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关于 ST-MRAM 的消息

MRAM技术的硬盘容量只有1-2GB,但150万IOPS随机性能炸裂

NAND闪存是目前非易失性存储芯片中的主流,虽然这一年来的涨价、缺货让不少消费者、厂商揪心,小超哥(微信:18680462854)也是“哀其不幸怒其不争”,但是大家也没有别的选择。在新一代存储芯片技术中,MRAM(磁阻随机存取存储器)被业界看好,因为它同时具备SRAM的快速及非易失性闪存的特点,只不过目前的MRAM闪存大部分还处在研发阶段,并没有真正上市。Everspin公司日前宣布将于今年Q2季度上市基于MRAM技术的nvNITRO ES1GB、ES2GB硬盘,别看容量才1-2GB,但是4K随机性能高达150万IOPS,延迟只有6微秒,远远高于目前的企业级SSD硬盘。

众人拾柴火焰高,MRAM技术联盟正式成立

  以东京电子、信越化工、瑞萨电子、日立以及美光科技在内的20多家日本以及美国企业已经组成MRAM技术研发联盟,联合开发MRAM技术,预计在明年2月份就会启动相关的技术研究项目。

秒飞SSD数条街!ST-MRAM新存储技术窥探

  Everspin技术公司位于美国亚利桑那州,是第一家提供MRAM的公司,它向特定客户供应自有的ST-MRAM(转矩磁阻随机存取存储器)。这种非易失性存储器比当前的SSD最多快上500倍,不过很自然的——它的价格也达到了SSD的50倍。

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