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    三星宣布,已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品,为1Tb(128GB)TLC 3D NAND闪存芯片,达到了236层,相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称,新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度,可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。

    第8代V-NAND闪存基于最新NAND闪存标准的Toggle DDR 5.0接口,I/O速率达到了2.4 Gbps,比上一代产品提高了1.2倍,这使得新款闪存芯片能够满足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0产品的性能要求。三星表示,第8代V-NAND闪存有望成为存储配置的基石,不但有助于扩展下一代企业服务器的存储容量,而且还能扩展到对可靠性要求较高的汽车市场。

    今年5月份,美光宣布推出232层的3D TLC NAND闪存,并准备在2022年末开始生产,计划用在包括固态硬盘在内的各种产品上。该款芯片采用了CuA架构,使用了NAND的字符串堆叠技术,初始容量同为1Tb。到了8月份,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存,同时已向合作伙伴发送512Gb TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。

    目前NAND闪存市场里,三星的市场份额是最高的,到达了35%。随着采用第8代V-NAND技术的产品引入,三星在层数上已追上SK海力士和美光,以确保市场上的竞争优势。

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