4.4 3D闪存：平面不行了，向3D进发
制程升级及TLC闪存的实质都是为了提升NAND储存容量、降低成本，但是这两种技术的副作用也是很大的——性能降低，可靠性下降，而且在制程低于 15/16nm之后，由于氧化层越来越薄，可供使用的电子也越来越少，实际上将会这种方式越来越难，最终变得不可行，人们需要另寻它法。
这样的情况下，研究人员就从普通的2D闪存开始向3D堆栈闪存前进，原理说起来很简单——立体堆叠可以多合一，形象点说就是原来的2D内存是平房，增加面积就只能扩大宅基地，地产老板不喜欢，而现在的3D闪存则是摩天大楼，地面还是那么大，但是楼房多了，地产老板、房客都喜欢了，还会说高层光线好，空气好什么的。
东芝、三星。海力士及美光各自研发过不同的3D闪存方案
当然，3D封装技术分类太多了，就算是集中到我们今天讨论的3D NAND上，不同厂商也有过不同的技术方案。在全球四大NAND厂商中，东芝/闪迪系主要研究p-BICS（Bit-Cost Scalable），Hynxi继续搞浮栅极为基础的3D FG方案，美光/Intel系主要搞3D Flash，三星高过水平封装的TCAT（Terabit Cell Array Transistor），但去年首先量产的则是垂直封装的V-NAND。
作为全球NAND产业的老大，三星在NAND上的实力与投入也是最大的，四大豪门的3D闪存中也只有三星正式量产并上市了，而且已经发展出了两代，去年的是第一代，最多24层堆叠，今年850 Pro使用的第二代V-NAND了，堆叠层数从24提升到32层，存储密度提升了40%。
在使用第二代V-NAND闪存的850 Pro硬盘上，Anandtech网站测试出的P/E次数是6000次，虽然还没有达到三星所说的10倍可靠性，不过相比20nm工艺MLC闪存平均3000次的P/E寿命已经好太多了。
目前各公司3D闪存的进展
四大NAND公司的3D闪存进度
3D闪存优点多多，厂商显然不可能放过这一波浪潮，目前三星的V-NAND进度是最快的，已经有850 Pro以及即将发布的850 EVO（TLC的V-NAND闪存）这样的产品，而且在国内西安投资70亿美元新建NAND工厂，生产的就是这种V-NAND闪存，未来还会继续领跑。
美光、东芝/闪迪及SK Hyix三家也不同程度地宣示要量产3D闪存，目前也是建厂、扩产的阶段，但是真正上市还早，这三家普遍是在15/16nm节点才开始量产3D闪存，最快今年底，产品上市则要等到明年了，预计未来两年才是他们的3D闪存爆发时间点。
我匿名了 2017-02-08 23:24
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游客 2016-03-26 02:53
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游客 2016-03-08 19:45
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游客 2016-03-08 12:15
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游客 2016-03-04 17:45
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游客 2015-08-22 07:20
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超能网友博士 2015-04-30 19:00 | 加入黑名单
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超能网友一代宗师 2015-01-31 10:03 | 加入黑名单
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游客 2015-01-16 15:35
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游客 2015-01-07 13:23
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游客 2014-12-24 17:04
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游客 2014-12-24 17:01
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游客 2014-12-21 06:49
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超能网友初中生 2014-12-19 13:40 | 加入黑名单
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游客 2014-12-16 23:01
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游客 2014-11-29 15:00
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超能网友高中生 2014-11-26 16:59 | 加入黑名单
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游客 2014-11-20 00:16
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游客 2014-11-17 20:12
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游客 2014-11-16 21:30
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游客 2014-11-16 16:39
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游客 2014-11-16 11:29
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游客 2014-11-16 00:48
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超能网友大学生 2014-11-15 23:25 | 加入黑名单
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游客 2014-11-14 20:55
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游客 2014-11-14 18:54
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超能网友大学生 2014-11-14 09:41 | 加入黑名单
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游客 2014-11-11 23:01
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游客 2014-11-11 22:57
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游客 2014-11-11 10:45
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