3D NAND闪存将在2017年超越2D NAND闪存成为主流，四大NAND厂商也都量产了32层、48层堆栈的闪存，64层堆栈的NAND闪存也有三星、东芝、西数、IMFT在下半年量产，SK Hynix的则是72层堆栈。再下一代就要轮到96层堆栈了，不过这次首发的并不是预期中的三星，而是西数。

西数公司今天宣布推出96层堆栈的3D NAND闪存，相比目前64层堆栈的闪存使用的BiCS 3技术，96层3D NAND闪存使用的是BiCS 4技术，预计在2017年下半年出样给客户，2018年开始量产。

堆栈的层数越多，3D NAND闪存容量就越大，成本越低，不过西数目前的96层堆栈闪存核心容量为256Gb（官方未公布是MLC还是TLC），尚且不及64层堆栈的512Gb（TLC）核心容量。

BiCS 4技术最大的意义不只是堆栈层数更多，西数提到96层3D NAND闪存不仅会有TLC类型的，还会支持QLC，也就是4bit MLC闪存。早前我们也多次提到了QLC闪存的优缺点，但是从今年台北电脑展上得到的消息来看，QLC闪存已经是势不可挡了，明年就会开始进入市场。

如今西数第一个表态会支持QLC闪存，三星、东芝、美光、Intel、SK Hynix等厂商的QLC闪存也不会太远了。尽管QLC闪存的可靠性、寿命要比TLC更差一些，不过从实际测试来看，随着容量的增加、技术的改善，TLC闪存并没有想象中那么容易写死，现在TLC闪存已经是市场上的主流了，MLC闪存已经少见了。

QLC闪存未来也要经过多次考验，大家接受这种闪存可能有个过程，大家对QLC闪存有什么想要了解的，可以加小超哥（id:9501417）咨询。

根据DRAMeXchange介绍，Q1季度SSD涨价主要还是受智能手机、PC OEM需求推动，NAND闪存目前供不应求。而在这样的情况下，厂商产能已经从MLC闪存转向TLC及3D TLC闪存，MLC闪存供应量继续下降，所以MLC闪存Q1季度涨价幅度约为12-16%，TLC闪存硬盘涨价10-16%，前者涨幅略高于后者。

去年Q4季度笔记本的SSD适配率已经达到35-36%，再加上台机及通路出货量，预计去年Q4季度消费级SSD总出货量达到3320万，环比增长2-3%，不过今年Q1季度就没这好事了，由于产能吃紧、供应不足，再加上涨价影响，Q1季度消费级SSD出货量有可能环比下跌7-8%。

好消息是SSD硬盘继续大幅涨价的趋势已经有所收敛，DRAMeXchange认为Q2季度SSD合约价涨幅将收窄，不过并没有给出具体数据——这事说白了就是SSD要是再这么涨下去，消费者的需求都被抑制了，市场需求会下降。

从产品类型来看，今年TLC闪存出货量比重将超过75%，成为绝对的主流，而且主要是以3D TLC闪存为主，MLC闪存不管是2D还是3D类型的都面临成本更高、供应更少的问题，所以大多会用在PCI-E等高端产品上。

接口方面，PCI-E接口的SSD有成本更低、数量增多的趋势，下半年需求也比上半年旺盛，占比有可能提升到25%，但PCI-E总体上依然是高端产品为主，通路市场依然是SATA 6Gbps接口为主。尽管现在SSD价格涨得厉害，但是小超哥手里还是有很多优惠打折信息的，想知道就来找小超哥（微信：18680462854）吧。

东芝是和闪迪公司合作研发、生产NAND闪存的，现在闪迪已经变成了西数公司一部分。西数前两天宣布出样512Gb容量的64层堆栈3D闪存，东芝公司今天也宣布了类似的消息，旗下的64层堆栈BiCS闪存即将在4月份开始出样，单核心容量依然是512Gb，闪存类型也是TLC。

根据官方所说，512Gb容量的TLC闪存容量比目前48层堆栈的256Gb核心闪存容量高出65%，将大大提升SSD硬盘的容量。

目前主流的3D闪存堆栈层数是32层或者48层，东芝、西数的BiCS闪存现在可以做到64层了，核心容量也堆到了512Gb（64GB），之前我们就给大家算过单核512Gb容量的闪存有多大影响——每个闪存封装里通常可以塞下1-16颗NAND核心，如果按照最大16颗核心来算，那么一片闪存封装（大家在SSD上看到的一片闪存就是一个封装）的容量就有1TB，哪怕是M.2尺寸的SSD，随便也能堆2-4片闪存封装，容量轻松实现2-4TB，而2.5寸SSD硬盘的最大容量就更高了。

东芝预计从4月份开始正式出样512Gb容量的64层堆栈TLC闪存，而目前正在量产64层堆栈的256Gb闪存，未来还会进一步扩展BiCS闪存的产品种类。

每次提到西数推出新一代闪存总有些“怪”——大家常识中还是把西数当作HDD公司，不过去年完成对闪迪公司的收购之后，西数摇身一变成为NAND领域的领导者，已经成为全球最重要的闪存供应商之一，之前由闪迪公布的各种官方消息现在也变成西数主导了，以后谁再说HDD市场不行了，西数就可以跳出来打脸了——哥现在是NAND厂商了。

吐槽完了再说正事——西数的NAND闪存是跟东芝合作研发的，在3D NAND闪存上双方研发的是BiCS技术的3D闪存，2016年开始量产48层堆栈的BiCS闪存，MLC类型核心容量为128Gb，TLC类型为256Gb（32GB）。去年底西数、东芝宣布将量产64层堆栈的第二代3D NAND闪存，核心容量是256Gb，这里指的应该是MLC类型的，更大容量的则是512Gb，不过要等到2017年上半年。

西数公司日前对外表示已经开始在试产64层堆栈的512Gb 3D闪存，TLC类型的，号称是全球个64层512Gb TLC闪存，单颗核心容量就能达到64GB。考虑到SSD硬盘中每颗闪存封装通常包括2-4颗核心，核心容量翻倍后同样的空间内SSD容量也能翻倍，如此一来制造超大容量SSD硬盘就更容易了，三星去年推出的16TB SSD硬盘使用的还是256Gb核心颗粒，现在同样的情况下容量可达到32TB。

NAND核心容量提升有助于降低成本，提升容量，说起来西数的512Gb TLC闪存还不是最高的，美光此前探讨过768Gb容量的TLC闪存，单颗核心容量高达96GB，不过美光还没有公布何时量产，所以西数的512Gb TLC闪存依然是目前的佼佼者，只不过现在还是试产阶段，真正量产还得等到今年下半年。

根据ifixit的拆解结果，它们拆的iPhone 7 Plus 128GB用的就是TLC，上面用的是一颗编号为THGBX6T0T8LLFXF的东芝15nm闪存，其中T0表示1Tbits，也就是128GB的意思，紧接着的那个T代表的是TLC闪存。

红色方框内的就是闪存芯片

TLC闪存的性能和耐久度都不如MLC闪存，不过随着容量的增大总写入量也会增大，所以寿命其实并不算是大问题，至于性能方面，其实苹果在iPhone 6s就使用了NVMe协议的存储芯片，性能比其他那些用UFS或者eMMC的手机强多了，所以性能更不成问题。

其实要把128GB甚至256GB的大容量存储塞到手机里面，用TLC是最好的解决方法，从成本和体积上都得妥协，虽然不知道有没有其他用MLC的版本，不过128GB和256GB的iPhone 7/iPhone 7 Plus基本上都是用TLC的可能性比较大，倒是32GB版还有用MLC闪存的可能。

在日前的FMS国际闪存会议上，Facebook分享了他们对数据存储的一些观点，上图中列举了四种不同类型的存储方式，包括NVM非易失性存储器、AVA（四快M2.22110组成）、Lightning及WORM，最后的这个WORM代表Write Once Read Many（写入一次、读取多次），也就是说这种存储设备对写入寿命要求不高，读取应用比较多。

根据Pcper网站所说，这个WORM存储使用的就是QLC闪存，我们知道TLC闪存指的是每个Cell单元存储3位数据，有8个电位变化，那么QLC就是每单元存储4位数据，有16个电位变化，一方面这意味着QLC闪存的容量更大，但也意味着QLC闪存的电压控制更难，写入速度更低，可靠性要求更高。

WORM存储的容量可达100TB，差不多是目前TLC闪存硬盘最高容量的10倍，但它的写入次数也降低到了150次左右，也相当于目前TLC闪存的1/10。

此外，Facebook现场还分享了Intel Optance硬盘的性能，该硬盘基于Intel、美光的3D XPoint闪存，在RocksDB性能测试中，相比目前的P3600硬盘，其性能是后者的3倍多，延迟则只有1/10，性能非常强大。

东芝去年公开过BG1系列SSD，支持NVMe 1.1，不过当时使用的还是2D MLC闪存，容量128、256GB，这次的BG系列则升级了BiCS 3D TLC闪存，因此容量更大，最高可达512GB。不过东芝并没有公版BiCS 3D闪存的具体规格，猜测还是目前的48层堆栈BiCS闪存，至于主控，东芝表示该硬盘的主控也是自家方案，但同样没有公布具体型号。

BG系列使用的也是16x20nm单面PCB封装，可用于M.2 2230模块或者不可拆卸的M.2 1620模块，相比2.5寸硬盘，其大小减少了95%，相比M.2 2280硬盘也减少了82%，更适合超薄移动PC，包括2合1笔记本及平板等设备。

BG系列SSD支持NVMe 1.2规范，其中有个功能就是HMB（Host Memory Buffer，主机内存缓冲器），因为BG系列SSD是自身无DRAM缓存的，HMB可以让它从主机内存中分配部分空间当缓存，有利于提高SSD性能。根据东芝公开的数据，在仅仅分配37MB的HMB及16GB SSD空间时，QD1、QD32队列下随机读取性能分别提升30%、65%，随机写入提升70%、115%。

目前BG系列SSD已经出样给客户，相关产品上市要等到今年底。

在我们年初的入门级SSD横评中，三星750 Evo硬盘也参加了，有兴趣的读者可以参考我们的文章，简单介绍如下：

三星750 EVO用的是双核MGX主控，此外官网上给出的信息是这个SSD有256MB DDR3缓存的，然后PCB上并没有看到，那么唯一的可能就是这些DRAM缓存被直接封装进主控里面了，从这个MGX主控的大小来看这完全做得到，闪存则是三星的16nm Toggle DDR TLC，不是3D的，一颗就能做到128GB的容量。

三星750 Evo硬盘性能还不错

三星官方日前宣布750 Evo系列新增500GB容量，技术规格与120/250GB版差不多，支持TurboWrite加速、DTCP动态热设计保护、RAPID模式等，读取速度540MB/s，写入速度520MB/s，不过这都是TC加速下的性能。

写入寿命方面，500GB的750 Evo硬盘可支持100TB写入寿命，此前120、250GB分别是35TB、70TB，质保三年。

价格方面，500GB版750 Evo硬盘建议价为149.99美元，折合人民币983元，国内售价还未知，不过120GB版国内售价只要299元，250GB版也只要439元，500GB版的建议价显然高了，毕竟850 Evo的500GB版售价也不过1199元，淘宝更低。

IBM这次研发突破是有关PCM存储芯片的，大家可以了解一点PCM存储的基础知识：

PCM：（英语：Phase-change memory，英语：Ovonic Unified Memory，英语：Chalcogenide RAM，简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又译为相变位内存，是一种非易失性存储器装置。PRAM 使用含一种或多种硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成。硫族化物玻璃的特性是，经加热可以改变它的状态，成为晶体（Crystalline）或非晶体（Amorphous）。这些不同状态具有相应的电阻值。因此PRAM可以用来存储不同的数值。 它是可能取代快闪存储器的技术之一。（WiKi百科）

也就是说PCM芯片是通过材料热变化来存储信息的，相比传统闪存或者内存芯片，PCM具备多个优点，比如写入次数可达1000万次，远高于NAND闪存（TLC闪存写入寿命不足1000，MLC多为3000-5000，SLC多为5000-10万），速度更快，是NAND闪存的50倍之多。

不过PCM存储从1960年代就开始研发了，直到现在也没有商业化，因为它虽然理论上优点多多，但制造可用的大容量存储还面临很多难题，其中一个关键就是PCM芯片每单元只能存储1位数据，也就是1BPC（bit per cell），你可以把它理解成SLC闪存那样，也是每单元存储1bit数据。

IBM这次的突破就在于他们首次制造出了3BPC芯片，换句话说这就相当于制造出了TLC类型的NAND闪存，有助于提高PCM存储容量，降低成本，这是PCM实用化必经之路。

日前在巴黎举行的IEEE国际存储工作组会议上，IBM苏黎世研究中心的科学家公布了这次研究成果，他们在64K单元阵列上首次实现每单元3bit数据存储，而且在极高温度及100万次可靠性循环之后依然能保持数据。

有兴趣的还可以看看IBM公布的这个视频（需要爬墙），里面采访了论文作者之一的Dr.Haris Pozidis，介绍了PCM的相关知识和进展。

不过写完这篇新闻之后，搜索了一下以前的旧闻，发现2011年我们就报道过IBM在多位存储PCM上的进展了，当时也是说IBM成功研发出多位存储PCM芯片了，只是没公布具体的数据。这么算的话，PCM存储离商业化应用还真的是非常遥远....

目前在闪存、内存领域堪称革命化同时能量产的只有Intel、美光研发的3D XPoint闪存，它的性能、可靠性指标虽然没有PCM这么强大，但性能、可靠性也达到了NAND闪存的1000倍，以及10倍容量密度，而且在2016年就能上市，进度是PCM比不了的。

三星虽然发布了950 Pro旗舰级硬盘，但目前只有M.2规格的，主流的2.5寸规格SSD依然要靠850 Pro及850 Evo系列，当初发布的最高容量是1TB，去年中三星推出了2TB容量的850系列硬盘。去年的三星SSD全球峰会上，三星宣布会在2016年早些时候推出4TB容量的SSD硬盘。

850 Evo硬盘最初使用的是第二代V-NAND TLC闪存，堆栈层数为32层，核心容量为128Gb。这次的4TB容量版应该会升级到第三代V-NAND闪存，堆栈层数提升到48层，核心容量提升到256Gb。此前三星在全球容量最大的15TB硬盘中使用的就是新一代V-NAND闪存了，该闪存是在中国西安的工厂生产的。

三星的4TB版850 Evo硬盘会在5月份发布，850 Pro的4TB版会在第三季度发布。

至于价格，4TB版850 Evo硬盘流出的价格在1150到1400欧元之间，约合人民币8400到10227元之间。