在刚刚结束的“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上，英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）发表了演讲，展示了一系列底层技术创新，这些技术将驱动英特尔到2025年乃至更远未来的新产品开发。同时英特尔宣布，AWS将成为首个使用英特尔代工服务（IFS）封装解决方案的客户。
在这次线上发布会上，除了公布其近十多年来首个全新晶体管架构RibbonFET和业界首个全新的背面电能传输网络PowerVia之外，英特尔还重点介绍了迅速采用下一代极紫外光刻（EUV）技术的计划，即高数值孔径（High-NA）EUV，英特尔还有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。目前英特尔正在加快制程工艺创新的路线图，以确保到2025年制程性能再度领先业界。
英特尔表示，从1997年开始，基于纳米的传统制程节点命名方法，已不再与晶体管实际的栅极长度相对应。随着IDM 2.0战略中，英特尔代工服务（IFS）的推出，英特尔决定为其制程节点引入了全新的命名体系，创建一个清晰而且一致的框架，以帮助客户对整个行业的制程节点有更清晰和准确的认知。
该制程节点上，将为面向客户端的Alder Lake和面向数据中心的Sapphire Rapids系列处理器提供动力。前者会在2021年内发布，后者则是2022年第一季度。英特尔表示，基于FinFET晶体管优化，Intel 7与Intel 10nm SuperFin相比，每瓦性能将提升约10%-15%。
这是英特尔非常在意的一个制程节点，会为包括Ponte Vecchio、客户端的Meteor Lake和数据中心的Granite Rapids在内的多款产品提供动力。英特尔表示该制程节点采用EUV光刻技术，可使用超短波长的光，刻印极微小的图样，每瓦性能约20%的提升以及芯片面积的改进，可应用下一代Foveros和EMIB封装技术，将在2022年下半年投产，相关产品会在2023年出货。
英特尔表示，该制程节点将在2023年下半年做好生产准备。凭借FinFET的进一步优化和在更多工序中增加对EUV使用，相比Intel 4在每瓦性能上实现约18%的提升，在芯片面积上也会有额外改进。
英特尔表示，将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。其中RibbonFET是对Gate All Around晶体管的实现，将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。
预计Intel 20A将会在2024年推出，在该制程节点技术上，英特尔还会与高通进行合作。
在Intel 20A基础上，英特尔会对RibbonFET进行改进，预计2025年初会推出Intel 18A，在晶体管性能上实现又一次重大飞跃。英特尔还致力于定义、构建和部署下一代High-NA EUV，有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。英特尔正与ASML密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代EUV。
图：英特尔高级副总裁兼技术开发总经理Ann Kelleher博士
1、EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）作为首个2.5D嵌入式桥接解决方案将继续引领行业，英特尔自2017年以来一直在出货EMIB产品。Sapphire Rapids将成为采用EMIB批量出货的首个英特尔至强数据中心产品。
2、Foveros利用晶圆级封装能力，提供史上首个3D堆叠解决方案，客户端的Meteor Lake将采用Foveros封装技术。
3、Foveros Omni开创了下一代Foveros封装技术，通过高性能3D堆叠技术为裸片到裸片的互连和模块化设计提供了无限制的灵活性，预计将于2023年用到量产的产品中。
4、Foveros Direct实现了向直接铜对铜键合的转变以及低电阻互连，这使得从晶圆制成到封装两者之间的界限不再那么明显，预计也将于2023年用到量产的产品中。
拾人牙慧一代宗师 2021-07-27 11:27 | 加入黑名单
手动标明一下重点。
已有3次举报intel将彻底放弃纳米命名，用无法比较的，intel自己起的名字，来命名工艺节点。
评论：说真的之前其他厂子滥标纳米，是有点欺负intel，但是intel这波反制措施就有点太离谱了。等挨骂吧。
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5#
我匿名了 2021-07-27 19:06
我说是7 就是7
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12#
VEGA教授 2021-07-27 17:16 | 加入黑名单
TSMC 7nm 91.2 MTr/mm2
Intel 10nm 100.8 MTr/mm2
TSMC 6nm 108.2 MTr/mm2
TSMC 5nm 171.3 MTr/mm2
2022下半年 Intel 7nm (今天改名Intel 4) 现有预估是237.2 MTr/mm2
2022下半年 TSMC 3nm 现有预估是291.2 MTr/mm2
2023下半年 Intel 7nm+ (今天改名Intel 3)
2024年 TSMC 2nm
2024年 Intel 5nm (今天改名20A)
2025年 Intel 5nm+ (今天改名18A)
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11#
终结之谷瀑布教授 2021-07-27 13:53 | 加入黑名单
从前笑人家逃跑了50步的人，如今逃跑了100步
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10#
下穿穿教授 2021-07-27 13:50 | 加入黑名单
新命名 把我整懵了
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9#
可可夫斯基博士 2021-07-27 12:59 | 加入黑名单
虽然我是AMD粉丝，靠着AMD股票赚了很多，坚定只买AMD，但还是希望INTEL能不要气馁，打起勇气挑战AMD，不断推陈出新，利用更有竞争力的产品搅动市场，也反过来促进AMD更加发展。
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8#
Laugh99终极杀人王 2021-07-27 12:01 | 加入黑名单
14nm，YYDS
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7#
yjherculesss教授 2021-07-27 11:51 | 加入黑名单
重新定义7nm。现定义一种新运算Intel，使Intel4＝7。
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6#
传说中的的小白教授 2021-07-27 11:25 | 加入黑名单
新三年、旧三年、缝缝补补又三年——没错，说的就是英特尔的制程
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4#
vigo93终极杀人王 2021-07-27 11:11 | 加入黑名单
通篇只有：10nm改数字成7nm 7nm更狠改成4nm 这就是100步笑人家50步台积电啊
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3#
三井寿教授 2021-07-27 11:00 | 加入黑名单
俗称：基尔辛格定律？
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2#
y神的风扇教授 2021-07-27 10:58 | 加入黑名单
希望路线图能实现，不要像之前的14nm那样拼命+++++
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