三星推出企业级BM1743 SSD：最高61.44TB，搭载176层第7代V-NAND QLC闪存

三星宣布，推出企业级BM1743 SSD，提供了最高61.44TB容量。其搭载了176层QLC闪存，采用了第7代V-NAND技术。上一代的BM1733 SSD发布于2020年，采用了第5代V-NAND技术的QLC闪存，堆叠层数为96层，最大容量为15.36TB，显然BM1743的存储密度有了大幅度提升。

吕嘉俭 | 发布于2024-07-05 16:12

三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。

吕嘉俭 | 发布于2024-07-03 15:26

三星宣布投产第九代V-NAND闪存：存储密度较上代提升了50%

三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存，首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存，新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力，巩固其领导地位。

Strike | 发布于2024-04-23 10:36

三星下个月带来第9代290层V-NAND闪存，明年会有第10代430层产品

作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。去年三星曾表示，2024年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。

吕嘉俭 | 发布于2024-04-13 09:07

三星准备推出第9代280层V-NAND闪存，将在ISSCC 2024做展示

ISSCC 2024（IEEE 国际固态电路会议）将于2月18日至22日在美国旧金山举行，此前大会已确认，三星将介绍其最新的GDDR7内存技术，速率达到了37Gb/s，为16Gb模块。

吕嘉俭 | 发布于2024-01-30 11:43

三星确认明年带来第9代V-NAND技术：沿用双堆栈架构，将超过300层

作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。近日，三星分享了最新的V-NAND技术开发情况，重申了明年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。

吕嘉俭 | 发布于2023-10-19 09:38

三星西安工厂计划升级设备，为生产第8代V-NAND技术闪存产品做好准备

近日，存储器制造商三星和SK海力士已经获得美国无限期豁免，不需要特别的许可批准，即可为其在华工厂安装带有美国技术的制造设备。目前三星在西安拥有NAND闪存工厂，另外在苏州还有封装设施。

吕嘉俭 | 发布于2023-10-16 12:18

三星明年开始生产第9代V-NAND闪存：继续采用双堆栈架构，超过300层

三星去年末开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比于2020年首次引入双堆栈架构的第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。据DigiTimes报道，三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构。

吕嘉俭 | 发布于2023-08-18 09:08

三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存：业界最高位密度，I/O速率达2.4Gbps

三星宣布，已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称，新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度，可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。

吕嘉俭 | 发布于2022-11-07 15:18

三星将推出176层V-NAND闪存的PCI-E 4.0/5.0存储设备，未来将超过1000层

三星在2013年推出了第一款量产的3D NAND存储器，称为V-NAND，并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND闪存开始，逐渐积累了丰富的经验，近期有望推出搭载176层V-NAND闪存的存储设备。三星表示，未来V-NAND的层数可能会超过1000层。

吕嘉俭 | 发布于2021-06-09 14:49

三星推出企业级BM1743 SSD：最高61.44TB，搭载176层第7代V-NAND QLC闪存

三星宣布，推出企业级BM1743 SSD，提供了最高61.44TB容量。其搭载了176层QLC闪存，采用了第7代V-NAND技术。上一代的BM1733 SSD发布于2020年，采用了第5代V-NAND技术的QLC闪存，堆叠层数为96层，最大容量为15.36TB，显然BM1743的存储密度有了大幅度提升。