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3.3.1 闪存基础原理：为什么会写入次数限制
这一节我们主要来看有关闪存芯片的问题。
目前SSD所用的闪存主要是NAND类型，早前还有一种叫做NOR的闪存，最早是由Intel在1988年开发出来的，曾经在手机内存中大行其道，而NAND闪存则是东芝在1989年提出来的，两种类型的闪存争夺战中最终由NAND闪存胜出，Intel不得不把NOR闪存部分卖给美光转而投身NAND阵营，现在Intel的闪存无论性能还是口碑都不输东芝，甚至还能反超。
由于NOR事实上是明日黄花，这里也不需大幅描述它与NAND的差异了，只要知道几点就够了：NOR闪存是芯片内执行（eXecute In Place），程序可以在闪存中直接执行而无需再入到系统内存中，而且可以字节数（byte）为单位读写，但是擦除和写入速度比较慢，容量密度低，反观NAND，存储密度高，写入和擦除速度更快，虽然写入速度可以page为单位，但是擦除必须以block为单位。
NOR与NAND闪存优缺点比较
就是这样，NAND在成本、写入速度、容量等重要方面优于NOR闪存，最终成为赢家，不只是在SSD中全面开花，其他闪盘、手机内存等领域中也是NAND为主。
NAND，包括前面的NOR闪存本质上都是Floating Gate MOSFET（浮栅极-金属氧化物半导体场效应管），也是利用通电与否代表计算机可识别的1、0状态。
加电瞬间会产生强大的电场（大于1000万 vt/cm），这么强的电场会破坏隧道氧化层的原子结合，脱离的电子就会上升到浮栅极上以形成电位变化，断电之后电子还会恢复正常位置，这样反复的断电-加压就形成了不同的电位信号。
NAND的工作循环过程
加电的过程等同于HDD硬盘的数据写入操作，它被成为“Program（编程）”，断电的过程电位恢复，这相当于HDD硬盘的擦除数据，这里成为“Erase（擦除）”，完整的一次P/E循环就是NAND的写入循环，从这里也可以看出SSD要想写入数据就需要恢复默认电位，也就是以“擦除”为前提，这个特性决定了SSD的数据写入方式，也会带来其他的一系列问题。
最直接的影响就是SSD寿命，因为P/E循环次数是有限的，浮栅极不像HDD的GMR（巨磁阻尼）效应那样是永久的，存在次数限制。
