与前面几项功能性更新相比，Z77X-UP4 TH主板在硬件设计上的变化才是最大的亮点，整个UP系列会的供电设计做了升级，全面进入超耐久5（Ultra Durable 5）时代。

UP系列使用的供电设计为超耐久5代技术

UP4主板PCB布局（点击放大）

　　从这张裸板上看似乎找不到什么特别之处，因为超耐久5提升的是元件品质，是内功增长，我们仔细对比一下CPU供电部分的变化。

10相CPU供电，其中8相使用了DrMOS设计

　　整个CPU部分的供电为10相，单从相数来看在堆料大潮中实属一般，并不夸张。先别着急，再来看一下元件的型号。

　　固态电容是紫色的三洋OS-CON系列，目前主板厂商中坚持使用日系、特别是三洋电容的实在不多了，大多是来自香港万裕、台系立隆及钰邦、内地的日科能高等厂商。

　　电感上印上了UP的Logo，看不到具体型号，不过与普通电感相比，它能支持的最大电流从30A提升到60A左右，与下面要讲的IR3550 Mosfet相匹配。

　　最核心的变化则是MOSFET，Z77X-UP4 TH使用但是IR公司新近推出的IR3550M型号，这是一种高度整合型DrMOS，每个IR3550中封装了driver IC、一上两下MOSFET，PQFN封装，体积只有6x6x0.9mm。

IR3550是整合型DrMOS设计，支持最新的DrMOS 4.0规范

　　IR3550的特点是：

　　　1. 效率高，1.2V电压下转换率为95%；
　　　2. 最大电流提高到60A，比普通MOSFET 30-40A的平均电流高出近一倍；
　　　3. 开关频率快，可达1MHz；
　　　4. 发热低，PQFN支持双面散热，散热效能比较好。

台北电脑展上技嘉做过的温度测试

　　消费者能直接看到的好处MOSFET供电电路的温度更低，长期使用的话稳定性越高，就算是超频使用，更低的温度也有利于提高超频的可能性，这也是技嘉将UP系列的主打功能定位在超频上的一大因素。

AIDA64拷机30分钟后也测试了一下MOSFET电路的温度

　　小编也实际体验了一番MOSFET的低温效果。将测试的Core i7-3770K超频至4.5GHz（100MHz*45），BIOS电压也提高到1.45V，运行了半个小时的AIDA64拷机测试。

　　测试为裸机状态，室温26.3度，用测温仪得到的MOSFET散热器温度不过37°，相差10°C左右，假如把测试环境进一步恶化，想象成机箱内35度环境，差异也提高一倍到20°C，那么MOSFET部分的温度也不过是五六十度，这与之前主板拷机测试时MOSFET非常烫手的感触形成鲜明对比。

　　如果有机会多找几块主板，拆掉散热器准确对比一下各自MOSFET电路的温度，结果也许更有说服力。

PWM管理芯片为IR3567

　　PWM管理芯片为IR3567，支持6+2相供电管理，技嘉的10相供电还需要从另外一颗IR3567芯片中提供外援，这种做法在之前的X79主板中就使用过了。

　　这颗IR3567提供了6相CPU核心、2相GPU核心供电，这8相搭配了使用了IR3550 DrMOS，另有2相内存控制器供电则是另一颗IR3567芯片的多余2相提供外援，不过使用的是普通的一上一下MOSFET，型号是KO387和K0393，其实技嘉又何必省这么一点呢，10相供电都使用DrMOS不好吗？