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投资130亿元，国产公司发力PCM相变存储，2021推3D XPoint芯片

作为当前最尖端的高科技之一，半导体芯片这几年在国内很热门，不仅在媒体报道上刷屏，而且国内最近几年上马了不少半导体项目，几乎涉及到从设计到制造再到封装在内的各个领域。在众多半导体项目中，存储芯片是国内优先发展的，毕竟国内的NAND闪存及DRAM内存两大类存储芯片几乎是100%进口的。国内比较重要的存储芯片项目有长江存储、合肥长鑫及福建晋华，但在NAND/DRAM内存之外，还有一个项目值得注意，那就是江苏时代芯存公司的PCM相变存储芯片项目，总投资高达130亿元，一期投资43亿元，在江苏淮安建设的晶圆厂明年Q1季度就要量产了，号称年产10万片12英寸PCM晶圆，销售额高达20亿美元。

孟宪瑞 | 发布于2018-12-05 11:55

HGST展示PCM相变技术SSD：300万IOPS，延迟低至1.5微秒

在前几天的FMS全球闪存会议上，HGST除了发布2.7GB/s性能的PCI-E 3.0接口的FlashMAX III硬盘之外，还宣布了世界上最快的SSD，使用的虽然是PCI-E 2.0 x4接口，但是随机IOPS性能高达300万IOPS，而延迟更是低至1.5微秒，已经远远超过了普通的NAND闪存的SSD性能，因为HGST这次使用的是45nm工艺的PCM相变闪存。