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关于 V-NAND 的消息

三星准备推出第9代280层V-NAND闪存,将在ISSCC 2024做展示

ISSCC 2024(IEEE 国际固态电路会议)将于2月18日至22日在美国旧金山举行,此前大会已确认,三星将介绍其最新的GDDR7内存技术,速率达到了37Gb/s,为16Gb模块。

三星确认明年带来第9代V-NAND技术:沿用双堆栈架构,将超过300层

作为全球最大的NAND闪存供应商,三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。近日,三星分享了最新的V-NAND技术开发情况,重申了明年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品,将超过300层,继续沿用双堆栈架构,拥有业界最高的层数。

三星西安工厂计划升级设备,为生产第8代V-NAND技术闪存产品做好准备

近日,存储器制造商三星和SK海力士已经获得美国无限期豁免,不需要特别的许可批准,即可为其在华工厂安装带有美国技术的制造设备。目前三星在西安拥有NAND闪存工厂,另外在苏州还有封装设施。

三星明年开始生产第9代V-NAND闪存:继续采用双堆栈架构,超过300层

三星去年末开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品,为1Tb(128GB)TLC 3D NAND闪存芯片,达到了236层,相比于2020年首次引入双堆栈架构的第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。据DigiTimes报道,三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品,将超过300层,继续沿用双堆栈架构。

三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存:业界最高位密度,I/O速率达2.4Gbps

三星宣布,已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品,为1Tb(128GB)TLC 3D NAND闪存芯片,达到了236层,相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称,新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度,可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。

三星将推出176层V-NAND闪存的PCI-E 4.0/5.0存储设备,未来将超过1000层

三星在2013年推出了第一款量产的3D NAND存储器,称为V-NAND,并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND闪存开始,逐渐积累了丰富的经验,近期有望推出搭载176层V-NAND闪存的存储设备。三星表示,未来V-NAND的层数可能会超过1000层。

三星准备推出第9代280层V-NAND闪存,将在ISSCC 2024做展示

ISSCC 2024(IEEE 国际固态电路会议)将于2月18日至22日在美国旧金山举行,此前大会已确认,三星将介绍其最新的GDDR7内存技术,速率达到了37Gb/s,为16Gb模块。

三星确认明年带来第9代V-NAND技术:沿用双堆栈架构,将超过300层

作为全球最大的NAND闪存供应商,三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。近日,三星分享了最新的V-NAND技术开发情况,重申了明年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品,将超过300层,继续沿用双堆栈架构,拥有业界最高的层数。

三星西安工厂计划升级设备,为生产第8代V-NAND技术闪存产品做好准备

近日,存储器制造商三星和SK海力士已经获得美国无限期豁免,不需要特别的许可批准,即可为其在华工厂安装带有美国技术的制造设备。目前三星在西安拥有NAND闪存工厂,另外在苏州还有封装设施。

三星明年开始生产第9代V-NAND闪存:继续采用双堆栈架构,超过300层

三星去年末开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品,为1Tb(128GB)TLC 3D NAND闪存芯片,达到了236层,相比于2020年首次引入双堆栈架构的第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。据DigiTimes报道,三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品,将超过300层,继续沿用双堆栈架构。

三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存:业界最高位密度,I/O速率达2.4Gbps

三星宣布,已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品,为1Tb(128GB)TLC 3D NAND闪存芯片,达到了236层,相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称,新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度,可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。

三星或在今年内推出236层3D NAND闪存,以保证市场领先地位

这个月初,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存,已向合作伙伴发送了238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。

三星将推出176层V-NAND闪存的PCI-E 4.0/5.0存储设备,未来将超过1000层

三星在2013年推出了第一款量产的3D NAND存储器,称为V-NAND,并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND闪存开始,逐渐积累了丰富的经验,近期有望推出搭载176层V-NAND闪存的存储设备。三星表示,未来V-NAND的层数可能会超过1000层。

三星正在开发160层堆叠3D闪存,采用双堆栈技术

长江存储近日宣布了他们的128层堆叠3D闪存研发成功,并且准备在年底投产,但三星近日在股东大会上宣布他们已经在开发第七代V-NAND闪存,堆叠层数多达160层。

三星推出采用第六代100+层V-NAND的SSD产品,下半年提供512Gb级别的颗粒

今天上午,三星官方宣布他们已经开始生产整合了公司最新第六代256Gb 3bit NAND颗粒的250GB SATA SSD。不过用上最新颗粒的SSD目前只向OEM渠道出货,消费级市场还要过一段时间才能用上。

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