欢迎参与评论，每一条合规评论都是对我们的褒奖。
请 登录 或 快速注册 后发表评论
作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。去年三星曾表示，2024年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。
据相关媒体报道，三星计划下个月发布第9代V-NAND技术，层数将达到290层，高于之前所传的280层，以替代2022年发布的236层第8代V-NAND技术。目前存储行业似乎已进入“层层堆叠”的激烈竞争当中，而三星看起来领先于SK海力士和铠侠等竞争对手。此外，三星还公布了第10代V-NAND技术上，层数将达到430层，计划会在明年到来，或许会引入三堆栈架构。
传闻首款采用第9代V-NAND技术的是1Tb（128GB）QLC 3D NAND闪存芯片，存储密度达到了28.5Gb mm2，将高于目前业界最高的长江存储产品，后者的存储密度为20.62Gb mm2。同时I/O速率达到了3.2 Gbps，相比第8代V-NAND技术的2.4 Gbps也要快得多。如果条件允许，三星可能会提供容量为16TB的M.2 SSD，或者是单面8TB的产品。
除了提高存储密度外，新款3D NAND闪存芯片的性能也将得到提升，其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出（I/O）速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者，采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。
2022年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出了长期愿景：到2030年会将层数提高至1000层。不过有着相同目标的NAND闪存制造商不止三星一家，此前有报道称，铠侠首席技术官Hidefumi Miyajima在近期的一次会议上表示，计划到2031年开始批量生产超过1000层的3D NAND闪存芯片。
