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三星电子宣布，已成功用30nm工艺制造出8Gb容量的OneNAND闪存芯片，目标是大容量存储设备和高端智能手机。
这种OneNAND闪存芯片是基于SLC NAND技术，把读取速度提升至70MB/s（是传统闪存的四倍左右），而且功耗非常低。
三星电子闪存部副经理Sejin Kin表示，我们对于30nm工艺的NAND解决方案能广泛被智能手机应用感觉非常兴奋，新的8Gb OneNAND芯片能够有效改善目前智能手机目前的存储容量问题。我们会把新技术应用到不同规格的芯片上，扩大OneNAND芯片的市场。
三星现已开始出货8Gb OneNAND芯片的样品，并计划本月底开始量产。
消息来源：[tcmagazine]
