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      尔必达与飞索半导体最近宣布,他们已经制造出了世界第一个charge-trapping 4Gb SLC NAND闪存,这种NAND闪存基于飞索半导体的Mirror charge-trapping技术,与尔必达公司的广岛工厂制造。两家拥有先进技术的公司合作使世界上第一款charge-trapping NAND闪存诞生了。

      相比于floating-gate NAND闪存,charge-trapping NAND闪存的可扩展性更加强,内部结构更简单。其性能更加优秀,读写速度更加快。

      尔必达将在今年第四季度试产1.8V的4Gb NAND闪存,而明年第一季度大规模投产1Gb、2Gb和4Gb产品,而飞索半导体方面则打算在明年第二季度开始投产。尔必达的销售对象为移动消费产品,而飞索半导体则针对嵌入式和无线市场。另外,这两公司现在正在研发3.0V NAND闪存产品。

      消息来源:[tcmagazine]

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