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三星推出采用第六代100+层V-NAND的SSD产品,下半年提供512Gb级别的颗粒

今天上午,三星官方宣布他们已经开始生产整合了公司最新第六代256Gb 3bit NAND颗粒的250GB SATA SSD。不过用上最新颗粒的SSD目前只向OEM渠道出货,消费级市场还要过一段时间才能用上。

三星量产第五代V-NAND闪存:90层堆栈,QLC闪存在路上

2018年各大NAND厂商都已经大规模量产了64层堆栈的3D NAND闪存,以TLC闪存为主,下一代闪存的堆栈层数要继续提升50%达到96层级别。三星今天宣布量产第五代V-NAND闪存,业界首发Toggle DDR 4.0接口,速率达到了1.4Gbps,堆栈层数超过90层。此外,三星还准备推出1Tb核心容量以及QLC结构的V-NAND闪存。

三星又自曝860 EVO,用新一代3D V-NAND,耐久度大幅提升

三星昨天才在官网上自曝了860 PRO,今天连860 EVO也出来了,虽然三星已经把页面藏回去了,不过这些页面已经全部被Google缓冲了,860 EVO的规格也一览无遗。

64层V-NAND试水作,三星推出T5系列移动固态硬盘

三星在2015年推出了旗下第一款移动固态硬盘T1,去年推出了T3,与T1相比,T3的最大容量翻了一倍,从1TB变成了2TB,接口也换成了USB 3.1 Gen1 Type-C接口,而今年三星则推出了移动固态硬盘T5,最大的变化就是接口升级到了USB 3.1 Gen2 Type-C,释放了性能的上限,而且也用上了三星最新的64层堆叠V-NAND闪存

三星加速量产64层V-NAND闪存:提速50%,节能30%

从去年下半年开始的NAND闪存缺货、涨价已经持续一整年了,今晚的超能分享会也会关注NAND闪存发展及降价问题,大家别错过。2017年也是3D NAND闪存超越2D NAND成为主流的关键,堆栈层数也从去年的32层、48层提升到了64层、72层。三星是最早量产64层堆栈3D NAND闪存的,现在官方又宣布64层256Gbi容量的V-NAND闪存正在加速量产,性能比前代48层V-NAND提升50%,能耗也降低了30%,生产率也提升了30%。

三星正在开发160层堆叠3D闪存,采用双堆栈技术

长江存储近日宣布了他们的128层堆叠3D闪存研发成功,并且准备在年底投产,但三星近日在股东大会上宣布他们已经在开发第七代V-NAND闪存,堆叠层数多达160层。

三星推出采用第六代100+层V-NAND的SSD产品,下半年提供512Gb级别的颗粒

今天上午,三星官方宣布他们已经开始生产整合了公司最新第六代256Gb 3bit NAND颗粒的250GB SATA SSD。不过用上最新颗粒的SSD目前只向OEM渠道出货,消费级市场还要过一段时间才能用上。

三星将推32TB的TLC闪存硬盘,QLC硬盘今年内问世

最近一段时间来美光、英特尔、东芝、西数先后宣布了QLC闪存出样以及96层堆栈3D闪存上市的消息,作为全球第一大NAND供应商的三星在这方面倒是很低调,但是三星的行动一点也不慢,前几天宣布量产第五代V-NAND闪存,今年将推出32TB容量的TLC闪存硬盘,1Tb核心容量的QLC闪存硬盘今年内也会问世。

三星量产第五代V-NAND闪存:90层堆栈,QLC闪存在路上

2018年各大NAND厂商都已经大规模量产了64层堆栈的3D NAND闪存,以TLC闪存为主,下一代闪存的堆栈层数要继续提升50%达到96层级别。三星今天宣布量产第五代V-NAND闪存,业界首发Toggle DDR 4.0接口,速率达到了1.4Gbps,堆栈层数超过90层。此外,三星还准备推出1Tb核心容量以及QLC结构的V-NAND闪存。

三星970 EVO 500GB M.2 SSD评测:一个甜点级的SSD

早在去年10月份三星的PM981出现在淘宝上面的时候我们就预见到早在去年10月份三星的PM981出现在淘宝上面的时候我们就预见到这货未来肯定和970 EVO跑不了关系,结果4月份的发布会上,三星拿出来的970 EVO根本就是PM981的翻版,主控、缓存、闪存都是一样的,采用Phoenix主控加三星64层堆叠V-NAND TLC闪存,而970 PRO则是换了MLC闪存的版本,性能自然更好。

64层V-NAND试水作,三星推出T5系列移动固态硬盘

三星在2015年推出了旗下第一款移动固态硬盘T1,去年推出了T3,与T1相比,T3的最大容量翻了一倍,从1TB变成了2TB,接口也换成了USB 3.1 Gen1 Type-C接口,而今年三星则推出了移动固态硬盘T5,最大的变化就是接口升级到了USB 3.1 Gen2 Type-C,释放了性能的上限,而且也用上了三星最新的64层堆叠V-NAND闪存

三星加速量产64层V-NAND闪存:提速50%,节能30%

从去年下半年开始的NAND闪存缺货、涨价已经持续一整年了,今晚的超能分享会也会关注NAND闪存发展及降价问题,大家别错过。2017年也是3D NAND闪存超越2D NAND成为主流的关键,堆栈层数也从去年的32层、48层提升到了64层、72层。三星是最早量产64层堆栈3D NAND闪存的,现在官方又宣布64层256Gbi容量的V-NAND闪存正在加速量产,性能比前代48层V-NAND提升50%,能耗也降低了30%,生产率也提升了30%。

三星年底量产64层堆栈3D闪存,西安也是主产地

在前几天发布的初期财报数据中,三星Q3季度虽然面临营收下滑5%的困境,但盈利同比增长6%,这次移动部门是没啥指望了,让三星大赚特赚的是半导体,不断涨价的内存、闪存就是大功臣。今年智能手机内存、闪存容量不断增加,导致市场供应吃紧进而涨价,三星也瞅准了机会在年底量产第四代V-NAND闪存,64层堆栈,届时韩国的华城、中国的西安工厂都将是主产地。

三星960 Evo硬盘要来了:48层V-NAND闪存,3GB/s速度

三星是四大NAND闪存厂商中最早量产3D NAND闪存的,也是目前技术最强的,已经发展了三代V-NAND闪存,堆栈层数达到了48层。目前三星消费级市场SSD已经升级到了950 Pro,不过这款产品是面向高端市场的,中低端市场很快会有960 Evo硬盘,将使用Polaris主控及48层V-NAND闪存,读取速度可达3GB/s。

三星NAND狂爆猛料:64层V-NAND、32TB SSD、1TB BGA硬盘

这几天适逢FMS国际闪存会议,各大厂商都爆出了不少料,比如希捷的60TB硬盘Facebook在研究的100TB QLC硬盘美光/Intel的3D XPoint闪存等,NAND真正的老大三星反倒很沉默的样子,不过今天三星一次性放出了诸多猛料——今年底三星将推出第四代V-NAND闪存,堆栈层数达到64层;容量可达32TB的2.5寸SSD硬盘、BGA封装的SSD容量则能达到1TB,最后还有号称性能突破NAND闪存天际的全新Z系列SSD。

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