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关于 Samsung 的消息

三星计划2023年推出32Gb DDR5芯片,2024年将会有单条1TB内存

为了支持英特尔和AMD下一代平台,三星准备推出一系列全新的DDR5内存模块,比如基于16Gb和24Gb的DDR5芯片的业界首款512GB RDIMM/LRDIMM。在近期三星和AMD的内存研讨会上,双方探讨了DDR5内存技术上的新方向,同时三星透露了其DDR5的开发计划。

三星将投资约38亿美元扩张4nm产能,以提升市场份额

目前采用GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术的3nm代工产品已经发货了,对过去两三年晶圆代工陷入困局的三星来说,多少可以恢复一些信心。据报道,竞争对手台积电(TSMC)的3nm工艺会在9月份正式进入量产阶段,传闻初期良品率比当时5nm工艺还要好,继续对三星形成压力。

三星下调今年智能手机出货指标,低于预期及去年出货量

今年6月有报道称,三星削减了3000万台智能手机订单,将今年的目标出货量定在了2.7亿台,而库存将近5000万台,大概占了18%,正常来说要控制在10%以内才算健康。因库存水平过高,三星大幅度削减智能手机的产量,从年初平均每月生产2000万台智能手机,到5月就跌至1000万台。

三星或在今年内推出236层3D NAND闪存,以保证市场领先地位

这个月初,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存,已向合作伙伴发送了238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。

报告称三星与台积电竞争将面临多个难题,整体成本高于对方

三星上个月在京畿道华城工厂V1生产线,举行了采用下一代GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术的3nm代工产品发货仪式。三星希望通过尽快引入新技术和新的制程节点,以缩小与台积电(TSMC)之间的差距。曾有报道称,三星的目标是到2030年的时候可以超越台积电。

三星推出55英寸Odyssey Ark曲面游戏显示器:4K@165Hz Mini-LED屏幕

三星宣布,推出Odyssey Ark游戏显示器,这是全球首款55英寸1000R曲面游戏显示器,为Odyssey产品阵容增添了一员猛将。三星表示,新款游戏显示器融合了优秀的画质、身临其境的环绕声以及游戏玩家所需要的各项功能,将提高整个行业的标准。

三星将调整内存生产:加速DDR5、降低DDR4价格、逐步淘汰DDR3

目前业界正在从DDR4内存向DDR5内存过渡,AMD即将发布Ryzen 7000系列处理器及AM5平台,加上英特尔也会用Raptor Lake取代Alder Lake,相信会让这一过程将会提速。内存生产厂商也会随着新平台的推出,调整不同类型内存的供应数量。

三星准备推出可折叠平板电脑,可能会在六个月内发布

Galaxy Unpacked 2022活动将会在美国东部时间2022年8月10日上午9点(北京时间8月10日晚上9点)举行,三星将介绍下一代Galaxy设备,包括Galaxy Z Fold 4、Galaxy Z Flip4、新款Galaxy Watch等设备。除此以外,这次三星可能会带来新的折叠设备。

三星公布下一代内存和存储技术,确认业界首款UFS 4.0闪存已量产

三星在2022全球闪存峰会(Flash Memory Summit,FMS)上,推出了一系列下一代内存和存储技术。在题为“Memory Innovations Navigating the Big Data Era”的主题演讲中,三星重点介绍了推动大数据市场进步的四个技术领域,分别为数据移动、数据存储、数据处理和数据管理,并展示了针对每一个领域的解决方案。

投资者认为三星缺乏创新动力,导致Exynos等部门发展受挫

据News NCR报道,对冲基金Petra Capital Management、Dalton Investments和投资者们对三星的传统表示担忧,认为高层并没有抓住三星目前问题的核心,使得企业缺乏创新的动力,并优先考虑的是更快的增长及更高的回报,导致Exynos在内的多个部门陷进了内部冲突,最终发展受挫。

三星宣布已成功开发第二代SmartSSD,数据处理性能再升级

三星宣布,已成功开发第二代智能固态硬盘(SmartSSD)。在三星看来,智能固态硬盘能够轻松满足客户在数据库和视频转码领域日益增长的需求,拓展了下一代存储市场的边界。

三星推出业界首款24Gbps GDDR6内存,为新一代GPU做好准备

三星宣布,开始提供业界首款速率为24Gbps的16Gb(2GB)GDDR6内存模块。该款内存基于三星10nm级别的1z工艺,采用了极紫外(EUV)技术,旨在提升下一代显卡、笔记本电脑和游戏主机的图形性能,同时也可以用在基于人工智能的应用程序和高性能(HPC)系统。

三星推出业界首款512GB CXL内存模块,并计划升级SMDK

三星宣布,已开发出业界首款512GB Compute Express Link(CXL)DRAM,朝着CXL的商业化迈出了重要一步,这不但实现极高的内存容量,而且能让系统中延迟降低。自2021年5月份,三星推出业界首个FPGA的CXL DRAM原型以来,一直与数据中心、企业服务器和芯片组公司密切合作,以开发经过改进的、可定制的CXL设备。

三星与西数携手开发ZNS SSD/HDD解决方案,推动下一代存储技术标准化

近日,三星和西部数据签署一份谅解备忘录(MOU),双方将携手开发下一代数据放置、处理和结构(D2PF)存储技术标准,并致力于推动相关硬件的广泛使用。根据协议的内容,三星和西部数据将合作创建一个充满活力的分区存储设备生态系统,为客户创造更大的价值。

IBM和三星携手实现半导体突破,推出颠覆传统设计的VTFET技术

在近日举行的2021 IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,英特尔介绍了在封装、晶体管和量子物理学方面的关键技术,概述了其未来技术发展方向。IBM则与三星携手,推出了下一代半导体芯片技术:垂直传输场效应晶体管(VTFET)。这项突破性的新技术允许晶体管垂直堆叠,与按比例缩放的FinFET相比,性能可实现翻倍,或将耗能降低85%。

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