得中国审批通过，不过昨天官方表态称仍在审查高通收购NXP交易一事。

由于NVIDIA显卡近年来都是打包GPU核心、显存芯片给AIC厂商，所以显卡厂商使用哪种显存就要看NVIDIA给了三星、SK Hynix还是美光的订单了，GTX 1080/1080 Ti使用的是美光GDDR5X显存，仅此一家供应商，GTX 1070 Ti也是美光GDDR5显存，GTX 1070用的是三星GDDR5，近来使用较少的反而是SK Hynix的显存颗粒。

来自路透社的消息称，SK Hynix与NVIDIA签订了DRAM颗粒供货协议，合约已经开始执行，这将增加SK Hynix高端显存芯片的出货量及营收，带动SK Hynix公司股价大涨6%到94万韩元，创下了17年来新高。

至于SK Hynix与NVIDIA供应的显存颗粒具体是什么规格的，现在就没消息了，考虑到目前GTX 10系显卡的显存颗粒供应紧张，所以GDDR5显存颗粒肯定少不了。不过SK Hynix今年1月份就宣布可以出货GDDR6显存颗粒了，共有2种型号4种速率，最高可达14Gbps。

SK Hynix的GDDR6显存颗粒

此类供货协议都是长期的，可以预见SK Hynix供应的显存颗粒中也会有GDDR6颗粒，这也意味着下一代Volta游戏卡（或者是传闻的中Tuning架构）使用GDDR6显存的可能性更高了。

东芝出售NAND闪存业务一开始就不是单纯的商业行为，因为东芝是全球第二大NAND闪存企业，而且是NAND技术的发明人，常看新闻的玩家可能也注意到东芝在NAND闪存上走的路线不同，他们使用的是BiCS（Bit Cost Scaling）技术，强调的就是随NAND规模而降低成本，号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低，也意味着成本更低。

考虑到先进技术的意义，东芝出售NAND业务也让日本政府异常关注，所以东芝出售NAND业务潜在的条件就是任何可能导致日本先进技术外流的收购都不太可能被批准。这个问题其实早就明朗了，东芝董事长綱川智上周末在媒体会议上也公开了选择SK Hynix公司的理由——SK Hynix公司承诺只提供资金，不寻求拥有表决权，因此不会参与、干预东芝公司运营，所以东芝相信他们能够防止技术外流。

不过SK Hynix公司真的对东芝NAND技术没兴趣？东芝董事长的表态遭到了日经新闻的质疑，原因就是2014年东芝、SK Hynix公司发生过一次商业窃密纠纷。2008年一名东芝公司的52岁工程师偷偷复制了机密的NAND资料，然后离职跳槽到SK Hynix公司，将资料交给了SK Hynix之后又离开了SK Hynix公司。东芝公司随后发起了指控，并在当年3月份起诉了SK Hynix公司，索赔上千亿日元。

最终东芝与SK Hynix公司达成了和解，SK Hynix公司赔偿东芝公司330亿日元。

有这个前车之鉴，东芝这番表态确实容易遭人质疑。事实上东芝选择SK Hynix也确实很有槽点，这两家公司本来就有竞争关系，如果说东芝担心技术外流，那么博通/银湖资本也没有问题，而且互补性很高。

如果没什么重大变化了，东芝公司预计在本月底与美日韩联盟签约，正式确定卖身协议。不过出局的东芝、西数还没有放弃，还在争取最后的机会。

与其他厂商的3D NAND闪存相比，SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数更多，去年其他厂商还在堆栈32层的时候，他们就做了48层堆栈的了，今年其他厂商是64层堆栈，SK Hynix搞的的是72层堆栈，不过层数虽多，SK Hynix的3D闪存核心容量并不算高，4月份发布的72层堆栈3D闪存核心容量才256Gbit，只是其他家32层堆栈的3D NAND闪存的水平，东芝、西数及三星的64层堆栈已经可以做到512Gbit核心容量。

SK Hynix后面不仅会提升堆栈层数，容量也同样会提升。Tomshardware报道称他们下一代产品是96层堆栈的，核心容量将提升到512Gbit。当然，这也不是终点，原文称其他韩国SSD厂商（这是说三星？）将推出128层堆栈的3D NAND闪存，核心容量将提升到1Tbit。

这是什么概念？目前主流的闪存核心容量才256Gbit，1Tbit容量密度是它的四倍，也就是128GB容量，而我们在SSD上常见的NAND芯片是由多个核心组成的，即便是4个核心，那么一片“闪存”的容量也有512GB了，M.2这样的SSD上正反面至少可以布置4篇闪存，那么容量轻松达到2TB，如果内部搭配的核心更多，那么4TB、8TB也很正常。

当然，128层堆栈的3D NAND闪存可能还要一两年时间才能问世，今年主流是64层堆栈，明年会提升到96层，128层大概要等到2019年了。

除了堆栈层数之外，提升NAND容量、降低成本还有别的方式，这就是NAND一路走路的SLC、MLC、TLC以及未来的QLC闪存——SLC大家都知道它的好处，性能最强，可靠性最高，但是成本也是最贵的，MLC次之，可惜现在只在部分高端型号上才见到了，TLC闪存之前一直被人吐槽性能差、可靠性低，但是TLC闪存现在已经成为主流了，特别是在3D NAND时代。

下一步就是QLC闪存，也就是Quad bit per cell（4bit per cell），每个cell单元容纳4位数据，比TLC的3位数据还多，好处是容量更大，但缺点也跟TLC一样，都是牺牲了可靠性及写入性能，因为QLC对信号的控制要求更严格，所需的校验更多。

从这几年的情况来看，Intel、美光、三星等公司早就在研究QLC闪存了，它从实验室走入市场只是时间问题，这次的台北电脑展上给出了更具体的信息，明年的电脑展上就能见到QLC闪存了。不只是TH这么报道，我们的记者团在跟厂商交流时也得到了类似的信息，那就是QLC闪存在明年下半年就会崭露头角。

从TLC最初的遭遇来看，QLC初期肯定也会面临性能、可靠性等方面的质疑，不过成本更低、容量更大的要求使得QLC没有后退的可能，这条路没法逆转了。更加“悲剧”的则是以前大家觉得是次品的MLC闪存也会越来越稀罕，一旦QLC成熟了，MLC闪存狗带的命运也是不可避免的。

对消费者来说，其实并不需要太在意闪存类型，早前闪存可靠性之所以受人关注，除了先天的技术问题外，还有一个重要因素就是之前的SSD容量太小，而对NAND来说，容量=寿命，大家购买的容量越大，可使用时间就越长，等到QLC闪存成熟了，SSD硬盘容量估计都是TB级的，写入寿命这事并不需要这么耿耿于怀，还是要看到技术进步的。想要了解更多SSD硬盘寿命及可靠性信息的玩家可以关注小超哥（id:9501417）微信，找他咨询相关问题。

过去两年中国内积极发展存储芯片产业的政府/公司主要有三股力量，紫光在武汉的是国家基金项目，较大的还有两个地方政府项目——福建晋华投资集团在福建晋江投资370亿元建设存储工厂，月产能将达到6万片晶圆，也得到了30亿国家专项基金支持，也算是半国家队了。

相比之下，合肥政府推动的存储芯片最为低调，低调到网上都没多少确切消息，负责实施的公司合肥长鑫都找不到官网，我也只能在一些招聘网站上看到他们的介绍。Digitimes报道称这家公司最近改名为Rui-Li集成电路公司（同样没在网上找到具体的中文名字），他们已经要求半导体装备供应商在2017年底要发货。

Rui-Li公司预计在2018年Q1季度开始安装生产设备，并且跟晶圆供应商谈判以确保2018年内获得稳定的晶圆供应。

这家公司背靠合肥政府支持，将投资72亿美元（国内报道是494亿元）建设12英寸晶圆厂，月产能高达12.5万片——这个产能规划相当庞大了，与SK Hynix现在的产能差不多，比福建的存储芯片项目更高，仅次于紫光在武汉的12英寸晶圆厂20万片/月的产能，当然紫光远期目标是每月100万片晶圆，这是2030年全部完工之后的产能。

至于技术来源，合肥长鑫公司自己应该是没有DRAM研发能力的，他们目前从各大内存领域公司挖人，主要有两个团队——一个团队的员工主要来自SK Hynix公司的前员工，另一家则是前尔必达公司的员工。

合肥长鑫公司现在还招募台湾华亚科公司的前员工，后者去年被美光全资收购了，也是三星、美光、SK Hynix之外第三个有能力推进20nm工艺DRAM芯片的公司。长鑫公司进来从华亚科挖走了不少员工，甚至连副总刘大维也投奔这家公司了。

不过中国大陆的公司不惜两倍甚至三倍的薪水挖人，也引发了美光、华亚科等公司的反弹，员工带着机密信息跳槽的话很容易引发各种争议，Digitimes的报道中也提到了美光公司在这方面的应对措施，我们之前也报道过紫光旗下的长江存储公司在这方面的回应。

有意思的是，目前主导紫光存储芯片项目的是高启全，他之前是华亚科创始人、总经理，大陆这边如何看待员工跳槽呢？有关详情可以找小超哥（id：95101417）微信咨询了解。

由于目前NAND市场炙手可热，东芝出售NAND业务也赶上了好时候，吸引了多家公司/财团参与竞标，东芝预期卖价至少是2万亿日元。早前流传的参与竞标的厂商/财团多大六七家，甚至都拉上了苹果等公司，不过两轮竞标下来，还在参与的主要是上述几家公司/财团，这次比较有希望的就是博通/银湖、KKR、SK Hynix/贝恩等公司。

博通与银湖资本是竞标中出价最高的，此前的消息说是出价2万亿日元，彭博社现在的消息是出价2.2万亿日元，约合200亿美元，也是目前报道中出价最高的。

美国KKR是全球最知名、最成功的杠杆收购财团之一，他们这次联手日本INCJ产业革新机构及日本开发银行出价1.8万亿日元（约合162亿美元）。

SK Hynix公司是跟贝恩资本合作的，关于他们的出价金额，不同来源有不同的说法，彭博社的新闻中说是出价1.5万亿日元，约合135亿美元，不过韩国媒体的报道中称出价1.8万亿日元。从之前SK Hynix的表态来看，他们对竞购东芝NAND业务也是志在必得，现在没到最终阶段，所以出价都不是最终的，未来有可能出更高价。

此外，SK Hynix自己也是NAND大厂，为了避免反垄断带来的潜在麻烦，这次竞标中贝恩资本为主，他们将占股51%以上，其余的则是东芝经营团队和东芝公司所有。

第二轮竞标胜出的是这三家，不过其他厂商也不是没机会。郭台铭的鸿海集团对东芝NAND业务也是垂涎三尺，此前鸿海被还被传最高出价3万亿日元参与竞标，只不过日本政府对东芝技术外流的担心成了鸿海中标的麻烦，但报道称鸿海还将参与最后一轮竞标。

至于西数公司，他们一方面是东芝公司的合作伙伴，另一方面却千方百计地限制东芝出售NAND业务，甚至不惜发起法律仲裁，背后的原因也是西数想收购东芝NAND业务，但是出价又没优势，毕竟西数公司出资190亿美元（因股价波动最终花了160亿）收购闪迪公司才过了一年而已，当初收购闪迪已经是负债累累了，现在没钱也很正常。

在当前的状况下，西数被传已经在第二轮竞标中出局。

东芝的第三轮竞标将在6月份结束，搞这么复杂、冗长的竞标过程也不外乎是卖个高价，不过现在能买、能卖的厂商/财团都已经差不多了，最终胜选的很大概率还是上面三家财团。大家认为谁能拿下东芝NAND业务呢，欢迎加小超哥（id:950147）微信发表你的预测。

每年的Q4季度是电子产业的大旺季，接下来的Q1季度则是全年的淡季，大多数公司的Q1财报中营收、利润都是环比下滑的，如果出现环比增长，那真的能说明这家公司或者这个市场有了新变化。对内存来说，这个变化就是持续不断的涨价，所以整个市场的销售额在不断增长，Q1淡季的表现也超过了去年Q4旺季的。

根据Dramexchange公布的统计数据，今年Q1季度全球内存市场营收达到了141.26亿美元，去年Q4季度为124.54亿美元，环比增长了13.4%。推动内存营收增长的原因则是涨价，去年Q4到今年Q1季度来，PC内存合约价至少涨了30%，移动内存的价格也上涨了大约10%。

集邦科技公布的2017年Q1季度内存市场营收及排名

具体到厂商来看，三星依然是全球第一大内存芯片厂商，Q1季度营收63.23亿美元，环比增长6.8%，市场份额44.8%，不过与去年Q4季度的47.5%份额相比有所下滑。

SK Hynix今年Q1季度营收40.57亿美元，环比增长了21.5%，市场份额也从之前的26.7%增加到28.7%。SK Hynix在Q1季度的表现出色，之前在全球半导体TOP10排名中SK Hynix也跃升到了今年的第三名，仅此Intel、三星。

美光则以29.6亿美元的营收排名第三，环比增长22.3%，市场份额从19.4%增加到21%。

台湾的南亚科技以3.94亿美元排名第四，环比增长3.6%，市场份额2.8%。温邦科技（Winbond）营收1.5亿美元，不过环比下降5.5%，份额1.1%。第六名则是力晶（powerchip），营收1.10亿美元，环比增长0.8%。

从Dramexchange的表态来看，今年下半年内存芯片的涨价趋势有可能平息，目前上游厂商已经加大了产能输出，三星、美光及SK Hynix都扩大了工厂投资。另一方面，市场需求也有了变化，智能手机市场Q2季度将遇冷，移动内存会短时降温，但是服务器市场需求又要起来了，Dramexchange认为PC及服务器内存的价格还会继续上涨10%。

内存涨价的趋势看起来在下半年会迎来变化，不过这个拐点并不是大家预期的从涨价变成降价，部分市场遇冷也只会让涨价放缓，整个市场的大趋势依然是没法扭转。此前的分析认为在2018年之前市场都会继续涨价，想降价要等到2018年之后再说。

内存涨价越凶猛，大家选购内存时越会谨慎，现在是直接入手8GB单条还是4GB单条先凑合着？有装机、升级要求的玩家可以找小超哥（ID:9501417）微信咨询。