超能课堂(209)：从CD开始的音频编码进化之路

前面讲过了多媒体容器格式的变迁，这期我们来看看音频编码是如何发展的。在讲编码之前，同样地，让我们来看看现在最为通用的数字音频格式——PCM是怎么来的吧。

倪嘉声 | 发布于2019-11-28 16:20

投资130亿元，国产公司发力PCM相变存储，2021推3D XPoint芯片

作为当前最尖端的高科技之一，半导体芯片这几年在国内很热门，不仅在媒体报道上刷屏，而且国内最近几年上马了不少半导体项目，几乎涉及到从设计到制造再到封装在内的各个领域。在众多半导体项目中，存储芯片是国内优先发展的，毕竟国内的NAND闪存及DRAM内存两大类存储芯片几乎是100%进口的。国内比较重要的存储芯片项目有长江存储、合肥长鑫及福建晋华，但在NAND/DRAM内存之外，还有一个项目值得注意，那就是江苏时代芯存公司的PCM相变存储芯片项目，总投资高达130亿元，一期投资43亿元，在江苏淮安建设的晶圆厂明年Q1季度就要量产了，号称年产10万片12英寸PCM晶圆，销售额高达20亿美元。

孟宪瑞 | 发布于2018-12-05 11:55

IBM TLC型PCM挑战3D XPoint闪存：1000万次写入寿命

蓝色巨人IBM与消费级产品越来越远，但IBM从来没有远离高科技行业，不论是7nm半导体工艺还是新一代AI智能或者别的尖端科学，IBM都是要肩负人类希望的（网友语“I人希”）。在下一代存储芯片上，Intel美光的3D XPoint已经迈出了革命性一步，不过点满黑科技天赋的IBM日前拿出了同样具备极强竞争力的PCM存储芯片——他们首次实现PCM芯片每单元存储3位数据，你可以把它理解成NAND闪存从1bit/cell的SLC闪存到3bit/cell的TLC闪存的改变。

bolvar | 发布于2016-05-18 11:05

HGST展示PCM相变技术SSD：300万IOPS，延迟低至1.5微秒

在前几天的FMS全球闪存会议上，HGST除了发布2.7GB/s性能的PCI-E 3.0接口的FlashMAX III硬盘之外，还宣布了世界上最快的SSD，使用的虽然是PCI-E 2.0 x4接口，但是随机IOPS性能高达300万IOPS，而延迟更是低至1.5微秒，已经远远超过了普通的NAND闪存的SSD性能，因为HGST这次使用的是45nm工艺的PCM相变闪存。

bolvar | 发布于2014-08-09 11:28

后NAND时代，2013年PCM储存技术上位

　　PCM相变存储技术被视为NAND技术的继任者，美光之前还宣称已经大规模量产了45nm工艺的PCM模块，但是这种未来型的技术到底合适才能出现在我们的生活中呢？　　Theregister网站援引EMC高级副总、闪存部门主管扎西德·侯赛因的说法称，2013年将是PCM闪存的新起点，有望见到实际产品出现在市场上。