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    作为全球最大的NAND闪存供应商,三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。去年三星曾表示,2024年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品,继续沿用双堆栈架构,拥有业界最高的层数。

    据相关媒体报道,三星计划下个月发布第9代V-NAND技术,层数将达到290层,高于之前所传的280层,以替代2022年发布的236层第8代V-NAND技术。目前存储行业似乎已进入“层层堆叠”的激烈竞争当中,而三星看起来领先于SK海力士和铠侠等竞争对手。此外,三星还公布了第10代V-NAND技术上,层数将达到430层,计划会在明年到来,或许会引入三堆栈架构。

    传闻首款采用第9代V-NAND技术的是1Tb(128GB)QLC 3D NAND闪存芯片,存储密度达到了28.5Gb mm2,将高于目前业界最高的长江存储产品,后者的存储密度为20.62Gb mm2。同时I/O速率达到了3.2 Gbps,相比第8代V-NAND技术的2.4 Gbps也要快得多。如果条件允许,三星可能会提供容量为16TB的M.2 SSD,或者是单面8TB的产品。

    除了提高存储密度外,新款3D NAND闪存芯片的性能也将得到提升,其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出(I/O)速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者,采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。

    2022年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出了长期愿景:到2030年会将层数提高至1000层。不过有着相同目标的NAND闪存制造商不止三星一家,此前有报道称,铠侠首席技术官Hidefumi Miyajima在近期的一次会议上表示,计划到2031年开始批量生产超过1000层的3D NAND闪存芯片。

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