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      三星电子宣布,已成功用30nm工艺制造出8Gb容量的OneNAND闪存芯片,目标是大容量存储设备和高端智能手机。

      这种OneNAND闪存芯片是基于SLC NAND技术,把读取速度提升至70MB/s(是传统闪存的四倍左右),而且功耗非常低。

      三星电子闪存部副经理Sejin Kin表示,我们对于30nm工艺的NAND解决方案能广泛被智能手机应用感觉非常兴奋,新的8Gb OneNAND芯片能够有效改善目前智能手机目前的存储容量问题。我们会把新技术应用到不同规格的芯片上,扩大OneNAND芯片的市场。

      三星现已开始出货8Gb OneNAND芯片的样品,并计划本月底开始量产。

      消息来源:[tcmagazine]

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