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关于 Samsung 的消息

三星在新款Exynos芯片上全力以赴,或独占Galaxy S系列的SoC供应

在2022年,高通与三星之间建立了新的合作伙伴关系,双方从2023年开始签署了一项新协议,将骁龙平台的使用范围进一步扩大,更多地应用到三星未来高端Galaxy产品线中,除了智能手机,还包括个人电脑、平板电脑、虚拟现实等产品。上个月高通在财报电话会议上,确认与三星延长了一项有关骁龙批评的多年协议,从2024年三星旗舰Galaxy智能手机的发布开始。

三星推出新款高性能和大容量microSD卡:读取速度达800MB/s,提供1TB产品

三星宣布,推出新一代microSD卡,包括顺序读取速度达800MB/s的256GB SD Express microSD卡和1TB UHS-1 microSD卡,目标是提供未来移动计算和设备上人工智能(AI)应用所需的差异化内存解决方案。

三星计划2025年引入背面供电技术:采用BSPDN打造2nm芯片,进一步提高能效

三星在SEDEX 2022上,介绍了一种称为“BSPDN(背面供电网络)”的技术,称经过后端互联设计和逻辑优化,可以解决FSPDN(前端供电网络)造成的前端布线堵塞问题,2nm芯片的性能将提高44%,功率效率提高30%。在去年的VLSI研讨会上,三星又公布了最新的BSPDN研究成果,表示BSPDN相比FSPDN的面积可以减小14.8%。

三星官宣业界首款36GB HBM3E 12H DRAM:12层堆叠,容量和带宽提升50%

去年10月,三星举办了“Samsung Memory Tech Day 2023”活动,展示了一系列引领超大规模人工智能(AI)时代的创新技术和产品,并宣布推出名为“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM,面向下一代人工智能应用,提高总拥有成本(TCO),并加快数据中心的人工智能模型训练和推理速度。

三星官宣Galaxy Book 4系列笔电全球发售时间:2月26日,开启AI PC新时代

去年末,三星推出了Galaxy Book 4系列笔记本电脑,不过首批产品仅限于韩国,在今年1月2日上市。Galaxy Book 4系列共有四款产品,分别为Galaxy Book 4 Pro(14/16英寸屏幕)、Book 4 Pro 360和Galaxy Book 4 Ultra。三星还首次搭载了其自研的Knox安全芯片,以提供更为强大的安全性能。

三星与Square Enix携手,带来990 Pro x FFVII Rebirth典藏版SSD

三星将携手Square Enix,带来990 PRO x FFVII Rebirth典藏版SSD。

三星宣布与Arm合作,以最新2nm GAA工艺优化下一代Cortex-X CPU

三星宣布,将与Arm展开合作,提供基于最新GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术,优化下一代Arm Cortex-X CPU,进一步提高了性能和效率,将用户体验提升到一个新的水平。

三星连续18年称雄电视市场,高端及大尺寸屏幕产品助力登顶

市场研究公司Omdia最新数据显示,三星再次称雄电视市场,自2006年首次登顶后,已连续18年排名行业第一,2023年占据了全球电视市场30.1%的销售额。三星官方表示,以Neo QLED、超大屏幕、强调生活方式等高价产品为中心的销售战略,使其连续18年保持第一的位置。

三星2nm工艺抢得先机?已收到日本AI公司的芯片订单

三星和台积电(TSMC)都计划在2025年量产2nm工艺,而三星希望能抢先一步实现量产,以速度压倒对方,从而在新一代制程节点上获得竞争优势。此前有报道称,三星为了获得英伟达等行业巨头的订单支持,考虑为2nm订单提供折扣,以进一步挑战台积电的领导地位。

三星990 EVO SSD开售:最大2TB,首发价1179元

三星上个月发布了990 EVO,这是首款同时支持PCIe 4.0 x4及PCIe 5.0 x2通道的SSD,也是自2019年推出970 EVO Plus以后,该产品线的再次更新。目前新产品已登陆电商平台,提供了1TB和2TB容量可选,晒单抽百元E卡,厂商提供五年质保。

三星Exynos 2400量产良品率为60%,不及台积电N4P的70%

三星在去年10月,宣布推出新一代移动处理器Exynos 2400。三星在Exynos 2200基础上进行了多项改进,其中CPU性能提升了70%,人工智能(AI)工作负载加速更是提升了惊人的14.7倍,同时GPU还引入了RDNA 3架构,提供了改进的游戏和光线追踪性能。

三星希望将2nm生产线留在本土,最尖端芯片制造技术不外流

目前三星在美国和日本都有涉及芯片生产设施的项目,将生产线扩展到其他地区,不过更希望将最尖端的芯片制造技术留在本土。抱有同样想法的不仅仅是三星,台积电(TSMC)也打算这么做。

三星准备推出第9代280层V-NAND闪存,将在ISSCC 2024做展示

ISSCC 2024(IEEE 国际固态电路会议)将于2月18日至22日在美国旧金山举行,此前大会已确认,三星将介绍其最新的GDDR7内存技术,速率达到了37Gb/s,为16Gb模块。

ISSCC 2024预告:三星将展示速率为37Gb/s的GDDR7

ISSCC 2024(IEEE 国际固态电路会议)将于2月18日至22日在美国旧金山举行,不少厂商会选择在这次大会上展示最新的半导体制造技术。其中三星将介绍其最新的GDDR7内存技术,速率达到了37Gb/s,为16Gb模块。

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