英特尔提交德国新建晶圆厂示意图：安装High-NA EUV光刻机，2027Q4投入使用

去年6月，英特尔与德国联邦政府达成了协议，双方宣布签署了一份修订的投资意向书，计划投资超过300亿欧元，在马格德堡兴建两座新的晶圆厂。德国联邦政府已同意提供100亿欧元补贴，包含了来自《欧洲芯片法案》和来自政府的激励措施及补贴。

据HardwareLuxx和Heise.de报道，英特尔已经提交了德国新建晶圆厂的示意图，显示初期为两座晶圆厂Fab 29.1和Fab 29.2，将安装世界上最先进的半导体工具，英特尔还留有足够的空间，最多能再兴建另外六座晶圆厂。预计首批两座晶圆厂会在2027年第四季度投入运营，Intel 14A和Intel 10A两个先进的制程节点相信都在计划之内。

Fab 29.1和Fab 29.2占地约8.1万平方米，总长度为530米，宽度为153米，每层高度在5.7至6.5米之间，共三层，加上用于空调和供暖的屋顶结构，建筑物高度达到了36.7米。其中High-NA EUV光刻机会安装在层高为6.5米的第二层，上下两层用于材料物流，提供必要的资源，比如水、电和化学品。根据ASML提供的模型，第一代支持High-NA的生产节点将使用4-9次High-NA EUV曝光和总共20-30次EUV曝光。

除了两座晶圆厂，园区内还有众多支持建筑，包括冷却器和沸腾器（BC1）、仓库（WH1）、超纯水储存（PB1）、特殊气体储存（BG1）、空气分离厂 （AU1）、办公楼（OB1）、服务大楼（SB1）、数据中心（DC1）、废水预处理大楼（WT1）、碱性废水预处理（NH4W）、以及停车场（PK1）。Fab 29将采用380千伏高压供电并包含独立的供电站，英特尔计划使用电池储能系统来代替传统的柴油发电机作为备用电源，强调了其对可持续性的承诺。

Fab 29所在的新修建道路将以著名物理学家和计算先驱Ada Lovelace Chaussee的名字命名，与英伟达现有的游戏GPU架构同名。