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铠侠推出EXCERIA BASIC SF10系列：新款低功耗PCIe 4.0 SSD，549元起

铠侠（Kioxia）宣布，推出全新消费级固态硬盘“EXCERIA BASIC SF10”。新产品支持PCIe 4.0规范，首批提供1TB和2TB容量可选，采用了低功耗设计，适用于游戏PC、台式机和笔记本电脑的主流用户。目前新产品已登陆电商平台，并开始销售了。另外评价送充电宝，数量有限，先到先得，具体可咨询在线客服工作人员。

大容量SSD面临交付延迟：或超过1年，三星、SK海力士和铠侠正在全速生产

此前有报道称，随着超级周期的来临，存储器制造商纷纷提高定价来应对。三星和SK海力士已经将今年第四季度存储器价格上调，包括DRAM和NAND闪存产品，最高涨幅达到了30%，这部分成本很快会转嫁给消费者。由于人工智能（AI）的驱动，这次存储器超级周期将比过去的繁荣期更长也更强，供应短缺的情况可能会持续三到四年。

铠侠和闪迪宣布北上新闪存制造厂开始运营，以满足AI驱动的市场需求

铠侠（Kioxia）和闪迪（Sandisk）宣布，位于日本岩手县北上市的新建半导体生产设施Fab 2（K2）已开始运营。随着时间的推移，新工厂的产能将根据市场趋势分阶段提升，预计2026年上半年开始达到真正意义上的量产水平。

铠侠将与英伟达合作开发AI SSD：速度飙升100倍，计划2027年推出

随着三星和SK海力士两家DRAM巨头加速推进HBM4，预计HBM出货又将迎来一波高潮，同时NAND闪存也紧跟其后，为下一代人工智能（AI）平台服务。过去两年里，SK海力士的子公司Solidigm就凭借为AI服务器打造的eSSD，抢夺了不少市场份额。

铠侠开发出高带宽闪存模块原型设计：速度达64GB/s，容量5TB

铠侠（Kioxia）宣布，已成功开发出大规模人工智能（AI）模型所必须的大容量、高带宽闪存模块原型。这一成果是在日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）委托的“后5G信息通信系统基础设施增强研发项目（JPNP20017）”中取得，具有5TB容量，速度达到了64GB/s。

铠侠开始出样车用UFS 4.1闪存：带来显著性能提升，最大1TB容量

铠侠（Kioxia）宣布，开始出样专为汽车应用设计的新型通用UFS 4.1闪存。新产品旨在满足下一代车载系统的严格要求，带来了显著的性能提升、增强灵的活性、以及经过优化的诊断功能。

铠侠第九代BiCS FLASH 512Gb TLC闪存出样，读写性能分别提升12%和61%

铠侠（Kioxia）宣布，第九代BiCS FLASH 512Gb TLC闪存的样品已开始出货，计划在2025财年量产。新产品旨在支持中低级存储容量中需要高性能和卓越能效的应用，同时铠侠也打算集成到企业级SSD中，特别是以最大限度提高人工智能（AI）系统中GPU效率的SSD。

铠侠推出LC9系列245.76TB NVMe SSD：为生成式AI环境需求打造

铠侠（Kioxia）宣布，推出新款245.76TB超大容量的LC9系列NVMe SSD，专为满足生成式AI环境的性能和效率需求而构建。新产品可选2.5英寸及EDSFF E3.L外形规格可选，，进一步扩展其大容量企业级SSD产品阵容。

铠侠开始出样UFS 4.1闪存：搭载BiCS8 FLASH，最大提供1TB

铠侠（Kioxia）宣布，开始出样UFS 4.1闪存，提供了256GB、512GB和1TB容量，巩固了其在高性能存储领域的领导地位。新产品专为满足下一代移动应用的需求而设计，包括具备设备内置AI的高级智能手机，采用了小型BGA封装，可提供更高的性能和更高的能效。

铠侠推出CD9P系列PCIe 5.0 NVMe SSD：扩展搭载BiCS8 FLASH的产品组合

铠侠（Kioxia）宣布，推出新款CD9P系列PCIe 5.0 NVMe SSD。新产品搭载了BiCS8 FLASH TLC闪存，结合开创性的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，提供了突破性的性能、效率和容量，最大限度提高AI和HPC工作负载中的GPU利用率。

铠侠公布最新中长期增长战略：正在规划超1000万IOPS的高性能SSD

昨天，全球存储巨头铠侠在战略会议上正式公布其面向AI时代的中长期增长战略，核心聚焦于下一代SSD技术的突破与生态协同。公司计划通过融合高性能XL-FLASH存储芯片与全新控制器设计，推出一款革命性固态硬盘，目标实现超过1000万IOPS的随机读写性能，预计2026年下半年完成样品开发。

铠侠推出CM9系列PCIe 5.0 NVMe SSD：首款BiCS8 FLASH TLC闪存企业产品

铠侠（Kioxia）宣布，推出新款CM9系列PCIe 5.0 NVMe SSD，这是首款采用BiCS8 FLASH TLC闪存的企业级产品，结合了开创性的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆都是在其最优状态下单独制造的，然后粘合在一起。架构创新使得新产品在电源效率、性能和密度以及可持续性方面取得了重大进步，同时每个闪存设备的可用容量翻了一番。