E X P
  • 编辑
  • 评论
  • 标题
  • 链接
  • 查错
  • 图文
  • 拼 命 加 载 中 ...

    目前全球每天产生的数据量是非常庞大的,通过HDD和SSD存储在大容量的服务器和数据中心里,不过SSD在读/写速度、能耗和设备尺寸上都优于HDD,使得SSD正逐步取代HDD。SSD单位成本的扩展,其中一个原因归功于在存储单元上堆叠更多的层数。

    据Xtech Nikkei报道,铠侠首席技术官Hidefumi Miyajima在东京城市大学举行的第71届应用物理学会春季会议上表示,计划到2031年开始批量生产超过1000层的3D NAND闪存芯片。

    增加3D NAND器件中有源层的数量是目前提高闪存记录密度的最佳方法,因此所有3D NAND闪存制造商每1.5至2年就通过新的制程工艺节点来实现这一目标。不过每个新的制程工艺节点都会有一些挑战,由于3D NAND闪存需要在存储单元上堆叠更多层数,那么也要在横向和纵向上缩小存储单元,其中会采用新的材料,对于厂商研发上会有一定的难度。

    目前铠侠最好的是去年推出的第8代BiCS 3D NAND闪存,为218层。为此铠侠和西部数据还开发了CBA(CMOS directly Bonded to Array)技术,将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆都是在其最优状态下单独制造的,然后粘合在一起,以提供增强的位密度和快速的NAND I/O接口速度。通过创新的横向收缩技术,将位密度提高了50%以上,NAND I/O接口速度超过了3.2Gb/s,比上一代产品提高了60%。

    铠侠应该会沿用目前的工艺技术路线,开发1000层的3D NAND闪存芯片。

    ×
    热门文章
    1英特尔公布更多Lunar Lake细节:平台算力超100 TOPS,确认在今年Q3发布
    2微软推出新款Surface Laptop与Surface Pro,换用高通骁龙X Elite平台
    3Thermaltake 618狂欢购开启:多款机箱、电源降价
    4AMD CEO将会在Computex 2024发表主题演讲,分享下一代CPU的最新进展
    5三星Galaxy Book4 Edge系列笔记本发布:搭载骁龙 X Elite,3K OLED屏幕
    6《对马岛之魂》硬件需求评测:优化不错,对主流显卡分外友好
    7进一步拥抱全平台策略,史克威尔官宣《王国之心》系列即将登录Steam
    8任天堂全资收购Shiver Entertainment,该工作室将继续负责游戏移植工作
    9威刚XPG 翼龙S70Q 1TB SSD评测:搭载长存新颗粒,日常使用体验良好
    欢迎参与评论,每一条合规评论都是对我们的褒奖。
    登录快速注册 后发表评论
    登录 后发表评论,若无帐号可 快速注册 ,请留意 评论奖罚说明