关于 V-NAND 的消息
三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存：业界最高位密度，I/O速率达2.4Gbps
三星宣布，已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称，新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度，可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。
三星将推出176层V-NAND闪存的PCI-E 4.0/5.0存储设备，未来将超过1000层
三星在2013年推出了第一款量产的3D NAND存储器，称为V-NAND，并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND闪存开始，逐渐积累了丰富的经验，近期有望推出搭载176层V-NAND闪存的存储设备。三星表示，未来V-NAND的层数可能会超过1000层。
三星推出采用第六代100+层V-NAND的SSD产品，下半年提供512Gb级别的颗粒
今天上午，三星官方宣布他们已经开始生产整合了公司最新第六代256Gb 3bit NAND颗粒的250GB SATA SSD。不过用上最新颗粒的SSD目前只向OEM渠道出货，消费级市场还要过一段时间才能用上。
三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存：业界最高位密度，I/O速率达2.4Gbps
三星宣布，已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称，新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度，可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。
三星或在今年内推出236层3D NAND闪存，以保证市场领先地位
这个月初，SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，已向合作伙伴发送了238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。
三星将推出176层V-NAND闪存的PCI-E 4.0/5.0存储设备，未来将超过1000层
三星在2013年推出了第一款量产的3D NAND存储器，称为V-NAND，并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND闪存开始，逐渐积累了丰富的经验，近期有望推出搭载176层V-NAND闪存的存储设备。三星表示，未来V-NAND的层数可能会超过1000层。
三星正在开发160层堆叠3D闪存，采用双堆栈技术
长江存储近日宣布了他们的128层堆叠3D闪存研发成功，并且准备在年底投产，但三星近日在股东大会上宣布他们已经在开发第七代V-NAND闪存，堆叠层数多达160层。
三星推出采用第六代100+层V-NAND的SSD产品，下半年提供512Gb级别的颗粒
今天上午，三星官方宣布他们已经开始生产整合了公司最新第六代256Gb 3bit NAND颗粒的250GB SATA SSD。不过用上最新颗粒的SSD目前只向OEM渠道出货，消费级市场还要过一段时间才能用上。
三星将推32TB的TLC闪存硬盘，QLC硬盘今年内问世
最近一段时间来美光、英特尔、东芝、西数先后宣布了QLC闪存出样以及96层堆栈3D闪存上市的消息，作为全球第一大NAND供应商的三星在这方面倒是很低调，但是三星的行动一点也不慢，前几天宣布量产第五代V-NAND闪存，今年将推出32TB容量的TLC闪存硬盘，1Tb核心容量的QLC闪存硬盘今年内也会问世。
三星量产第五代V-NAND闪存：90层堆栈，QLC闪存在路上
2018年各大NAND厂商都已经大规模量产了64层堆栈的3D NAND闪存，以TLC闪存为主，下一代闪存的堆栈层数要继续提升50%达到96层级别。三星今天宣布量产第五代V-NAND闪存，业界首发Toggle DDR 4.0接口，速率达到了1.4Gbps，堆栈层数超过90层。此外，三星还准备推出1Tb核心容量以及QLC结构的V-NAND闪存。
三星970 EVO 500GB M.2 SSD评测：一个甜点级的SSD
早在去年10月份三星的PM981出现在淘宝上面的时候我们就预见到早在去年10月份三星的PM981出现在淘宝上面的时候我们就预见到这货未来肯定和970 EVO跑不了关系，结果4月份的发布会上，三星拿出来的970 EVO根本就是PM981的翻版，主控、缓存、闪存都是一样的，采用Phoenix主控加三星64层堆叠V-NAND TLC闪存，而970 PRO则是换了MLC闪存的版本，性能自然更好。
64层V-NAND试水作，三星推出T5系列移动固态硬盘
三星在2015年推出了旗下第一款移动固态硬盘T1，去年推出了T3，与T1相比，T3的最大容量翻了一倍，从1TB变成了2TB，接口也换成了USB 3.1 Gen1 Type-C接口，而今年三星则推出了移动固态硬盘T5，最大的变化就是接口升级到了USB 3.1 Gen2 Type-C，释放了性能的上限，而且也用上了三星最新的64层堆叠V-NAND闪存。
三星加速量产64层V-NAND闪存：提速50%，节能30%
从去年下半年开始的NAND闪存缺货、涨价已经持续一整年了，今晚的超能分享会也会关注NAND闪存发展及降价问题，大家别错过。2017年也是3D NAND闪存超越2D NAND成为主流的关键，堆栈层数也从去年的32层、48层提升到了64层、72层。三星是最早量产64层堆栈3D NAND闪存的，现在官方又宣布64层256Gbi容量的V-NAND闪存正在加速量产，性能比前代48层V-NAND提升50%，能耗也降低了30%，生产率也提升了30%。
三星年底量产64层堆栈3D闪存，西安也是主产地
在前几天发布的初期财报数据中，三星Q3季度虽然面临营收下滑5%的困境，但盈利同比增长6%，这次移动部门是没啥指望了，让三星大赚特赚的是半导体，不断涨价的内存、闪存就是大功臣。今年智能手机内存、闪存容量不断增加，导致市场供应吃紧进而涨价，三星也瞅准了机会在年底量产第四代V-NAND闪存，64层堆栈，届时韩国的华城、中国的西安工厂都将是主产地。
三星960 Evo硬盘要来了：48层V-NAND闪存，3GB/s速度
三星是四大NAND闪存厂商中最早量产3D NAND闪存的，也是目前技术最强的，已经发展了三代V-NAND闪存，堆栈层数达到了48层。目前三星消费级市场SSD已经升级到了950 Pro，不过这款产品是面向高端市场的，中低端市场很快会有960 Evo硬盘，将使用Polaris主控及48层V-NAND闪存，读取速度可达3GB/s。
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