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尔必达与飞索半导体最近宣布，他们已经制造出了世界第一个charge-trapping 4Gb SLC NAND闪存，这种NAND闪存基于飞索半导体的Mirror charge-trapping技术，与尔必达公司的广岛工厂制造。两家拥有先进技术的公司合作使世界上第一款charge-trapping NAND闪存诞生了。
相比于floating-gate NAND闪存，charge-trapping NAND闪存的可扩展性更加强，内部结构更简单。其性能更加优秀，读写速度更加快。
尔必达将在今年第四季度试产1.8V的4Gb NAND闪存，而明年第一季度大规模投产1Gb、2Gb和4Gb产品，而飞索半导体方面则打算在明年第二季度开始投产。尔必达的销售对象为移动消费产品，而飞索半导体则针对嵌入式和无线市场。另外，这两公司现在正在研发3.0V NAND闪存产品。
消息来源：[tcmagazine]
