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澜起科技宣布,推出DDR5第四子代寄存时钟驱动器芯片(DDR5 RCD04),支持数据速率高达7200 MT/s的DDR5,相比于第一代RCD,速率提升了50%,以应对新一代服务器平台对内存速率和带宽不断攀升的需求。
RCD芯片用来缓冲来自内存控制器的地址、命令及控制信号,而DB(数据缓冲器)芯片用来缓冲来自内存控制器或内存颗粒 (DRAM) 的数据信号。RCD与DB组成套片,可实现对地址、命令、控制信号以及数据信号的全缓冲。仅采用了RCD芯片的内存模组通常称为RDIMM(寄存式双列直插内存模组),而采用了RCD和DB套片的内存模组称为LRDIMM(减载双列直插内存模组)。
澜起科技是在2021年发布了DDR5第一子代内存接口及模组配套芯片后,支持数据速率为4800 MT/s,随后又在2022年和2023年成功发布了DDR5第二子代(5600 MT/s)、第三子代(6400 MT/s)RCD芯片。目前澜起科技已将DDR5 RCD04工程样片送样给主要内存厂商,协助客户进行新一代内存产品研发。
除了RCD芯片和DB芯片以外,澜起科技还提供了串行检测集线器(SPD Hub)、温度传感器(TS)、电源管理芯片(PMIC)等内存接口及模组配套芯片,这些也是DDR5内存模组的重要组件。