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      Intel的3D晶体管工艺已经开始量产,IBM、三星、GF参与的通用技术联盟在三、四年后的14nm节点才会启用三栅极晶体管电路,但是GF也不是没有绝招,他们在官网宣布了另一项3D工艺里程碑,将在未来的3D堆叠工艺上保持领先。


    3D堆叠工艺被视为传统集成电路的替代者

      位于纽约州萨拉托加城镇的Fab 8晶圆厂正在安装一种特殊的工具,它可以用来制造TSVs晶圆(Through-silicon via,贯通型晶圆通道),有助于GF在未来的20nm工艺节点继续保持领先地位。TSV技术主要用来制造多层堆叠芯片,可以满足未来电子设备的苛刻需求。

      简单来说,TSV技术可以在晶圆上蚀刻出垂直的空洞,并用铜填充,堆叠的电路就可以借助这些铜线互相连接。举例来说,TSV允许设计人员在处理器电路层上堆叠一层内存电路,这样一来处理器和内存的连接将是芯片级的,可以极大地提高内存带宽并减少功耗,这对智能手机和平板来说至关重要。

      3D堆叠工艺被视为传统集成电路的替代者,它的优势和意义不亚于Intel的3D晶体管工艺。除了工艺自身的难题之外,对新型芯片封装技术要求也很高,晶圆厂和合作伙伴必须提供端对端的一体式解决方案才能满足要求。

      Fab 8是GF旗下最先进的晶圆厂,主要致力于32/28nm及以下工艺的研究和生产,首个使用TSV技术的Full-flow晶圆将在2012年第三季度开始运转。

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    • 游客  2012-04-28 10:29

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      7#

    • 游客  2012-04-27 19:31

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      6#

    • 游客  2012-04-27 18:30

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    • 游客  2012-04-27 15:18

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    • 游客  2012-04-27 13:11

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      3#

    • 超能网友研究生 2012-04-27 12:34    |  加入黑名单

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      2#

    • 超能网友博士 2012-04-27 12:24    |  加入黑名单

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