SK海力士宣布，已成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。目前SK海力士已经向合作伙伴发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。在近日举行的2022全球闪存峰会上，该款238层NAND闪存也进行了首次亮相。

此次238层NAND闪存达到了业界最高堆栈层数，同时实现了业界最小的面积，更小的面积使其能够在相同大小的晶圆上生产出更多的芯片，相比176层NAND闪存的生产效率提高了34%。此外，该款238层NAND闪存的数据传输速率为2.4Gbps，相比前一代产品提高了50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了21%。

早在2018年，SK海力士就研发了96层NAND闪存，超越了传统的3D方式，导入了4D架构，为此SK海力士采用了电荷捕获型技术（Charge Trap Flash，CTF）和PUC（Peri. Under Cell）技术。相比3D方式，4D架构芯片具有单元面积更小、生产效率更高的优点。自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来，时隔仅1年7个月，SK海力士就成功完成了新一代技术的研发，推出了这款238层NAND闪存。

SK海力士NAND闪存开发负责人Jungdal Choi表示，基于4D NAND闪存技术，SK海力士成功研发了全球首个238层NAND闪存，进而确保了成本、性能、产品质量等层面的全球领先竞争力，其意义非凡，未来将持续创新并不断突破技术瓶颈。

据了解，SK海力士计划在客户端产品中首先采用238层NAND闪存，随后再延伸到智能手机和大容量服务器SSD等产品上。明年SK海力士还会发布1Tb密度的全新238层NAND闪存，密度是现有产品的两倍。