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    作为全球最大的NAND闪存供应商,三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。近日,三星分享了最新的V-NAND技术开发情况,重申了明年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品,将超过300层,继续沿用双堆栈架构,拥有业界最高的层数。

    所谓双堆栈架构,即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈,然后在原有基础上再构建另一个堆栈,三星在2020年首次引入该技术。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度,使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘,或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。此前SK海力士展示了全球首款321层NAND闪存,成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司,不知道三星可以做到多少层。

    除了提高存储密度外,新款3D NAND闪存芯片的性能也将得到提升。三星表示,正在致力于开发下一代创造价值的新技术,其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出(I/O)速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者,采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。

    据了解,三星为了保证产量,可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构,层数将达到430层。这意味着会增加原材料的使用量,并增加每个3D NAND晶圆的成本。去年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出的长期愿景是,到2030年会将层数提高至1000层。

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